Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium
The effect of carbon-containing growth medium on the character and formation features of foreign phase inclusions in Тi-sapphire has been studied. The crystals so grown may include both micrometer-sized (2 to 17 µm) and submicrometer-sized (about 100 nm) inclusions. The specifically cut micro...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140067 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium / S.D. Vyshnevskiy, Ye.V. Kryvonosov, L.A. Lytvynov // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 238-244. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140067 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Vyshnevskiy, S.D. Kryvonosov, Ye.V. Lytvynov, L.A. 2018-06-22T13:21:06Z 2018-06-22T13:21:06Z 2006 Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium / S.D. Vyshnevskiy, Ye.V. Kryvonosov, L.A. Lytvynov // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 238-244. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140067 The effect of carbon-containing growth medium on the character and formation features of foreign phase inclusions in Тi-sapphire has been studied. The crystals so grown may include both micrometer-sized (2 to 17 µm) and submicrometer-sized (about 100 nm) inclusions. The specifically cut micrometer-sized inclusions have been shown to be pores. The shape and orientation of submicrometer-sized inclusions in Тi-sapphire have been studied. А formation mechanism has been suggested for submicrometer-sized inclusions containing excess aluminum ant its suboxides. The inclusions are formed in solid phase in the course of phase transition at the crystallization front as a result of the crystal lattice supersaturation with anionic vacancies. Those defects are collapsed under the crystal high-temperature heat treatment due to uniaxial compressive stresses. Исследовано влияние углеродосодержащей среды выращивания на характер и особенности формирования инофазных включений в Тi-сапфире. Установлено, что эти кристаллы могут содержать: микронные (2...17 мкм) и субмикронные (около 100 нм) включения. Показано, что микронные включения, имеющие характерную огранку, являются порами. На основании индикатрис оптического рассеяния исследована форма и ориентация субмикронных включений в Тi-сапфире. Предложен механизм формирования субмикронных включений, содержащих избыточный алюминий и его субокислы. Включения формируются в твёрдой фазе в процессе фазового перехода на фронте кристаллизации как результат пересыщения кристаллической решётки анионными вакансиями. Эти дефекты разрушаются в результате высокотемпературной термообработки кристаллов под действием одноосных сжимающих напряжений. Дослiджено вплив вуглецевого середовища кристалiзацiї на характер i особливостi утворювання iнофазних включень в Тi-сапфiрi. Встановлено, що цi кристали можуть мiстити: мiкроннi (2 17 мкм) i субмiкроннi (менше 70 нм) включення. Показано, що мiкроннi включення є порами i мають характерне ограновування. На пiдставi аналiзу iндiкатрiси оптичного розсiяння дослiджена форма i орiєнтацiя субмiкронних включень в Тi-сапфiрi. 3апропоновано механiзм формування субмiкронних включень, якi є зародками пор i утворюються в твердiй фазi в процесi фазового переходу на фронтi кристалiзацiї як результат пересищення кристалiчної решiтки анiонними вакансiями. Встановлено, що цi дефекти руйнуються в результатi високотемпературної термообробки кристалiв пiд дiєю одноосних стискуючих напруг. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium Інофазні включення в Ti-сапфірі, що вирощено у вуглецевому середовищі Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium |
| spellingShingle |
Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium Vyshnevskiy, S.D. Kryvonosov, Ye.V. Lytvynov, L.A. |
| title_short |
Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium |
| title_full |
Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium |
| title_fullStr |
Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium |
| title_full_unstemmed |
Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium |
| title_sort |
foreign phase inclusions in ti-sapphire grown in a carbon-containing medium |
| author |
Vyshnevskiy, S.D. Kryvonosov, Ye.V. Lytvynov, L.A. |
| author_facet |
Vyshnevskiy, S.D. Kryvonosov, Ye.V. Lytvynov, L.A. |
| publishDate |
2006 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Інофазні включення в Ti-сапфірі, що вирощено у вуглецевому середовищі |
| description |
The effect of carbon-containing growth medium on the character and formation features of foreign phase inclusions in Тi-sapphire has been studied. The crystals so grown may include both micrometer-sized (2 to 17 µm) and submicrometer-sized (about 100 nm) inclusions. The specifically cut micrometer-sized inclusions have been shown to be pores. The shape and orientation of submicrometer-sized inclusions in Тi-sapphire have been studied. А formation mechanism has been suggested for submicrometer-sized inclusions containing excess aluminum ant its suboxides. The inclusions are formed in solid phase in the course of phase transition at the crystallization front as a result of the crystal lattice supersaturation with anionic vacancies. Those defects are collapsed under the crystal high-temperature heat treatment due to uniaxial compressive stresses.
Исследовано влияние углеродосодержащей среды выращивания на характер и особенности формирования инофазных включений в Тi-сапфире. Установлено, что эти кристаллы могут содержать: микронные (2...17 мкм) и субмикронные (около 100 нм) включения. Показано, что микронные включения, имеющие характерную огранку, являются порами. На основании индикатрис оптического рассеяния исследована форма и ориентация субмикронных включений в Тi-сапфире. Предложен механизм формирования субмикронных включений, содержащих избыточный алюминий и его субокислы. Включения формируются в твёрдой фазе в процессе фазового перехода на фронте кристаллизации как результат пересыщения кристаллической решётки анионными вакансиями. Эти дефекты разрушаются в результате высокотемпературной термообработки кристаллов под действием одноосных сжимающих напряжений.
Дослiджено вплив вуглецевого середовища кристалiзацiї на характер i особливостi утворювання iнофазних включень в Тi-сапфiрi. Встановлено, що цi кристали можуть мiстити: мiкроннi (2 17 мкм) i субмiкроннi (менше 70 нм) включення. Показано, що мiкроннi включення є порами i мають характерне ограновування. На пiдставi аналiзу iндiкатрiси оптичного розсiяння дослiджена форма i орiєнтацiя субмiкронних включень в Тi-сапфiрi. 3апропоновано механiзм формування субмiкронних включень, якi є зародками пор i утворюються в твердiй фазi в процесi фазового переходу на фронтi кристалiзацiї як результат пересищення кристалiчної решiтки анiонними вакансiями. Встановлено, що цi дефекти руйнуються в результатi високотемпературної термообробки кристалiв пiд дiєю одноосних стискуючих напруг.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140067 |
| citation_txt |
Foreign phase inclusions in Ti-sapphire grown in a carbon-containing medium / S.D. Vyshnevskiy, Ye.V. Kryvonosov, L.A. Lytvynov // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 238-244. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT vyshnevskiysd foreignphaseinclusionsintisapphiregrowninacarboncontainingmedium AT kryvonosovyev foreignphaseinclusionsintisapphiregrowninacarboncontainingmedium AT lytvynovla foreignphaseinclusionsintisapphiregrowninacarboncontainingmedium AT vyshnevskiysd ínofaznívklûčennâvtisapfíríŝoviroŝenouvuglecevomuseredoviŝí AT kryvonosovyev ínofaznívklûčennâvtisapfíríŝoviroŝenouvuglecevomuseredoviŝí AT lytvynovla ínofaznívklûčennâvtisapfíríŝoviroŝenouvuglecevomuseredoviŝí |
| first_indexed |
2025-12-07T18:58:42Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:58:42Z |
| _version_ |
1850877068363956224 |