Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment

The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initia...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2005
Автори:	Makara, V.A., Vakulenko, O.V., Shevchenko, V.B., Dacenko, O.I.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139708
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139708
record_format	dspace
spelling	Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I. 2018-06-21T09:16:43Z 2018-06-21T09:16:43Z 2005 Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139708 The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initial luminescence quantum yield. The results are explained by the PS structure modification during the etching and oxidation of the samples. С помощью спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) и ИК поглощения исследовались изменения, происходящие в процессе старения травленных в HF образцов пористого кремния (ПК). Поведение ФЛ травленных образцов зависит от длительности предварительного экспонирования ПК на воздухе после анодирования и, соответствено, начального квантового выхода люминесценции. Полученные результаты объясняются модификацией структуры ПК в процессе травления и окисления образцов. За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджувалися зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ зразків, що травилися, залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування і, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Отримані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення та окислення зразків. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment Післяанодне формування люмінесцентних шарів поруватого кремнію в умовах атмосферного оточення Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
spellingShingle	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I.
title_short	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_full	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_fullStr	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_full_unstemmed	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
title_sort	post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
author	Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I.
author_facet	Makara, V.A. Vakulenko, O.V. Shevchenko, V.B. Dacenko, O.I.
publishDate	2005
language	English
container_title	Functional Materials
publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format	Article
title_alt	Післяанодне формування люмінесцентних шарів поруватого кремнію в умовах атмосферного оточення
description	The changes occuring in HF pre-etched porous silicon (PS) samples during aging are studied by measurement of photoluminescence (PL) and IR transmission spectra. The PL behavior of the etched sample is found to depend on the time of PS pre-exposure to the air after anodizing and, hence, on the initial luminescence quantum yield. The results are explained by the PS structure modification during the etching and oxidation of the samples. С помощью спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) и ИК поглощения исследовались изменения, происходящие в процессе старения травленных в HF образцов пористого кремния (ПК). Поведение ФЛ травленных образцов зависит от длительности предварительного экспонирования ПК на воздухе после анодирования и, соответствено, начального квантового выхода люминесценции. Полученные результаты объясняются модификацией структуры ПК в процессе травления и окисления образцов. За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджувалися зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ зразків, що травилися, залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування і, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Отримані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення та окислення зразків.
issn	1027-5495
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139708
citation_txt	Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment / V.A. Makara, O.V. Vakulenko, V.B. Shevchenko, O.I. Dacenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 78-82. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
work_keys_str_mv	AT makarava postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT vakulenkoov postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT shevchenkovb postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT dacenkooi postanodicformationofluminescentporoussiliconlayersinatmosphericenvironment AT makarava píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ AT vakulenkoov píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ AT shevchenkovb píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ AT dacenkooi píslâanodneformuvannâlûmínescentnihšarívporuvatogokremníûvumovahatmosfernogootočennâ
first_indexed	2025-12-07T20:04:39Z
last_indexed	2025-12-07T20:04:39Z
_version_	1850881217367375872

Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment

Репозитарії

Схожі ресурси