Зображення обкладинки

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer

The recombination of non-equilibrium charge carriers injected into n-Ge sample through an intermediate defect layer has been studied in experiment as well as theoretically. The structure defects were formed by cyclic straining with simultaneous ultrasonic irradiation of the sample at 310 K. Distribu...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2005
Автори:	Nadtochiy, V., Golodenko, N., Nechvolod, N.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139745
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer / V. Nadtochiy, N. Golodenko, N. Nechvolod // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 1. — С. 45-50. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Non-recombination injection mode
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)

Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity
за авторством: Moskal, D., та інші
Опубліковано: (2006)

SPR investigations of the formation of intermediate layer of the immunosensor bioselective element based on the recombinant Staphylococcal protein A
за авторством: A. E. Rachkov, та інші
Опубліковано: (2015)

SPR investigations of the formation of intermediate layer of the immunosensor bioselective element based on the recombinant Staphylococcal protein A
за авторством: Rachkov, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2015)

Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Unipolar injection currents in Bi₄Ge₃O₁₂ crystals
за авторством: Bochkova, T.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode
за авторством: B. V. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2017)

Creation of Evgenia Kononenko is Through Prism of Intermedial
за авторством: I. Khyzhniak
Опубліковано: (2012)

Defect formation in the intermediate layers of YBa₂Cu₃O₇₋δ superconductors depending on oxygen сontents
за авторством: Adonkin, V.T., та інші
Опубліковано: (2002)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Microplasticity of subsurface layers of diamond-like semiconductors under microindentation
за авторством: Nadtochiy, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Calculation of thermal fields in process of joining of aluminum plates through intermediate layers at local heating of joint zone
за авторством: M. V. Kulinich, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2019)

Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2018)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)

Thermodynamically equilibrium point defects in the low-dimensional systems
за авторством: Mamalui, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

On the semigroup of injective transformations with restricted range that equal gap and defect
за авторством: Singha, Boorapa
Опубліковано: (2025)

Theoretical analysis of the kinetics of low-temperature defect recombination in alkali halide crystals
за авторством: V. N. Kuzovkov, та інші
Опубліковано: (2016)