Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
Electric capacitance C and dielectric losses tgδ have been determined for metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped ZnSe crystals. It has been shown that annealing of the grown crystals in zinc atmosphere causes the increase of C by 2-3 orders of magnitude. This parameter, as w...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139500 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals / O. Chugai, V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, S. Oleynik, K. Katrunov, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139500 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Chugai, O. Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Oleynik, S. Katrunov, K. Zenya, I. 2018-06-20T15:27:42Z 2018-06-20T15:27:42Z 2004 Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals / O. Chugai, V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, S. Oleynik, K. Katrunov, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139500 Electric capacitance C and dielectric losses tgδ have been determined for metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped ZnSe crystals. It has been shown that annealing of the grown crystals in zinc atmosphere causes the increase of C by 2-3 orders of magnitude. This parameter, as well as tgδ becomes dependent upon the bias voltage U, with regions of negative and of positive slope observed on the C(U) plots. It has been shown that dependences C(U) and tgδ(U) are determined by changes with voltage in the two oppositely switched Schottky barriers. Исследованы электроемкость C и тангенс угла диэлектрических потерь tgδ структур металл-полупроводник-металл на основе изовалентно легированных кристаллов ZnSe. Установлено, что отжиг кристаллов в атмосфере цинка обусловливает увеличение C на 2-3 порядка. Параметры C и tgδ становятся зависящими от смещающего напряжения U, причем в зависимости C(U) наблюдаются участки как с отрицательным, так и с положительным наклоном. Показано, что зависимости C(U) и tgδ(U) определяются изменением с напряжением двух, включенных навстречу друг другу, барьеров Шоттки. Досліджєно єлєктроємність C и тангенс кута дієлєктричних втрат tgδ структур метал-напівпровідник-метал на основі ізовалентно легованих кристалів ZnSe. Встановлено, що відпал кристалів у середовищі цинку обумовлює збільшення C на 2-3 порядки. Параметри C i tgδ стають залежними від зміщуючої напруги U, причому в залежності C(U) спостерігаються області як з негативним, так і з позитивним нахилом. Показано, що C(U) i tgδ(U) визначаються залежністю від напруги двох бар’єрів Шоттки, що ввімкнено назустріч один одному. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals Електрофізичні властивості структур метал-иашвпровщник-метал на основі ізовалентно легованих кристалів селеніду цинку Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals |
| spellingShingle |
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals Chugai, O. Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Oleynik, S. Katrunov, K. Zenya, I. |
| title_short |
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals |
| title_full |
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals |
| title_fullStr |
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals |
| title_full_unstemmed |
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals |
| title_sort |
electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals |
| author |
Chugai, O. Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Oleynik, S. Katrunov, K. Zenya, I. |
| author_facet |
Chugai, O. Ryzhikov, V. Starzhinskiy, N. Oleynik, S. Katrunov, K. Zenya, I. |
| publishDate |
2004 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Електрофізичні властивості структур метал-иашвпровщник-метал на основі ізовалентно легованих кристалів селеніду цинку |
| description |
Electric capacitance C and dielectric losses tgδ have been determined for metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped ZnSe crystals. It has been shown that annealing of the grown crystals in zinc atmosphere causes the increase of C by 2-3 orders of magnitude. This parameter, as well as tgδ becomes dependent upon the bias voltage U, with regions of negative and of positive slope observed on the C(U) plots. It has been shown that dependences C(U) and tgδ(U) are determined by changes with voltage in the two oppositely switched Schottky barriers.
Исследованы электроемкость C и тангенс угла диэлектрических потерь tgδ структур металл-полупроводник-металл на основе изовалентно легированных кристаллов ZnSe. Установлено, что отжиг кристаллов в атмосфере цинка обусловливает увеличение C на 2-3 порядка. Параметры C и tgδ становятся зависящими от смещающего напряжения U, причем в зависимости C(U) наблюдаются участки как с отрицательным, так и с положительным наклоном. Показано, что зависимости C(U) и tgδ(U) определяются изменением с напряжением двух, включенных навстречу друг другу, барьеров Шоттки.
Досліджєно єлєктроємність C и тангенс кута дієлєктричних втрат tgδ структур метал-напівпровідник-метал на основі ізовалентно легованих кристалів ZnSe. Встановлено, що відпал кристалів у середовищі цинку обумовлює збільшення C на 2-3 порядки. Параметри C i tgδ стають залежними від зміщуючої напруги U, причому в залежності C(U) спостерігаються області як з негативним, так і з позитивним нахилом. Показано, що C(U) i tgδ(U) визначаються залежністю від напруги двох бар’єрів Шоттки, що ввімкнено назустріч один одному.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139500 |
| citation_txt |
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals / O. Chugai, V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, S. Oleynik, K. Katrunov, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT chugaio electrophysicalpropertiesofmetalsemiconductormetalstructuresbasedonisovalentlydopedzincselenidecrystals AT ryzhikovv electrophysicalpropertiesofmetalsemiconductormetalstructuresbasedonisovalentlydopedzincselenidecrystals AT starzhinskiyn electrophysicalpropertiesofmetalsemiconductormetalstructuresbasedonisovalentlydopedzincselenidecrystals AT oleyniks electrophysicalpropertiesofmetalsemiconductormetalstructuresbasedonisovalentlydopedzincselenidecrystals AT katrunovk electrophysicalpropertiesofmetalsemiconductormetalstructuresbasedonisovalentlydopedzincselenidecrystals AT zenyai electrophysicalpropertiesofmetalsemiconductormetalstructuresbasedonisovalentlydopedzincselenidecrystals AT chugaio elektrofízičnívlastivostístrukturmetaliašvprovŝnikmetalnaosnovíízovalentnolegovanihkristalívseleníducinku AT ryzhikovv elektrofízičnívlastivostístrukturmetaliašvprovŝnikmetalnaosnovíízovalentnolegovanihkristalívseleníducinku AT starzhinskiyn elektrofízičnívlastivostístrukturmetaliašvprovŝnikmetalnaosnovíízovalentnolegovanihkristalívseleníducinku AT oleyniks elektrofízičnívlastivostístrukturmetaliašvprovŝnikmetalnaosnovíízovalentnolegovanihkristalívseleníducinku AT katrunovk elektrofízičnívlastivostístrukturmetaliašvprovŝnikmetalnaosnovíízovalentnolegovanihkristalívseleníducinku AT zenyai elektrofízičnívlastivostístrukturmetaliašvprovŝnikmetalnaosnovíízovalentnolegovanihkristalívseleníducinku |
| first_indexed |
2025-12-07T20:43:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:43:36Z |
| _version_ |
1850883667620003840 |