Зображення обкладинки

Electrically induced spectral and spatial instabilities of photoresponse CdZnTe crystals

The features of I = f(λ) and I = f(x) dependences in Cd₁-ₓZnₓТе crystals containing a variety of two-dimensional structural defects, which become manifested under simultaneous action of biasing and modulating fields, have been exposed and explored. Basing on comparison of spectral and coordinate...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2006
Автори:	Mygal, V.P., Phomin, A.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140075
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electrically induced spectral and spatial instabilities of photoresponse CdZnTe crystals / V.P. Mygal, A.S. Phomin // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 234-237. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Dielectric inhomogeneities in CdZnTe crystals
за авторством: Gerasimenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)

Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)

CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)

Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Individuality of photoresponse dynamics of semiconductor sensors
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
за авторством: Леонов, С.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Колімований гамма-спектрометр на основі CdZnTe-детектора
за авторством: Батій, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Experimental model of multidetector device based on CdZnTe detectors
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)

Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины
за авторством: Грибанов, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)

Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: Orletskyi, I. G., та інші
Опубліковано: (2019)

Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014)

Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)

Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2019)

nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Geometrization of the temporal photoresponse from the semiconductor sensor materials
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Дозиметрические характеристики детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе (CdZnTe)
за авторством: Рыбка, А.В., та інші
Опубліковано: (2000)

Приборы на основе CdTe и CdZnTe для технологического контроля и мониторинга радиационной обстановки на АЭС
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2006)

CdZnTe- and TlBr-detectors response simulation for registration of the mixed beta- and gamma-radiation
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Reconstruction of energy dependence of the sensitivity of CdZnTe- and TlBr-detectors through the restricted data
за авторством: Skrypnyk, A.I.
Опубліковано: (2014)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2004)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2005)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)

Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
за авторством: Абашин, С.Л., та інші
Опубліковано: (2010)