Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity
The method of grids was used to calculate thermoelastic stresses on GaAs surface caused by a non-destructive laser exposure with diffraction spatial intensity modulation from a screen with a rectangular cut-out. The structure of irradiated near-surface layers of samples was studied using optical m...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139940 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity / D. Moskal, V. Nadtochiy, N. Golodenko // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 100-104. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | The method of grids was used to calculate thermoelastic stresses on GaAs surface
caused by a non-destructive laser exposure with diffraction spatial intensity modulation from a screen with a rectangular cut-out. The structure of irradiated near-surface layers of samples was studied using optical method. Periodic insular structures formed due to diffusive redistribution of defects were revealed using the level-by-level chemical etching.
Методом сеток проводился расчет термоупругих напряжений на поверхности GaAs, возникающих при неразрушающем лазерном облучении с дифракционной пространственной модуляцией интенсивности от непрозрачного экрана с прямоугольным вырезом. Оптическим методом исследовалась структура облученных приповерхностных слоев кристаллов. Послойным химическим травлением выявлены периодические островковые структуры, образованные в результате диффузионного перераспределения дефектов.
Методом сiток виконано розрахунок термопружних напружень на поверхнi GaAs, що виникають при неруйнiвному лазерному опромiненнi з дифракцiйною просторовою модуляцiєю iнтенсивностi вiд непрозорого екрана з прямокутним вирiзом. Оптичним методом дослiджувалася структура опромiнених приповерхневих шарiв кристалiв. Пошаровим хiмiчним травленням виявленi перiодичнi острiвцевi структури, що утворенi внаслiдок дифузiйного перерозподiлу дефектiв.
|
|---|---|
| ISSN: | 1027-5495 |