Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals

Experiments on local high-intensity electric current pulse action on mechanical properties of a Si filamentary crystal made it possible to reveal a novel type of electroplastic effect associated with the generation of dislocations. Эксперименты по локальному высокоинтенсивному воздействию импульсом...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2004
Main Authors: Ermakov, A.P., Darinsky, B.M., Drozhzhin, A.I.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139568
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals / A.P. Ermakov, B.M. Darinsky, A.I. Drozhzhin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 746-750. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Experiments on local high-intensity electric current pulse action on mechanical properties of a Si filamentary crystal made it possible to reveal a novel type of electroplastic effect associated with the generation of dislocations. Эксперименты по локальному высокоинтенсивному воздействию импульсом электрического тока на механические свойства нитевидных кристаллов Si позволили обнаружить новую разновидность электропластического эффекта, связанного с зарождением дислокаций. Експерименти з локального високоінтєнсивного впливу імпульсом електричного струму на механічні властивості ниткоподібного кристалу кремнію дозволили виявити новий різновид електропластичного ефекту, пов’язаного з зародженням дислокацій.
ISSN:1027-5495