Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment

• Опубліковано в: : Functional Materials
• Дата: 2005
• Автори: Makara, V.A., Vakulenko, O.V., Shevchenko, V.B., Dacenko, O.I.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139708
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initial luminescence quantum yield. The results are explained by the PS structure modification during the etching and oxidation of the samples. С помощью спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) и ИК поглощения исследовались изменения, происходящие в процессе старения травленных в HF образцов пористого кремния (ПК). Поведение ФЛ травленных образцов зависит от длительности предварительного экспонирования ПК на воздухе после анодирования и, соответствено, начального квантового выхода люминесценции. Полученные результаты объясняются модификацией структуры ПК в процессе травления и окисления образцов. За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджувалися зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ зразків, що травилися, залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування і, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Отримані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення та окислення зразків.