Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
The possibility to obtain a heterosystem consisting of the upper partially strained and lower relaxed layers by gradient in situ doping of SiGe layers with carbon is considered. The properties of the as-grown and annealed (600 to 1000℃) samples have been studied by Raman spectroscopy and atomic forc...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140066 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates / M.Ya. Valakh, D.V. Gamov, V.M. Dzhagan, O.S. Lytvyn, V.P. Melnik, B.M. Romanjuk, V.G. Popov, V.O. Yukhymchuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 79-84. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140066 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Valakh, M.Ya. Gamov, D.V. Dzhagan, V.M. Lytvyn, O.S. Melnik, V.P. Romanjuk, B.M. Popov, V.G. Yukhymchuk, V.O. 2018-06-22T13:20:39Z 2018-06-22T13:20:39Z 2006 Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates / M.Ya. Valakh, D.V. Gamov, V.M. Dzhagan, O.S. Lytvyn, V.P. Melnik, B.M. Romanjuk, V.G. Popov, V.O. Yukhymchuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 79-84. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140066 The possibility to obtain a heterosystem consisting of the upper partially strained and lower relaxed layers by gradient in situ doping of SiGe layers with carbon is considered. The properties of the as-grown and annealed (600 to 1000℃) samples have been studied by Raman spectroscopy and atomic force microscopy. The strain relaxation degree in the as-grown layers as estimated from the Raman spectra amounts 50 % for Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ and 0 % for Si₀.₉-ʸGe₀.₁Сʸ. During the annealing, the strain has been found to be relaxed not homogeneously over the whole structure but in a layer-by-layer way. The segregation of carbon atoms is observed for both types of as-grown Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ layers in the near-substrate regions. Розглянуто можливiсть отримання вiдрелаксованих sige шарiв на кремнiєвiй пiдкладцi, що градiєнтно in situ легувалися вуглецем у процесi епiтаксiї. Використовуючи спектроскопiю комбiнацiйного розсiювання свiтла (КРС) та атомну силову мiкроскопiю, дослiджено властивостi вихiдних зразкiв та зразкiв пiсля термiчних обробок у дiапазонi температур 600-1000℃. Iз спектрiв КРС оцiнено ступiнь пластичної релаксацiї у вихiдному Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ (50 %) та Si₀.₉-yGe₀.₁Сʸ (0 %) шарах. Встановлено, що при вiдпалах релаксацiя напружень вiдбувається не однаково по всьому об'єму, а пошарово. В обох типах Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ шарiв на їх iнтерфейсах з Si пiдкладками вiдбувається сегрегацiя вуглецю. Рассмотрена возможность получения отрелаксированных sige слоев на кремниевой подложке, градиентно in situ легированных углеродом в процессе эпитаксии. Используя спектроскопию комбинационного рассеяния света (КРС) и атомную силовую микроскопию, исследованы свойства исходных образцов и образцов после термических обработок в диапазоне температур 600-1000℃. Из спектров КРС оценена степень пластической релаксации в исходном Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ (50 %) и Si₀.₉-ʸGe₀.₁Сʸ (0 %) слоях. Установлено, что релаксация напряжений при отжигах происходит не однородно по всему объему, а послойно. В обоих типах Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ слоев происходит сегрегация углерода на интерфейсах с Si подложками. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates Релаксація напружень у тонких шарах Si₁-ₓ-yGeₓCy, сформованих на кремнієвих підкладках Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates |
| spellingShingle |
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates Valakh, M.Ya. Gamov, D.V. Dzhagan, V.M. Lytvyn, O.S. Melnik, V.P. Romanjuk, B.M. Popov, V.G. Yukhymchuk, V.O. |
| title_short |
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates |
| title_full |
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates |
| title_fullStr |
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates |
| title_full_unstemmed |
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates |
| title_sort |
strain relaxation in thin si₁-ₓ-ygeₓcy layers on si substrates |
| author |
Valakh, M.Ya. Gamov, D.V. Dzhagan, V.M. Lytvyn, O.S. Melnik, V.P. Romanjuk, B.M. Popov, V.G. Yukhymchuk, V.O. |
| author_facet |
Valakh, M.Ya. Gamov, D.V. Dzhagan, V.M. Lytvyn, O.S. Melnik, V.P. Romanjuk, B.M. Popov, V.G. Yukhymchuk, V.O. |
| publishDate |
2006 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Релаксація напружень у тонких шарах Si₁-ₓ-yGeₓCy, сформованих на кремнієвих підкладках |
| description |
The possibility to obtain a heterosystem consisting of the upper partially strained and lower relaxed layers by gradient in situ doping of SiGe layers with carbon is considered. The properties of the as-grown and annealed (600 to 1000℃) samples have been studied by Raman spectroscopy and atomic force microscopy. The strain relaxation degree in the
as-grown layers as estimated from the Raman spectra amounts 50 % for Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ and 0 % for Si₀.₉-ʸGe₀.₁Сʸ. During the annealing, the strain has been found to be relaxed not homogeneously over the whole structure but in a layer-by-layer way. The segregation of carbon atoms is observed for both types of as-grown Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ layers in the near-substrate regions.
Розглянуто можливiсть отримання вiдрелаксованих sige шарiв на кремнiєвiй пiдкладцi, що градiєнтно in situ легувалися вуглецем у процесi епiтаксiї. Використовуючи спектроскопiю комбiнацiйного розсiювання свiтла (КРС) та атомну силову мiкроскопiю, дослiджено властивостi вихiдних зразкiв та зразкiв пiсля термiчних обробок у дiапазонi температур 600-1000℃. Iз спектрiв КРС оцiнено ступiнь пластичної релаксацiї у вихiдному Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ (50 %) та Si₀.₉-yGe₀.₁Сʸ (0 %) шарах. Встановлено, що при вiдпалах релаксацiя напружень вiдбувається не однаково по всьому об'єму, а пошарово. В обох типах Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ шарiв на їх iнтерфейсах з Si пiдкладками вiдбувається сегрегацiя вуглецю.
Рассмотрена возможность получения отрелаксированных sige слоев на кремниевой подложке, градиентно in situ легированных углеродом в процессе эпитаксии. Используя спектроскопию комбинационного рассеяния света (КРС) и атомную силовую микроскопию, исследованы свойства исходных образцов и образцов после термических обработок в диапазоне температур 600-1000℃. Из спектров КРС оценена степень пластической релаксации в исходном Si₀.₇-ʸGe₀.₃Сʸ (50 %) и Si₀.₉-ʸGe₀.₁Сʸ (0 %) слоях. Установлено, что релаксация напряжений при отжигах происходит не однородно по всему объему, а послойно. В обоих типах Si₁-ₓ-ʸGeₓСʸ слоев происходит сегрегация углерода на интерфейсах с Si подложками.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140066 |
| citation_txt |
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates / M.Ya. Valakh, D.V. Gamov, V.M. Dzhagan, O.S. Lytvyn, V.P. Melnik, B.M. Romanjuk, V.G. Popov, V.O. Yukhymchuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 79-84. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT valakhmya strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT gamovdv strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT dzhaganvm strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT lytvynos strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT melnikvp strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT romanjukbm strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT popovvg strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT yukhymchukvo strainrelaxationinthinsi1xygexcylayersonsisubstrates AT valakhmya relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah AT gamovdv relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah AT dzhaganvm relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah AT lytvynos relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah AT melnikvp relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah AT romanjukbm relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah AT popovvg relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah AT yukhymchukvo relaksacíânapruženʹutonkihšarahsi1xygexcysformovanihnakremníêvihpídkladkah |
| first_indexed |
2025-12-07T13:31:43Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:31:43Z |
| _version_ |
1850856495990702080 |