Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier conce...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |