Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals
Two maxima are observed in the thermograms of of the thermostimulated depolarization currents of SrCI₂-TI+ crystals have been observed: a low-temperature one (Tm = 107 K, £m = 0.24 eV), caused by the reorientation of Tl+Va+ dipoles, and high-temperature one (Tm = 215 K, £m = 0.46 eV) related to ther...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139539 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals / S.I. Kachan, V.M. Salapak , Z.P. Chornyi, I.B. Pirko, T.M. Kushnir // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862732201528918016 |
|---|---|
| author | Kachan, S.I. Salapak, V.M. Chornyi, Z.P. Pirko, I.B. Kushnir, T.M. |
| author_facet | Kachan, S.I. Salapak, V.M. Chornyi, Z.P. Pirko, I.B. Kushnir, T.M. |
| citation_txt | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals / S.I. Kachan, V.M. Salapak , Z.P. Chornyi, I.B. Pirko, T.M. Kushnir // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Two maxima are observed in the thermograms of of the thermostimulated depolarization currents of SrCI₂-TI+ crystals have been observed: a low-temperature one (Tm = 107 K, £m = 0.24 eV), caused by the reorientation of Tl+Va+ dipoles, and high-temperature one (Tm = 215 K, £m = 0.46 eV) related to thermal dissociation thereof. TI+Va+-dipoles possess C3V symmetry, that results in splitting of the absorption А-band (1S033 transition) into two components with maxima at 234 and 247 nm. At low-temperature irradiation (T < 140 K), TI+VD+-dipole concentration (at the stage of a crystal coloring saturation) is decreased by 15-20 % as a consequence of charge carrier capture by
TI+-ions.
На термограммах токов термостимулированной деполяризации кристаллов SrCl2-TI+ наблюдаются два максимума: низкотемпературный (Тт = 107 K, Em = 0.24 эВ), обусловленный реориентацией TI+VD+ — диполей, и высокотемпературный (Tm = 215 K, Ет = 0.46 эВ), обусловленный их термо диссоциацией. TI+VD+-диполи обладают C3v — (Симметрией, что обусловливает расщепление A-полосы поглощения (переход 1s0 3311) на две компоненты с максимумами при 234 и 247 нм. При низкотемпературном облучении (Т < 140 K) концентрация TI+VD+-диполей (на стадии насыщения окрашиваемости кристалла) уменьшается на 15-20 %, что является следствием захвата носителей заряда П+-ионами.
На термограмах струмів термостимульованої деполяризації кристалiв SrCI2-TI+ спостерігаються два максимуми: низькотемпературний (Tm = 107 К, Em = 0.24 еВ), зумовлений реорієнтацією Л+У^-диполів, і високотемпературний (Tm = 215 К, Em = 0.46 еВ), зумовлений їх термо дисоціацією. TI+Va+-диполi володіють С^-симетрією, що зумовлює розщеплення A-смуги поглинання (перехід 1S0 3P1) на дві компоненти з максимумами при 234 і 247 нм. При низькотемпературному опроміненні (Т < 140 К) концентрація TI+Va+-диполiв (на стадії насичення забарвлення кристала) зменшується на 15-20 %, що є наслідком захоплення носіїв заряду TI+іїонами.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:30:29Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139539 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T19:30:29Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Kachan, S.I. Salapak, V.M. Chornyi, Z.P. Pirko, I.B. Kushnir, T.M. 2018-06-20T17:45:28Z 2018-06-20T17:45:28Z 2004 Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals / S.I. Kachan, V.M. Salapak , Z.P. Chornyi, I.B. Pirko, T.M. Kushnir // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139539 Two maxima are observed in the thermograms of of the thermostimulated depolarization currents of SrCI₂-TI+ crystals have been observed: a low-temperature one (Tm = 107 K, £m = 0.24 eV), caused by the reorientation of Tl+Va+ dipoles, and high-temperature one (Tm = 215 K, £m = 0.46 eV) related to thermal dissociation thereof. TI+Va+-dipoles possess C3V symmetry, that results in splitting of the absorption А-band (1S033 transition) into two components with maxima at 234 and 247 nm. At low-temperature irradiation (T < 140 K), TI+VD+-dipole concentration (at the stage of a crystal coloring saturation) is decreased by 15-20 % as a consequence of charge carrier capture by
 TI+-ions. На термограммах токов термостимулированной деполяризации кристаллов SrCl2-TI+ наблюдаются два максимума: низкотемпературный (Тт = 107 K, Em = 0.24 эВ), обусловленный реориентацией TI+VD+ — диполей, и высокотемпературный (Tm = 215 K, Ет = 0.46 эВ), обусловленный их термо диссоциацией. TI+VD+-диполи обладают C3v — (Симметрией, что обусловливает расщепление A-полосы поглощения (переход 1s0 3311) на две компоненты с максимумами при 234 и 247 нм. При низкотемпературном облучении (Т < 140 K) концентрация TI+VD+-диполей (на стадии насыщения окрашиваемости кристалла) уменьшается на 15-20 %, что является следствием захвата носителей заряда П+-ионами. На термограмах струмів термостимульованої деполяризації кристалiв SrCI2-TI+ спостерігаються два максимуми: низькотемпературний (Tm = 107 К, Em = 0.24 еВ), зумовлений реорієнтацією Л+У^-диполів, і високотемпературний (Tm = 215 К, Em = 0.46 еВ), зумовлений їх термо дисоціацією. TI+Va+-диполi володіють С^-симетрією, що зумовлює розщеплення A-смуги поглинання (перехід 1S0 3P1) на дві компоненти з максимумами при 234 і 247 нм. При низькотемпературному опроміненні (Т < 140 К) концентрація TI+Va+-диполiв (на стадії насичення забарвлення кристала) зменшується на 15-20 %, що є наслідком захоплення носіїв заряду TI+іїонами. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals Релаксаційні властивості дефектних комплексів у кристалах SrCl₂-TI+ Article published earlier |
| spellingShingle | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals Kachan, S.I. Salapak, V.M. Chornyi, Z.P. Pirko, I.B. Kushnir, T.M. |
| title | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals |
| title_alt | Релаксаційні властивості дефектних комплексів у кристалах SrCl₂-TI+ |
| title_full | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals |
| title_fullStr | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals |
| title_full_unstemmed | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals |
| title_short | Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals |
| title_sort | relaxation properties of defect complexes in srci₂-ti+ crystals |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139539 |
| work_keys_str_mv | AT kachansi relaxationpropertiesofdefectcomplexesinsrci2ticrystals AT salapakvm relaxationpropertiesofdefectcomplexesinsrci2ticrystals AT chornyizp relaxationpropertiesofdefectcomplexesinsrci2ticrystals AT pirkoib relaxationpropertiesofdefectcomplexesinsrci2ticrystals AT kushnirtm relaxationpropertiesofdefectcomplexesinsrci2ticrystals AT kachansi relaksacíinívlastivostídefektnihkompleksívukristalahsrcl2ti AT salapakvm relaksacíinívlastivostídefektnihkompleksívukristalahsrcl2ti AT chornyizp relaksacíinívlastivostídefektnihkompleksívukristalahsrcl2ti AT pirkoib relaksacíinívlastivostídefektnihkompleksívukristalahsrcl2ti AT kushnirtm relaksacíinívlastivostídefektnihkompleksívukristalahsrcl2ti |