Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding
It has been shown that the dopant concentration fluctuates by volume of different single crystals with the same diameter due to the changes in crystallization front volume. It has been established that the cause of this effect is radiative heat transport from the crystal to the crucible upper part a...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139560 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding / V.I. Goriletsky, B.V. Grinyov, V.I. Sumin, M.M. Tymoshenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 806-809. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862656641020723200 |
|---|---|
| author | Goriletsky, V.I. Grinyov, B.V. Sumin, V.I. Tymoshenko, M.M. |
| author_facet | Goriletsky, V.I. Grinyov, B.V. Sumin, V.I. Tymoshenko, M.M. |
| citation_txt | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding / V.I. Goriletsky, B.V. Grinyov, V.I. Sumin, M.M. Tymoshenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 806-809. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | It has been shown that the dopant concentration fluctuates by volume of different single crystals with the same diameter due to the changes in crystallization front volume. It has been established that the cause of this effect is radiative heat transport from the crystal to the crucible upper part and, then, local changes in thermal conditions near crystallization front. It has been shown that minimal side heater temperature needed for melting of the raw material depends on the ingot length at the moment. An algorithm of the process control is developed providing temperature stabilization in the peripherical circular vessel at the axial growth stage and allowing one to obtain single crystals with uniform dopant distribution with good reproducibility.
Показано, что основной причиной колебания концентрации активатора в объеме разных монокристаллов одинакового диаметра является изменение объема фронта кристаллизации. Установлено, что причиной, приводящей к данному эффекту, является лучистый транспорт тепла от кристалла к элементам верхней части тигля и последующее локальное изменение тепловых условий вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что минимально необходимая температура бокового нагревателя, обеспечивающая плавление сырья, различна при разной длине слитка. Разработан алгоритм управления процессом выращивания, предусматривающий стабилизацию температуры в периферической кольцевой емкости на этапе роста слитка в длину, позволяющий воспроизводимо получать монокристаллы с равномерным распределением активатора.
Показано, що основною причиною коливання концентрації активатора в об'ємі Різних монокристалів однакового діаметра, є зміна об'єму фронту кристалізації. Встановлено, що причиною, яка призводить до даного ефекту, є променистий транспорт тепла від кристала до елементів верхньої частини тигля і наступна локальна зміна теплових умов поблизу фронту кристалізації. Виявлено, що мінімально необхідна температура бічного нагрівача, що забезпечує плавлення сировини при різній довжині злитка, виявляється різною. Розроблено алгоритм керування процесом вирощування, що передбачає стабілізацію температури у периферичній кільцевій ємності на етапі зростання злитка в довжину, що дозволяє відтворювано одержувати монокристали з рівномірним розподілом активатора.
|
| first_indexed | 2025-12-02T04:56:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139560 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-02T04:56:07Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Goriletsky, V.I. Grinyov, B.V. Sumin, V.I. Tymoshenko, M.M. 2018-06-20T18:02:13Z 2018-06-20T18:02:13Z 2004 Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding / V.I. Goriletsky, B.V. Grinyov, V.I. Sumin, M.M. Tymoshenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 806-809. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139560 It has been shown that the dopant concentration fluctuates by volume of different single crystals with the same diameter due to the changes in crystallization front volume. It has been established that the cause of this effect is radiative heat transport from the crystal to the crucible upper part and, then, local changes in thermal conditions near crystallization front. It has been shown that minimal side heater temperature needed for melting of the raw material depends on the ingot length at the moment. An algorithm of the process control is developed providing temperature stabilization in the peripherical circular vessel at the axial growth stage and allowing one to obtain single crystals with uniform dopant distribution with good reproducibility. Показано, что основной причиной колебания концентрации активатора в объеме разных монокристаллов одинакового диаметра является изменение объема фронта кристаллизации. Установлено, что причиной, приводящей к данному эффекту, является лучистый транспорт тепла от кристалла к элементам верхней части тигля и последующее локальное изменение тепловых условий вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что минимально необходимая температура бокового нагревателя, обеспечивающая плавление сырья, различна при разной длине слитка. Разработан алгоритм управления процессом выращивания, предусматривающий стабилизацию температуры в периферической кольцевой емкости на этапе роста слитка в длину, позволяющий воспроизводимо получать монокристаллы с равномерным распределением активатора. Показано, що основною причиною коливання концентрації активатора в об'ємі Різних монокристалів однакового діаметра, є зміна об'єму фронту кристалізації. Встановлено, що причиною, яка призводить до даного ефекту, є променистий транспорт тепла від кристала до елементів верхньої частини тигля і наступна локальна зміна теплових умов поблизу фронту кристалізації. Виявлено, що мінімально необхідна температура бічного нагрівача, що забезпечує плавлення сировини при різній довжині злитка, виявляється різною. Розроблено алгоритм керування процесом вирощування, що передбачає стабілізацію температури у периферичній кільцевій ємності на етапі зростання злитка в довжину, що дозволяє відтворювано одержувати монокристали з рівномірним розподілом активатора. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding Зміна умов кристалізації при вирощуванні великогабаритних монокристалів з підживленням розплаву Article published earlier |
| spellingShingle | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding Goriletsky, V.I. Grinyov, B.V. Sumin, V.I. Tymoshenko, M.M. |
| title | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding |
| title_alt | Зміна умов кристалізації при вирощуванні великогабаритних монокристалів з підживленням розплаву |
| title_full | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding |
| title_fullStr | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding |
| title_full_unstemmed | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding |
| title_short | Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding |
| title_sort | changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139560 |
| work_keys_str_mv | AT goriletskyvi changesincrystallizationconditionswhengrowinglargesinglecrystalsatmeltfeeding AT grinyovbv changesincrystallizationconditionswhengrowinglargesinglecrystalsatmeltfeeding AT suminvi changesincrystallizationconditionswhengrowinglargesinglecrystalsatmeltfeeding AT tymoshenkomm changesincrystallizationconditionswhengrowinglargesinglecrystalsatmeltfeeding AT goriletskyvi zmínaumovkristalízacíípriviroŝuvannívelikogabaritnihmonokristalívzpídživlennâmrozplavu AT grinyovbv zmínaumovkristalízacíípriviroŝuvannívelikogabaritnihmonokristalívzpídživlennâmrozplavu AT suminvi zmínaumovkristalízacíípriviroŝuvannívelikogabaritnihmonokristalívzpídživlennâmrozplavu AT tymoshenkomm zmínaumovkristalízacíípriviroŝuvannívelikogabaritnihmonokristalívzpídživlennâmrozplavu |