Зображення обкладинки

Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals

Electric capacitance C and dielectric losses tgδ have been determined for metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped ZnSe crystals. It has been shown that annealing of the grown crystals in zinc atmosphere causes the increase of C by 2-3 orders of magnitude. This parameter, as w...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2004
Автори:	Chugai, O., Ryzhikov, V., Starzhinskiy, N., Oleynik, S., Katrunov, K., Zenya, I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139500
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals / O. Chugai, V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, S. Oleynik, K. Katrunov, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2003)

Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)

Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Synthesis of zinc and lead sulfide, selenide nanoparticles into mesogenic metal caprylate melts
за авторством: T. A. Mirnaja, та інші
Опубліковано: (2015)

Scintillators based on zinc selenide and ticor for detection of charged particles
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2000)

Detectors and instruments for detection of X-ray radiation on the basis of zinc selenide crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2015)

Scintillation panels based on zinc selenide and oxide scintillators
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2011)

Resolving power of scintillation panels based on zinc selenide
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2012)

Structure and substructure of zinc selenide films
за авторством: Ivashchenko, M.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Scintillation screens based on zinc selenide and oxide scintillators for NDT
за авторством: E. F. Voronkin
Опубліковано: (2014)

Scintillation panels based on zinc selenide for detection of alpha radiation
за авторством: Litichevskyi, V., та інші
Опубліковано: (2012)

Prospects for application of zinc selenide for digital radiography
за авторством: E. F. Voronkin, та інші
Опубліковано: (2015)

Characteristics of the structure, composition and properties of electrodeposited zinc selenide films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2006)

The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
за авторством: V'yunov, O.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of vacuum annealing on the composition of electrochemically deposited zinc selenide layers
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of isovalent doping on the cathodoluminescence of Li₂B₄O₇:A (A = K, Cu, Ag) single crystals
за авторством: Adamiv, V.T., та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Doping methods and properties of the solid solutions on AIᴵᴵBⱽᴵ crystals base
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Nanocrystalline zinc and cadmium tungstates: morphology, luminescent and scintillation properties
за авторством: Yakubovskaya, A.G., та інші
Опубліковано: (2011)

Crystals Cd₁₋x ZnxTe – a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparations, structure defectness and electrophysical properties
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Specific features of the temperature behavior of ESR spectra of Fe-doped mercury selenide
за авторством: K. Lamonova, та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature dependence of luminescence of LiF crystals doped with different metal oxides
за авторством: L. Lisitsyna, та інші
Опубліковано: (2020)

Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Production of high purity granular metals: cadmium, zinc, lead
за авторством: A. P. Shcherban, та інші
Опубліковано: (2017)

Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Inhomogeneity of dielectric properties of cadmium zinc-telluride crystals grown from melt
за авторством: Poluboiarov, O.O., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of metal and non-metal ions doping on the structural and photocatalytic properties of titania films
за авторством: N. A. Shestopal, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface passivation of high purity granular metals: zinc, cadmium, lead
за авторством: L. A. Pirozhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

The influence of constant magnetic field on the structure, thermomechanical and electrophysical properties of the systems based on epoxy polymer, metal oxides and polyaniline.
за авторством: V. L. Demchenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2009)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of pressure on the electrophysical properties of the interface layer of heterocontacts based on layered crystals
за авторством: M. O. Vorobets
Опубліковано: (2008)