Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals
To study the optically induced transformation of the point defect system under strong ans weak excitation from the intrinsic absorption hv > Eg, photoelectric and electric properties of semiconductor solid solutions С₁-хМnхТе (x = 0.08 + 0.1) have been studied at
 78 and 300 K. It has bee...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139722 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals / R.K. Savkina, F.F. Sizov, A.B. Smirnov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 11-16. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547528925315072 |
|---|---|
| author | Savkina, R.K. Sizov, F.F. Smirnov, A.B. |
| author_facet | Savkina, R.K. Sizov, F.F. Smirnov, A.B. |
| citation_txt | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals / R.K. Savkina, F.F. Sizov, A.B. Smirnov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 11-16. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | To study the optically induced transformation of the point defect system under strong ans weak excitation from the intrinsic absorption hv > Eg, photoelectric and electric properties of semiconductor solid solutions С₁-хМnхТе (x = 0.08 + 0.1) have been studied at
78 and 300 K. It has been found that the weak optical excitation (hv - 2 eV) under simultaneous fast chilling down to 78 К results in a dramatic drop of the photocurrent and increase of the crystal dark resistance by more than a decimal order. The crystal photosensitivity is recovered in part by ultrasonic annealing or after a prolonged exposure at room temperature. A possible mechanism of that effect is discussed associated with the photoinduced ionization of manganese ions. The pulse laser irradiation ( λ = 694 nm,
τl = 20 ns) at an under-threshold power results in photosensitization of the Cd₁-хMnxTe crystals not only in the irradiation zone but also in the control region.
С целью исследования оптически индуцированной трансформации системы точечных дефектов в условиях сильного и слабого возбуждения из области собственного поглощения hv > Eg изучались фотоэлектрические и электрические свойства полупроводниковых твердых растворов С₁-хМnхТе (х = 0.080 + 0.1) при Т = 78 К и Т = 300 К.

Было обнаружено, что в результате слабого оптического возбуждения (hv ~ 2 эВ) при одновременном быстром охлаждении до Г = 78 К происходит катастрофическое падение фототока и рост темнового сопротивления кристаллов более чем на порядок. Фоточувствительность кристаллов частично восстанавливалась в результате ультразвукового отжига или после длительной выдержки при комнатной температуре. Обсуждается возможный механизм наблюдаемого эффекта, связанный с фотоионизацией ионов марганца. Обработка импульсным лазерным излучением (λ = 694 nm, τl = 20 ns) допороговой мощности приводила к фотоочувствлению кристаллов Cd₁-хMnxTe не только в зоне облучения, но и в контрольной области образцов.
З метою дослідження оптично індукованої трансформації системи точкових дефектів в умовах сильного і слабкого збудження з області власного поглинання hv > Eg вивчалися фотоелектричні та електричні властивості напівпровідникових твердих розчинів С₁-хМnхТе (х = 0.08 + 0.1) при Т = 78 К і Т = 300 К. Виявлено, що в результаті слабкого оптичного збудження (hv - 2 eV) при одночасному швидкому охолодженні до Т = 78 К відбувається катастрофічне падіння фототока, а темповий опір кристалів підвищується більш ніж на порядок. Фоточутливість кристалів частково відновлювалася в результаті ультразвукового відпалу або після тривалої витримки при кімнатній температурі. Обговорюється можливий механізм ефекту, що спостерігається, пов’язаний із фотоіонізацією іонів марганцю. Обробка імпульсним лазерним випромінюванням (λ = 694 нм, тl = 20 ns) допорогової потужності приводила до росту фоточут-ливості кристалів Cd₁-хMnxTe не тільки в зоні опромінення, але й у контрольній області зразків.
|
| first_indexed | 2025-11-25T15:58:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139722 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-25T15:58:27Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Savkina, R.K. Sizov, F.F. Smirnov, A.B. 2018-06-21T09:29:35Z 2018-06-21T09:29:35Z 2005 Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals / R.K. Savkina, F.F. Sizov, A.B. Smirnov // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 11-16. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139722 To study the optically induced transformation of the point defect system under strong ans weak excitation from the intrinsic absorption hv > Eg, photoelectric and electric properties of semiconductor solid solutions С₁-хМnхТе (x = 0.08 + 0.1) have been studied at
 78 and 300 K. It has been found that the weak optical excitation (hv - 2 eV) under simultaneous fast chilling down to 78 К results in a dramatic drop of the photocurrent and increase of the crystal dark resistance by more than a decimal order. The crystal photosensitivity is recovered in part by ultrasonic annealing or after a prolonged exposure at room temperature. A possible mechanism of that effect is discussed associated with the photoinduced ionization of manganese ions. The pulse laser irradiation ( λ = 694 nm,
 τl = 20 ns) at an under-threshold power results in photosensitization of the Cd₁-хMnxTe crystals not only in the irradiation zone but also in the control region. С целью исследования оптически индуцированной трансформации системы точечных дефектов в условиях сильного и слабого возбуждения из области собственного поглощения hv > Eg изучались фотоэлектрические и электрические свойства полупроводниковых твердых растворов С₁-хМnхТе (х = 0.080 + 0.1) при Т = 78 К и Т = 300 К.
 
 Было обнаружено, что в результате слабого оптического возбуждения (hv ~ 2 эВ) при одновременном быстром охлаждении до Г = 78 К происходит катастрофическое падение фототока и рост темнового сопротивления кристаллов более чем на порядок. Фоточувствительность кристаллов частично восстанавливалась в результате ультразвукового отжига или после длительной выдержки при комнатной температуре. Обсуждается возможный механизм наблюдаемого эффекта, связанный с фотоионизацией ионов марганца. Обработка импульсным лазерным излучением (λ = 694 nm, τl = 20 ns) допороговой мощности приводила к фотоочувствлению кристаллов Cd₁-хMnxTe не только в зоне облучения, но и в контрольной области образцов. З метою дослідження оптично індукованої трансформації системи точкових дефектів в умовах сильного і слабкого збудження з області власного поглинання hv > Eg вивчалися фотоелектричні та електричні властивості напівпровідникових твердих розчинів С₁-хМnхТе (х = 0.08 + 0.1) при Т = 78 К і Т = 300 К. Виявлено, що в результаті слабкого оптичного збудження (hv - 2 eV) при одночасному швидкому охолодженні до Т = 78 К відбувається катастрофічне падіння фототока, а темповий опір кристалів підвищується більш ніж на порядок. Фоточутливість кристалів частково відновлювалася в результаті ультразвукового відпалу або після тривалої витримки при кімнатній температурі. Обговорюється можливий механізм ефекту, що спостерігається, пов’язаний із фотоіонізацією іонів марганцю. Обробка імпульсним лазерним випромінюванням (λ = 694 нм, тl = 20 ns) допорогової потужності приводила до росту фоточут-ливості кристалів Cd₁-хMnxTe не тільки в зоні опромінення, але й у контрольній області зразків. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals Оптично індукована зміна фотоелектричних властивостей кристалів CdMnTe Article published earlier |
| spellingShingle | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals Savkina, R.K. Sizov, F.F. Smirnov, A.B. |
| title | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals |
| title_alt | Оптично індукована зміна фотоелектричних властивостей кристалів CdMnTe |
| title_full | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals |
| title_fullStr | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals |
| title_full_unstemmed | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals |
| title_short | Optically induced change of photoelectric properties of CdMnTe crystals |
| title_sort | optically induced change of photoelectric properties of cdmnte crystals |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139722 |
| work_keys_str_mv | AT savkinark opticallyinducedchangeofphotoelectricpropertiesofcdmntecrystals AT sizovff opticallyinducedchangeofphotoelectricpropertiesofcdmntecrystals AT smirnovab opticallyinducedchangeofphotoelectricpropertiesofcdmntecrystals AT savkinark optičnoíndukovanazmínafotoelektričnihvlastivosteikristalívcdmnte AT sizovff optičnoíndukovanazmínafotoelektričnihvlastivosteikristalívcdmnte AT smirnovab optičnoíndukovanazmínafotoelektričnihvlastivosteikristalívcdmnte |