Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals

Experiments on local high-intensity electric current pulse action on mechanical properties of a Si filamentary crystal made it possible to reveal a novel type of electroplastic effect associated with the generation of dislocations. Эксперименты по локальному высокоинтенсивному воздействию импульсом...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2004
Автори: Ermakov, A.P., Darinsky, B.M., Drozhzhin, A.I.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139568
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals / A.P. Ermakov, B.M. Darinsky, A.I. Drozhzhin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 746-750. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Experiments on local high-intensity electric current pulse action on mechanical properties of a Si filamentary crystal made it possible to reveal a novel type of electroplastic effect associated with the generation of dislocations. Эксперименты по локальному высокоинтенсивному воздействию импульсом электрического тока на механические свойства нитевидных кристаллов Si позволили обнаружить новую разновидность электропластического эффекта, связанного с зарождением дислокаций. Експерименти з локального високоінтєнсивного впливу імпульсом електричного струму на механічні властивості ниткоподібного кристалу кремнію дозволили виявити новий різновид електропластичного ефекту, пов’язаного з зародженням дислокацій.
ISSN:1027-5495