Зображення обкладинки

Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals

А novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier conce...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2006
Автори:	Popenko, N., Ivanchenko, I., Brovenko, I., Zhigalov, A., Karelin, S., Gorbatyuk, I., Ostapov, S., Dremlyuzhenko, S., Rarenko, I., Zaplitnyi, R., Fodchuk, I., Deibuk, V.G.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)

HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (1998)

Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of the physical properties of multi-component solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method
за авторством: Gorbatyuk, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigation of the effective mass of electrons in solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2006)

Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)

Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)

Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)

Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: B. E. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2018)

Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: Bekirov, B.E., та інші
Опубліковано: (2018)

Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)

Polyassociative thermodynamical model of A₂B₆ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 1. Phase equilibria in initial two-component systems. Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2002)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)

Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)

Automated ESR spectrometer for various applications
за авторством: Ivanchenko, I., та інші
Опубліковано: (2004)

Unstable mixing regions in II-VI quaternary solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-binary structural diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe
за авторством: Венгель, П.Ф., та інші
Опубліковано: (1983)

Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)

Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)

Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 2. Phase equilibria in initial two-component systems. Cd-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Electronic structure and x-ray magnetic circular dichroism in (Ge,Mn)Te diluted magnetic semiconductors
за авторством: Antonov, V.N., та інші
Опубліковано: (2010)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)