Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier conce...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , , , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862670115548430336 |
|---|---|
| author | Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. |
| author_facet | Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. |
| citation_txt | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier concentration and mobility have been determined. It is shown that the novel material has more perfect crystal structure as compared to HgCdTe. The obtained data allow announcing this material as an alternative one for manufacturing effective infrared detectors operating in the 3-5 µm and 8-14 µm spectral ranges.
Представлено результати дослiдження нового твердого розчину HgCdMnZnTe 3 вмiстом марганцю та цинку до 5 %. Проведенi дослiдження механiчних властивостей цих кристалiв та гальваномагнiтнi вимiрювання, а також зроблений їx рентгеноструктурний аналiз. Визначено ширину забороненої зони, концентрацiю та рухливiсть власних носiїв струму. Показано, що новий матерiал має бiльш досконалу кристалiчну структуру у порiвняннi 3 HgCdMnZnTe. Отриманi данi ДозволяютЬ зробити висновок про те, що даний матерiал може бути розглянутий як альтернативний при створеннi ефективних фотоприймачiв, що працюють у 3-5 мкм та 8-14 мкм спектральних дiапазонах.
Представлены результаты исследования нового полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe с содержанием марганца и цинка До 5 %. Проведены исследования механических свойств и гальваномагнитные измерения этих кристаллов, а также проведен их рентгеноструктурный анализ. Определены основные электрофизические параметры, такие как ширина запрещенной зоны, концентрация и подвижность собственных носителей заряда. Показано, что новый материал имеет более совершенную кристаллическую структуру по сравнению с HgCdTe. Полученные данные позволяют сделать вывод о том, что данный материал может рассматриваться как альтернативный при создании эффективных фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:30:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140079 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T15:30:51Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. 2018-06-22T13:51:38Z 2018-06-22T13:51:38Z 2006 Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079 А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier concentration and mobility have been determined. It is shown that the novel material has more perfect crystal structure as compared to HgCdTe. The obtained data allow announcing this material as an alternative one for manufacturing effective infrared detectors operating in the 3-5 µm and 8-14 µm spectral ranges. Представлено результати дослiдження нового твердого розчину HgCdMnZnTe 3 вмiстом марганцю та цинку до 5 %. Проведенi дослiдження механiчних властивостей цих кристалiв та гальваномагнiтнi вимiрювання, а також зроблений їx рентгеноструктурний аналiз. Визначено ширину забороненої зони, концентрацiю та рухливiсть власних носiїв струму. Показано, що новий матерiал має бiльш досконалу кристалiчну структуру у порiвняннi 3 HgCdMnZnTe. Отриманi данi ДозволяютЬ зробити висновок про те, що даний матерiал може бути розглянутий як альтернативний при створеннi ефективних фотоприймачiв, що працюють у 3-5 мкм та 8-14 мкм спектральних дiапазонах. Представлены результаты исследования нового полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe с содержанием марганца и цинка До 5 %. Проведены исследования механических свойств и гальваномагнитные измерения этих кристаллов, а также проведен их рентгеноструктурный анализ. Определены основные электрофизические параметры, такие как ширина запрещенной зоны, концентрация и подвижность собственных носителей заряда. Показано, что новый материал имеет более совершенную кристаллическую структуру по сравнению с HgCdTe. Полученные данные позволяют сделать вывод о том, что данный материал может рассматриваться как альтернативный при создании эффективных фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals Деякі характеристики напівпровідникового твердого розчину кристалів HgCdMnZnTe Article published earlier |
| spellingShingle | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals Popenko, N. Ivanchenko, I. Brovenko, I. Zhigalov, A. Karelin, S. Gorbatyuk, I. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, S. Rarenko, I. Zaplitnyi, R. Fodchuk, I. Deibuk, V.G. |
| title | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_alt | Деякі характеристики напівпровідникового твердого розчину кристалів HgCdMnZnTe |
| title_full | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_fullStr | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_full_unstemmed | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_short | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals |
| title_sort | some characteristics of semiconductor hgcdmnznte solid solution crystals |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079 |
| work_keys_str_mv | AT popenkon somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT ivanchenkoi somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT brovenkoi somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT zhigalova somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT karelins somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT gorbatyuki somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT ostapovs somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT dremlyuzhenkos somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT rarenkoi somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT zaplitnyir somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT fodchuki somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT deibukvg somecharacteristicsofsemiconductorhgcdmnzntesolidsolutioncrystals AT popenkon deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT ivanchenkoi deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT brovenkoi deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT zhigalova deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT karelins deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT gorbatyuki deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT ostapovs deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT dremlyuzhenkos deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT rarenkoi deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT zaplitnyir deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT fodchuki deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte AT deibukvg deâkíharakteristikinapívprovídnikovogotverdogorozčinukristalívhgcdmnznte |