Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals
In filamentary germanium crystals previously strained by torsion, the shape and structure return associated with reverse motion of screw dislocations towards the sources thereof have been revealed under action of thermal field and elastic one generated only by a constant uniaxial tensile loading. A...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | Ermakov, A.P., Drozhzhin, A.I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139569 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals / A.P. Ermakov, A.I. Drozhzhin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 751-754. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Impact of germanium sublayer on percolation process in palladium thin films
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2012)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Relaxation of defect structure in ultrasonic wave field and acoustic emission in LiF single crystals
за авторством: Kravtsov, M.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kravtsov, M.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Effect of interaction in systems ytterbium chalcospinel—germanium on properties of thin-film coatings
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2017)
High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Subcooling during crystallization of a Ge-Au eutectic on an amorphous germanium substrate
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Influence of Sublayers of Germanium on a Threshold of Percolation of a Current in Thin Films of Copper
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of Surfactant Germanium Sublayers of the Subatomic Thickness on the Structure and the Low-Temperature Thermo-EMF of Gold and Copper Ultra-Thin Films
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Effect of Colour Noise on Relaxation Time in Tunnel Double-Barrier Nanostructures
за авторством: V. N. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. N. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2011)
Spin-spin relaxation in magnetically dilute crystals
за авторством: F. S. Dzheparov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. S. Dzheparov, та інші
Опубліковано: (2015)
Longitudinal relaxation of mechanically free KH₂PO₄ type crystals. Piezoelectric resonance and sound attenuation
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2008)
New features of pressure relaxation in nonequilibrium helium crystals
за авторством: A. P. Birchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. P. Birchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of germanium sublayers on the structure of gold films with nanometer thickness
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2015)
Relaxation of static photoelasticity in lead germanate crystals
за авторством: N. M. Demianyshyn
Опубліковано: (2015)
за авторством: N. M. Demianyshyn
Опубліковано: (2015)
Relaxation of static photoelasticity in lead germanate crystals
за авторством: N. M. Demyanyshyn
Опубліковано: (2015)
за авторством: N. M. Demyanyshyn
Опубліковано: (2015)
Photostimulated etching of germanium chalcogenide films
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)
Photostimulated etching of germanium chalcogenide films
за авторством: Dan’ko, V.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dan’ko, V.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of magnetic field on microhardness of germanium
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Pressure relaxation and diffusion of vacancies in rapidly grown helium crystals
за авторством: A. P. Birchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. P. Birchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
The process of accumulation of germanium in the coal of Ukraine
за авторством: A. F. Bulat, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. F. Bulat, та інші
Опубліковано: (2021)
Longitudinal relaxation of mechanically clamped KH₂PO₄ type crystals
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
за авторством: Konieczny, K.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Konieczny, K.
Опубліковано: (1999)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of Germanium as a Depressant on the Structure and Intervals of Melting of Palladium Alloys
за авторством: S. V. Maksimova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Maksimova, та інші
Опубліковано: (2015)
Microscopic description of relaxation of impurity magnetic atoms in spiral magnetics
за авторством: Ivashin, A.P.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ivashin, A.P.
Опубліковано: (2001)
Dipole relaxation, dielectric and electric properties of PbWO₄ crystals
за авторством: Shevchuk, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shevchuk, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)
The relaxation of magnetomechanical effect in silicon crystals under cyclic magnetic treatment
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
Synthesis and X-ray structural investigation of germanium(IV) nickel(II) hydroxyethylidenediphosphonate
за авторством: E. E. Martsinko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. E. Martsinko, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004) -
Impact of germanium sublayer on percolation process in palladium thin films
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2012) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016) -
Relaxation of defect structure in ultrasonic wave field and acoustic emission in LiF single crystals
за авторством: Kravtsov, M.V., та інші
Опубліковано: (2004)