Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initia...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139708 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862738576232415232 |
|---|---|
| author | Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I. |
| author_facet | Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I. |
| citation_txt | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initial luminescence quantum yield. The results are explained by the PS structure modification during the etching and oxidation of the samples.
С помощью спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) и ИК поглощения исследовались изменения, происходящие в процессе старения травленных в HF образцов пористого кремния (ПК). Поведение ФЛ травленных образцов зависит от длительности предварительного экспонирования ПК на воздухе после анодирования и, соответствено, начального квантового выхода люминесценции. Полученные результаты объясняются модификацией структуры ПК в процессе травления и окисления образцов.
За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджувалися зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ зразків, що травилися, залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування і, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Отримані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення та окислення зразків.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:04:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139708 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T20:04:39Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I. 2018-06-21T09:16:43Z 2018-06-21T09:16:43Z 2005 Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139708 The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initial luminescence quantum yield. The results are explained by the PS structure modification during the etching and oxidation of the samples. С помощью спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) и ИК поглощения исследовались изменения, происходящие в процессе старения травленных в HF образцов пористого кремния (ПК). Поведение ФЛ травленных образцов зависит от длительности предварительного экспонирования ПК на воздухе после анодирования и, соответствено, начального квантового выхода люминесценции. Полученные результаты объясняются модификацией структуры ПК в процессе травления и окисления образцов. За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджувалися зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ зразків, що травилися, залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування і, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Отримані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення та окислення зразків. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment Післяанодне формування люмінесцентних шарів поруватого кремнію в умовах атмосферного оточення Article published earlier |
| spellingShingle | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I. |
| title | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment |
| title_alt | Післяанодне формування люмінесцентних шарів поруватого кремнію в умовах атмосферного оточення |
| title_full | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment |
| title_fullStr | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment |
| title_full_unstemmed | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment |
| title_short | Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment |
| title_sort | post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139708 |
| work_keys_str_mv | AT makarava postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT vakulenkoov postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT shevchenkovb postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT dacenkooi postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT makarava píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ AT vakulenkoov píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ AT shevchenkovb píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ AT dacenkooi píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ |