Dielectric inhomogeneities in CdZnTe crystals

• Veröffentlicht in: Functional Materials
• Datum: 2006
• Hauptverfasser: Gerasimenko, A.S., Komar, V.K., Migal, V.P., Sulima, S.V., Phomin, A.S.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139613
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Dielectric inhomogeneities in CdZnTe crystals / A.S. Gerasimenko, V.K. Komar, V.P. Migal, S.V. Sulima, A.S. Phomin // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 74-76. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

It has been shown that the character of CdZnTe crуstal dielectric constant dependence on coordinate (that can be revealed bу considering the dε'/dx = f(x) function) maу be defined not onlу bу the distribution of structure inhomogeneities but also bу directions of field gradients generated bу the inhomogeneities. Тo characterize the defect formation processes in the samples prepared from radial and axial ingot sections, the dε'/dx = f(ε') diagrams have been proposed. Показано, что характер зависимости диэлектрической проницаемости кристаллов CdZnTe от координаты, выявляемый посредством анализа зависимости dε'/dx = f(x), может быть связан не только с распределением структурных неоднородностей, но и с направлением создаваемых ими градиентов полей. Для характеристики процессов дефектообразования в образцах, изготовленных из радиальных и осевых срезов були, предложены диаграммы dε'/dx = f(ε'). Показано, що характер залежностi дiелектричної проникностi кристалiв CdZnTe вiд координати, що виявляється за допомогою аналiзу залежностi dε'/dx = f(x), може бути пов'язаний не тiльки з розподiлом структурних неоднорiдностей, але i з напрямком створюваних ними градiєнтiв полiв. Для характеристики процесiв дефектоутворення в зразках, виготовлених з радiальних i осьових зрiзiв булi, запропоновано дiаграми dε'/dx = f(ε').