Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation
Using the scanning electron microscopy and optical metallography, the formation and redistribution of structural defects in the near-contact silicon layer of thermally untreated Al-n-Si structures resulting from thermoelastic stresses developed under pulse laser irradiation have been investigated ex...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139698 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation / G.I. Vorobets, M.M. Vorobets, A.P. Fedorenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 107-113. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862699662970978304 |
|---|---|
| author | Vorobets, G.I. Vorobets, M.M. Fedorenko, A.P. |
| author_facet | Vorobets, G.I. Vorobets, M.M. Fedorenko, A.P. |
| citation_txt | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation / G.I. Vorobets, M.M. Vorobets, A.P. Fedorenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 107-113. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Using the scanning electron microscopy and optical metallography, the formation and redistribution of structural defects in the near-contact silicon layer of thermally untreated Al-n-Si structures resulting from thermoelastic stresses developed under pulse laser irradiation have been investigated experimentally. A structurized transition layer has been found to be formed at the metal/semiconductor interface at relaxation of elastic stresses in the metal layer. To explain the behavior features of the defect systems at the periphery of Schottky diodes under irradiation of Al-n-Si structures through a silicon optical window, a physical model of the laser radiation effect on the metal/semiconductor contact has been proposed taking into account temperature dependence of the radiation absorption coefficient in the semiconductor.
Методами растровой электронной микроскопии и оптической металлографии экспериментально исследовано процессы формирования и перераспределения структурных дефектов в приконтактном слое кремния термически неотожженных структур AI—п— Si вследствие проявления термоупругих напряжений при импульсном лазерном облучении. Обнаружено формирование структурированного переходного слоя на границе металл-полупроводник при релаксации упругих напряжений в металлизации. Для объяснения особенностей поведения систем дефектов по периметру диодов Шоттки при облучении структур AI-п-Si через кремниевое оптическое окно предложена физическая модель воздействия лазерного излучения на контакт металл-полупроводник, учитывающая температурную зависимость коэффициента поглощения излучения в полупроводнике.
Методами растрової електронної мікроскопії та оптичної металографії експериментально досліджено процеси формування та перерозподілу структурних дефектів у при-контактному шарі кремнію термічно невідпалених структур Al-n-Si внаслідок прояву термопружних напруг при імпульсному лазерному опроміненні. Виявлено формування структурованого перехідного шару на межі метал-напівпровідник при релаксації пружних напруг у металізації. Для пояснення особливостей поведінки систем дефектів на периметрі діодів Шотткі при опроміненні структур через кремнієве оптичне вікно запропоновано фізичну модель впливу лазерного проміння на контакт метал-напівпровідник, яка враховує температурну залежність коефіцієнта поглинання випромінювання у напівпровіднику.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:36:06Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139698 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:36:06Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Vorobets, G.I. Vorobets, M.M. Fedorenko, A.P. 2018-06-21T09:05:35Z 2018-06-21T09:05:35Z 2005 Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation / G.I. Vorobets, M.M. Vorobets, A.P. Fedorenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 107-113. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139698 Using the scanning electron microscopy and optical metallography, the formation and redistribution of structural defects in the near-contact silicon layer of thermally untreated Al-n-Si structures resulting from thermoelastic stresses developed under pulse laser irradiation have been investigated experimentally. A structurized transition layer has been found to be formed at the metal/semiconductor interface at relaxation of elastic stresses in the metal layer. To explain the behavior features of the defect systems at the periphery of Schottky diodes under irradiation of Al-n-Si structures through a silicon optical window, a physical model of the laser radiation effect on the metal/semiconductor contact has been proposed taking into account temperature dependence of the radiation absorption coefficient in the semiconductor. Методами растровой электронной микроскопии и оптической металлографии экспериментально исследовано процессы формирования и перераспределения структурных дефектов в приконтактном слое кремния термически неотожженных структур AI—п— Si вследствие проявления термоупругих напряжений при импульсном лазерном облучении. Обнаружено формирование структурированного переходного слоя на границе металл-полупроводник при релаксации упругих напряжений в металлизации. Для объяснения особенностей поведения систем дефектов по периметру диодов Шоттки при облучении структур AI-п-Si через кремниевое оптическое окно предложена физическая модель воздействия лазерного излучения на контакт металл-полупроводник, учитывающая температурную зависимость коэффициента поглощения излучения в полупроводнике. Методами растрової електронної мікроскопії та оптичної металографії експериментально досліджено процеси формування та перерозподілу структурних дефектів у при-контактному шарі кремнію термічно невідпалених структур Al-n-Si внаслідок прояву термопружних напруг при імпульсному лазерному опроміненні. Виявлено формування структурованого перехідного шару на межі метал-напівпровідник при релаксації пружних напруг у металізації. Для пояснення особливостей поведінки систем дефектів на периметрі діодів Шотткі при опроміненні структур через кремнієве оптичне вікно запропоновано фізичну модель впливу лазерного проміння на контакт метал-напівпровідник, яка враховує температурну залежність коефіцієнта поглинання випромінювання у напівпровіднику. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation Термопружні взаємодії в структурах Al-n-Si-Ni при імпульсному лазерному опроміненні Article published earlier |
| spellingShingle | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation Vorobets, G.I. Vorobets, M.M. Fedorenko, A.P. |
| title | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation |
| title_alt | Термопружні взаємодії в структурах Al-n-Si-Ni при імпульсному лазерному опроміненні |
| title_full | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation |
| title_fullStr | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation |
| title_full_unstemmed | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation |
| title_short | Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation |
| title_sort | thermoelastic interactions in al-n-si-ni structures at pulse laser irradiation |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139698 |
| work_keys_str_mv | AT vorobetsgi thermoelasticinteractionsinalnsinistructuresatpulselaserirradiation AT vorobetsmm thermoelasticinteractionsinalnsinistructuresatpulselaserirradiation AT fedorenkoap thermoelasticinteractionsinalnsinistructuresatpulselaserirradiation AT vorobetsgi termopružnívzaêmodíívstrukturahalnsinipriímpulʹsnomulazernomuopromínenní AT vorobetsmm termopružnívzaêmodíívstrukturahalnsinipriímpulʹsnomulazernomuopromínenní AT fedorenkoap termopružnívzaêmodíívstrukturahalnsinipriímpulʹsnomulazernomuopromínenní |