Nadtochiy, V., Golodenko, N., & Nechvolod, N. (2005). Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer. Functional Materials.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Nadtochiy, V., N. Golodenko, та N. Nechvolod. "Recombination of Non-equilibrium Charge Carriers Injected into Ge Through Intermediate Defective Layer." Functional Materials 2005.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Nadtochiy, V., et al. "Recombination of Non-equilibrium Charge Carriers Injected into Ge Through Intermediate Defective Layer." Functional Materials, 2005.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.