Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier conce...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140079 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. 2018-06-22T13:51:38Z 2018-06-22T13:51:38Z 2006 Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079 А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier concentration and mobility have been determined. It is shown that the novel material has more perfect crystal structure as compared to HgCdTe. The obtained data allow announcing this material as an alternative one for manufacturing effective infrared detectors operating in the 3-5 µm and 8-14 µm spectral ranges. Представлено результати дослiдження нового твердого розчину HgCdMnZnTe 3 вмiстом марганцю та цинку до 5 %. Проведенi дослiдження механiчних властивостей цих кристалiв та гальваномагнiтнi вимiрювання, а також зроблений їx рентгеноструктурний аналiз. Визначено ширину забороненої зони, концентрацiю та рухливiсть власних носiїв струму. Показано, що новий матерiал має бiльш досконалу кристалiчну структуру у порiвняннi 3 HgCdMnZnTe. Отриманi данi ДозволяютЬ зробити висновок про те, що даний матерiал може бути розглянутий як альтернативний при створеннi ефективних фотоприймачiв, що працюють у 3-5 мкм та 8-14 мкм спектральних дiапазонах. Представлены результаты исследования нового полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe с содержанием марганца и цинка До 5 %. Проведены исследования механических свойств и гальваномагнитные измерения этих кристаллов, а также проведен их рентгеноструктурный анализ. Определены основные электрофизические параметры, такие как ширина запрещенной зоны, концентрация и подвижность собственных носителей заряда. Показано, что новый материал имеет более совершенную кристаллическую структуру по сравнению с HgCdTe. Полученные данные позволяют сделать вывод о том, что данный материал может рассматриваться как альтернативный при создании эффективных фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals Деякі характеристики напівпровідникового твердого розчину кристалів HgCdMnZnTe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| spellingShingle |
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. |
| title_short |
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_full |
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_fullStr |
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_full_unstemmed |
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_sort |
some characteristics of semiconductor hgcdmnznte solid solution crystals |
| author |
Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. |
| author_facet |
Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. |
| publishDate |
2006 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Деякі характеристики напівпровідникового твердого розчину кристалів HgCdMnZnTe |
| description |
А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier concentration and mobility have been determined. It is shown that the novel material has more perfect crystal structure as compared to HgCdTe. The obtained data allow announcing this material as an alternative one for manufacturing effective infrared detectors operating in the 3-5 µm and 8-14 µm spectral ranges.
Представлено результати дослiдження нового твердого розчину HgCdMnZnTe 3 вмiстом марганцю та цинку до 5 %. Проведенi дослiдження механiчних властивостей цих кристалiв та гальваномагнiтнi вимiрювання, а також зроблений їx рентгеноструктурний аналiз. Визначено ширину забороненої зони, концентрацiю та рухливiсть власних носiїв струму. Показано, що новий матерiал має бiльш досконалу кристалiчну структуру у порiвняннi 3 HgCdMnZnTe. Отриманi данi ДозволяютЬ зробити висновок про те, що даний матерiал може бути розглянутий як альтернативний при створеннi ефективних фотоприймачiв, що працюють у 3-5 мкм та 8-14 мкм спектральних дiапазонах.
Представлены результаты исследования нового полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe с содержанием марганца и цинка До 5 %. Проведены исследования механических свойств и гальваномагнитные измерения этих кристаллов, а также проведен их рентгеноструктурный анализ. Определены основные электрофизические параметры, такие как ширина запрещенной зоны, концентрация и подвижность собственных носителей заряда. Показано, что новый материал имеет более совершенную кристаллическую структуру по сравнению с HgCdTe. Полученные данные позволяют сделать вывод о том, что данный материал может рассматриваться как альтернативный при создании эффективных фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079 |
| citation_txt |
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT popenkon somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT ivanchenkoi somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT brovenkoi somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT zhigalova somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT karelins somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT gorbatyuki somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT ostapovs somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT dremlyuzhenkos somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT rarenkoi somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT zaplitnyir somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT fodchuki somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT deibukvg somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT popenkon deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT ivanchenkoi deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT brovenkoi deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT zhigalova deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT karelins deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT gorbatyuki deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT ostapovs deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT dremlyuzhenkos deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT rarenkoi deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT zaplitnyir deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT fodchuki deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT deibukvg deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte |
| first_indexed |
2025-12-07T15:30:51Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:30:51Z |
| _version_ |
1850863991448928256 |