Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработа...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140618 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140618 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. 2018-07-12T12:49:29Z 2018-07-12T12:49:29Z 2018 Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.2.03 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140618 538.9 На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10⁻¹ до 10⁴ Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии. Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO₃ із її розплаву у шаруватий монокристал InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO₃>, який може бути використаний для виготовлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури, отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків. The n-InSe<RbNO₃> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO₃ ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO₃> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые компоненты для электронной аппаратуры Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> Фотоконденсатор на основі нанокомпозиту n-InSe<RbNO₃> Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe<RbNO₃> Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| spellingShingle |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| title_short |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_full |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_fullStr |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_full_unstemmed |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_sort |
фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-inse<rbno₃> |
| author |
Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. |
| author_facet |
Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. |
| topic |
Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet |
Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| publishDate |
2018 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Фотоконденсатор на основі нанокомпозиту n-InSe<RbNO₃> Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe<RbNO₃> |
| description |
На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10⁻¹ до 10⁴ Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии.
Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO₃ із її розплаву у шаруватий монокристал InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO₃>, який може бути використаний для виготовлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури, отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків.
The n-InSe<RbNO₃> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO₃ ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO₃> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140618 |
| citation_txt |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT netâgavv fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3 AT vodopʹânovvn fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3 AT ivanovvi fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3 AT tkačukig fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3 AT kovalûkzd fotokondensatornaosnovenanokompozitaninserbno3 AT netâgavv fotokondensatornaosnovínanokompozituninserbno3 AT vodopʹânovvn fotokondensatornaosnovínanokompozituninserbno3 AT ivanovvi fotokondensatornaosnovínanokompozituninserbno3 AT tkačukig fotokondensatornaosnovínanokompozituninserbno3 AT kovalûkzd fotokondensatornaosnovínanokompozituninserbno3 AT netâgavv photocapacitorbasedonnanocompositeninserbno3 AT vodopʹânovvn photocapacitorbasedonnanocompositeninserbno3 AT ivanovvi photocapacitorbasedonnanocompositeninserbno3 AT tkačukig photocapacitorbasedonnanocompositeninserbno3 AT kovalûkzd photocapacitorbasedonnanocompositeninserbno3 |
| first_indexed |
2025-11-25T23:28:40Z |
| last_indexed |
2025-11-25T23:28:40Z |
| _version_ |
1850581362580389888 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 2 3
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËЯ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ISSN 2225-5818
ÓÄÊ 538.9
К. ф.-м. н. В. В. НЕТЯГА, к. ф.-м. н. В. Н. ВОДОПЬЯНОВ, к. ф.-м. н. В. И. ИВАНОВ,
И. Г. ТКАЧУК, д. ф.-м. н. З. Д. КОВАЛЮК
Óêðàèíà, Иíñòèòóò ïðîбëåм мàòåðèàëîâåдåíèÿ èм. И. Н. Фðàíцåâèчà НАН Óêðàèíы, Чåðíîâèцêîå îòдåëåíèå
E-mail: chimsp@ukrpost.ua
ФОÒОÊОНÄЕНСАÒОР НА ОСНОВЕ
НАНОÊОМПОЗИÒА n-InSe<RbNO3>
Изâåñòíыå â íàшå âðåмÿ ãèбðèдíыå ñòðóê-
òóðы [1], â êîòîðыõ èñïîëьзóåòñÿ âîзмîжíîñòь
ãåíåðàцèè íåðàâíîâåñíыõ фîòîíîñèòåëåé â ïî-
ëóïðîâîдíèêå дëÿ зàðÿдêè дâîéíîãî ýëåêòðèчå-
ñêîãî ñëîÿ íà ãðàíèцå мåждó ïîëóïðîâîдíèêîм
è èîííым ïðîâîдíèêîм, ñîздàíы íà îñíîâå êîí-
òàêòà òâåðдîòåëьíîãî ñëîèñòîãî ïîëóïðîâîдíè-
êà ñ жèдêèм ýëåêòðîëèòîм [2—4] èëè ñ òâåðдîé
èîííîé ñîëью [5]. Пðîцåññы, êîòîðыå ïðîèñõî-
дÿò â íèõ ïðè îñâåщåíèè, îбóñëîâëåíы ïðîòå-
êàíèåм òîêà â жèдêîм ýëåêòðîëèòå è â ïîëóïðî-
âîдíèêå. Мåдëåííыé òðàíñïîðò èîíîâ â жèдêîм
ýëåêòðîëèòå îбóñëàâëèâàåò íèзêóю чàñòîòó ïåðå-
зàðÿдêè ýëåêòðèчåñêîãî дâîéíîãî ñëîÿ. Жèдêèé
ýëåêòðîëèò ñîздàåò ñëîжíîñòь ãåðмåòèзàцèè òà-
êèõ ïðèбîðîâ è дåëàåò íåâîзмîжíым èõ èñïîëь-
зîâàíèå â ãèбðèдíыõ òâåðдîòåëьíыõ íàíîýëåê-
òðîííыõ óñòðîéñòâàõ. Пðèíцèï дåéñòâèÿ фîòî-
âàðèêàïîâ, èзâåñòíыõ òâåðдîòåëьíыõ ïîëóïðî-
âîдíèêîâыõ фîòîýëåêòðèчåñêèõ ñòðóêòóð МÄП
(мåòàëë — дèýëåêòðèê — ïîëóïðîâîдíèê), îñíî-
âàí íà èзмåíåíèè åмêîñòè â îбëàñòè ïðîñòðàí-
ñòâåííîãî зàðÿдà ýòèõ бàðьåðíыõ ñòðóêòóð ïðè
èõ îñâåщåíèè [6]. Фîòîчóâñòâèòåëьíîñòь âàðè-
êàïîâ зàâèñèò îò ïîâåðõíîñòíîé ðåêîмбèíàцèè
è ïîâåðõíîñòíыõ цåíòðîâ ïðèëèïàíèÿ íåðàâíî-
âåñíыõ (âîзбóждåííыõ â ïîëóïðîâîдíèêå ñâå-
òîм) íîñèòåëåé зàðÿдà. Эòè óñòðîéñòâà ïðèмåíÿ-
юòñÿ â îбëàñòè чàñòîò 104—105 Гц êàê ýëåмåíòы
îïòîýëåêòðîííыõ мîдóëÿòîðîâ íàïðÿжåíèÿ, ýëå-
мåíòîâ ðåãóëèðóåмыõ ðåзîíàíñíыõ ñèñòåм, îíè
õàðàêòåðèзóюòñÿ íèзêèмè зíàчåíèÿмè óдåëьíîé
ýëåêòðèчåñêîé åмêîñòè è íå ïðèмåíÿюòñÿ â íèз-
êîчàñòîòíîé îбëàñòè (мåíьшå чåм 102 Гц), êî-
òîðàÿ ÿâëÿåòñÿ âàжíîé дëÿ фóíêцèîíèðîâàíèÿ
ïðåîбðàзîâàòåëåé ñîëíåчíîé ýíåðãèè.
На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO3 синтезирован но-
вый нанокомпозит n-InSe<RbNO3>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом
перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический за-
ряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10–1 до
104 Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в
преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии.
Ключевые слова: фотоконденсатор, интеркаляция, полупроводник А3В6, сегнетоэлектрик, нанокомпозит.
Нàèбîëåå бëèзêèм ïî òåõíèчåñêîé ñóòè ê ðàз-
ðàбîòàííîмó àâòîðàмè фîòîêîíдåíñàòîðó ÿâëÿ-
åòñÿ òâåðдîòåëьíыé ïîëóïðîâîдíèêîâыé фîòîâà-
ðèêàï Ni—GeO—GaSe [7], êîòîðыé õàðàêòåðè-
зóåòñÿ íåâыñîêèмè зíàчåíèÿмè óдåëьíîé åмêî-
ñòè è êîýффèцèåíòà ïåðåêðыòèÿ ïî åмêîñòè ïðè
îñâåщåíèè (îòíîшåíèå зíàчåíèé åмêîñòè ñòðóê-
òóðы, èзмåðåííыõ ïðè åå îñâåщåíèè è â òåмíî-
òå) ïðè íèзêèõ чàñòîòàõ ýëåêòðèчåñêîãî ñèãíà-
ëà (< 102 Гц). Эòî ñâÿзàíî ñ фèзèчåñêîé ïðèðî-
дîé ÿâëåíèé, êîòîðыå ïðîèñõîдÿò â òâåðдîòåëь-
íыõ ïîëóïðîâîдíèêîâыõ фîòîâàðèêàïàõ è îбó-
ñëîâëèâàюò èзмåíåíèå åмêîñòè ñòðóêòóð ïðè èõ
îñâåщåíèè [7].
В дàííîé ðàбîòå ïðåдñòàâëåíà мîдåëь фîòî-
êîíдåíñàòîðà íà îñíîâå ñëîèñòîãî ïîëóïðîâî-
дíèêîâîãî мîíîêðèñòàëëà InSe, èíòåðêàëèðîâà-
íîãî èîíàмè ñåãíåòîýëåêòðèчåñêîé ñîëè RbNO3
èз åå ðàñïëàâà ñ âыñîêîé óдåëьíîé ýëåêòðèчå-
ñêîé åмêîñòью è бîëьшèм êîýффèцèåíòîм ïå-
ðåêðыòèÿ ïî îñâåщåíèю, ðàбîòîñïîñîбíîãî â чà-
ñòîòíîм дèàïàзîíå 10–1—104 Гц.
Синтез композитного материала
и конструкция фотоконденсатора
Пîëóïðîâîдíèêîâыå мîíîêðèñòàëëы n-InSe
âыðàщèâàëèñь мåòîдîм Бðèджмåíà èз íåñòåõèî-
мåòðèчåñêîé ñмåñè êîмïîíåíòîâ (In1,03Se0,97).
Äëÿ èзãîòîâëåíèÿ ðàзðàбîòàííыõ óñòðîéñòâ
èñïîëьзîâàëèñь âыñîêîîмíыå мîíîêðèñòàëëы
InSe, êîòîðыå èмåëè êðèñòàëëèчåñêóю ñòðóêòóðó
γ-ïîëèòèïà, n-òèï ïðîâîдèмîñòè ñ êîíцåíòðàцèåé
ýëåêòðîíîâ îêîëî 1015 ñм–3 ïðè êîмíàòíîé òåм-
ïåðàòóðå. Из бîëьшèõ ñëèòêîâ ïîëóчåííыõ мî-
íîêðèñòàëëîâ мåõàíèчåñêèм ñêàëыâàíèåм âдîëь
DOI: 10.15222/TKEA2018.2.03
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 24
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËЯ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ISSN 2225-5818
ñëîåâ îòдåëÿëèñь ïëàñòèíêè ðàзмåðîм 4×4×0,2 мм.
Пîëóчåííыé îбðàзåц InSe ïîмåщàëñÿ â фàðфîðî-
âыé òèãåëь, õèмèчåñêè èíåðòíыé ê ðàñïëàâëåííî-
мó íèòðàòó ðóбèдèÿ, è âыдåðжèâàëñÿ â ðàñïëà-
âå ñîëè RbNO3 при температуре 370°С, которая
ïîддåðжèâàëàñь àâòîмàòèчåñêè âыñîêîòîчíым
регулятором с точностью ±0,1°С. Длительность
ïðîцåññà ýêñïîíèðîâàíèÿ ñîñòàâëÿëà ïðèмåðíî
10 мèí. Пîñëå âíåдðåíèÿ èîíîâ ñîëè â âàí-дåð-
âààëьñîâы щåëè InSe îбðàзåц îõëàждàëñÿ дî
êîмíàòíîé òåмïåðàòóðы. Сõåмà òåõíîëîãèчå-
ñêîé óñòàíîâêè дëÿ èíòåðêàëÿцèè мîíîêðèñòàë-
ëîâ n-InSe ïðèâåдåíà â [8].
Нà âåðõíюю è íèжíюю ïîâåðõíîñòè (0001)
íàíîêîмïîзèòíîãî мàòåðèàëà òåðмèчåñêèм ðàñ-
ïыëåíèåм â âàêóóмå îñàждàëñÿ òîíêèé (òîëщè-
íîé íåñêîëьêî дåñÿòêîâ íàíîмåòðîâ) ñëîé In,
êîòîðыé èмååò âыñîêèé êîýффèцèåíò ïðîïóñêà-
íèÿ дëÿ ïàдàющèõ íà ýòó ïîâåðõíîñòь фîòîíîâ
â îбëàñòè фóíдàмåíòàëьíîãî ïîãëîщåíèÿ InSe
(hυ > 1,3 ýВ). Пîâåðõíîñòь, íà êîòîðóю бóдåò
ïàдàòь ñâåò, дîïîëíèòåëьíî ïîêðыâàëàñь зîëî-
òîм. Òîêîâыå âыâîды ïîдïàèâàëèñь ê бàзîâым
ïëîñêîñòÿм (0001) íàíîêîмïîзèòíîãî мàòåðèà-
ëà ñ ïîмîщью ñïëàâà In—Ga. Сòðóêòóðà ãåðмå-
òèзèðîâàëàñь êîмïàóíдîм ñî âñåõ ñòîðîí, êðîмå
фðîíòàëьíîé ïëîñêîñòè. Êîíñòðóêцèÿ фîòîêîí-
дåíñàòîðà ñõåмàòèчåñêè ïðåдñòàâëåíà íà рис. 1.
Вî âðåмÿ èзмåðåíèÿ åмêîñòè фîòîïðåîбðàзî-
âàòåëь зàñâåчèâàëñÿ íåмîдóëèðîâàííым бåëым
ñâåòîм. Иíòåãðàëьíàÿ ïëîòíîñòь ñâåòîâîãî ïîòî-
êà íà фðîíòàëьíîé ïîâåðõíîñòè ñòðóêòóðы ñî-
ñòàâëÿëà îêîëî 200 мêВò/ñм2. Измåðåíèÿ êîм-
ïëåêñíîãî ýëåêòðèчåñêîãî èмïåдàíñà ñòðóêòóð
ïðîâîдèëèñь â ãåðмåòèчíîм бîêñå â ñóõîé àò-
мîñфåðå, îñóшåííîé Р2О5. Мîðфîëîãèÿ ñфîð-
мèðîâàííыõ íà âàí-дåð-âààëьñîâîé ïîâåðõíîñòè
(0001) InSe íàíîñòðóêòóð RbNO3 êîíòðîëèðî-
âàëàñь ñ ïîмîщью àòîмíî-ñèëîâîãî мèêðîñêîïà
(АСМ) Nanoscope IIIa Dimension 3000 (Digital
Instrument) â ðåжèмå ïåðèîдèчåñêîãî êîíòàêòà.
Измåðåíèÿ ïðîâîдèëèñь íà âîздóõå ïîñëå ñêà-
ëыâàíèÿ ïëàñòèíîê ñ îбðàзцîâ èзãîòîâëåííîãî
íàíîêîмïîзèòíîãî мàòåðèàëà âдîëь ïëîñêîñòåé
(0001) InSe. Чàñòîòíыå õàðàêòåðèñòèêè åмêî-
ñòè фîòîêîíдåíñàòîðîâ èзмåðÿëèñь ïðè êîмíàò-
íîé òåмïåðàòóðå â òåмíîòå è ïðè îñâåщåíèè ñ
ïîмîщью èзмåðèòåëÿ ýëåêòðèчåñêîãî èмïåдàí-
ñà Solartron FRA 1255. Äèфðàêòîãðàммà ïîëó-
чåíà íà óñòàíîâêå ÄРОН-2.0 (CuKα-èзëóчåíèå).
Ðезультаты исследований и их обсуждение
Из àíàëèзà ðåзóëьòàòîâ ðåíòãåíîâñêèõ èз-
мåðåíèé ïîëóчåííыõ íàíîêîмïîзèòîâ ñëåдóåò,
чòî èíòåðêàëèðîâàííыå îбðàзцы InSe<RbNO3>
ñîõðàíÿюò мîíîêðèñòàëëèчåñêóю ñòðóêòóðó, à
ñïåêòð ðåíòãåíîâñêîé дèфðàêòîãðàммы ñâèдå-
òåëьñòâóåò î âõîждåíèè èíòåðêàëÿíòà â âàí-
дåð-âààëьñîâы щåëè ñëîèñòîãî мîíîêðèñòàë-
ëà InSe ñ óâåëèчåíèåм ïàðàмåòðà ðåшåòêè с,
ðàâíîãî 2,49641 íм, è ñîõðàíåíèåм ïàðàмåòðà
а = 0,40020 íм. В êàчåñòâå ïðèмåðà íà рис. 2
ïðåдñòàâëåíà ðåíòãåíîâñêàÿ дèфðàêòîãðàммà
îдíîãî èз èññëåдîâàííыõ îбðàзцîâ. Оòñóòñòâèå
дîïîëíèòåëьíыõ ïèêîâ ñâèдåòåëьñòâóåò î òîм,
чòî ïîëóчåííыé мàòåðèàë íå ñîдåðжèò ïîñòî-
ðîííèõ ïðèмåñåé.
Нà АСМ-èзîбðàжåíèÿõ ïîâåðõíîñòè ñëîåâ íà-
íîêîмïîзèòíîãî îбðàзцà, ïðèâåдåííыõ íà рис. 3,
âèдíы îñòðîâêè RbNO3, êîòîðыå фîðмèðóюò íà-
íîðàзмåðíыå êîëьцà. Выñîòà îñòðîâêîâ íå ïðåâы-
шàåò шèðèíы âàí-дåð-âààëьñîâîé щåëè дëÿ InSe,
êîòîðàÿ ñîñòàâëÿåò ïðèмåðíî 0,35 íм, à ñðåдíèé
âíåшíèé дèàмåòð êîëåц íå ïðåâышàåò 50 íм.
Аíñàмбëь íàíîêîëåц õàðàêòåðèзóåòñÿ âыñî-
êîé ïîâåðõíîñòíîé ïëîòíîñòью (109—1010 ñм–2)
â ïëîñêîñòè (0001) ñëîåâ êðèñòàëëà.
Выñîêàÿ óдåëьíàÿ åмêîñòь èññëåдóåмî-
ãî îбðàзцà (рис. 4, таблица) ïðè îñâåщåíèè
(1—104 Ф/ñм2), êîòîðàÿ íàбëюдàåòñÿ â дèà-
ïàзîíå чàñòîò îò 10–1 дî 103 Гц, ñâÿзàíà ñ мà-
ëîé òîëщèíîé ñëîÿ Гåëьмãîëьцà â òâåðдîòåëь-
íыõ íàíîèîííыõ êîíдåíñàòîðàõ, âñòðîåííыõ â
ñëîèñòóю мàòðèцó. В îбъåмå íàíîêîмïîзèòíîãî
мàòåðèàëà ñîздàåòñÿ бîëьшîå êîëèчåñòâî òàêèõ
íàíîêîíдåíñàòîðîâ, êîòîðыå âíîñÿò âêëàд â îб-
щóю ýëåêòðèчåñêóю åмêîñòь êðèñòàëëà.
Пðè îбëóчåíèè íàíîêîмïîзèòíîãî îбðàзцà
ñâåòîм èз îбëàñòè фóíдàмåíòàëьíîãî ïîãëîщå-
íèÿ InSe (ñ ýíåðãèåé фîòîíîâ hυ > 1,3 ýВ) зà
ñчåò фîòîâîзбóждåííыõ íîñèòåëåé â ïîëóïðîâî-
дíèêå óâåëèчèâàåòñÿ êîíцåíòðàцèÿ ýëåêòðîíîâ
íà ãåòåðîãðàíèцàõ мåждó èîííîé ñîëью è îêñè-
дîм ІnОх. Пðè ýòîм òîëщèíà ñëîÿ Гåëьмãîëьцà,
êîòîðàÿ îïðåдåëÿåò åмêîñòь íàíîèîííîãî êîí-
дåíñàòîðà, óмåíьшàåòñÿ зà ñчåò дèффóзèîííîé
ñîñòàâëÿющåé [9], è åмêîñòь íàíîèîííîãî êîí-Рèñ. 1. Êîíñòðóêцèÿ фîòîêîíдåíñàòîðà n-InSe<RbNO3>
Сâåò
Au
RbNO3
In
In
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 2 5
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËЯ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ISSN 2225-5818
дåíñàòîðà ñèëьíî ðàñòåò, чòî ïðèâîдèò ê зíàчè-
òåëьíîмó óâåëèчåíèю íàïðÿжåííîñòè ýëåêòðè-
чåñêîãî ïîëÿ â îбëàñòè íàíîêîëåц.
Вåðòèêàëьíыé òðàíñïîðò âîзбóждåííыõ ñâåòîм
íîñèòåëåé âдîëь êðèñòàëëîãðàфèчåñêîé îñè с â чè-
ñòыõ ñëîèñòыõ êðèñòàëëàõ îïðåдåëÿåòñÿ ýíåðãå-
òèчåñêèм бàðьåðîм, ñâÿзàííым ñ дåфåêòàмè èõ
óïàêîâêè. В óñëîâèÿõ ñèëьíîãî ýëåêòðèчåñêîãî
ïîëÿ, êîòîðîå âîзíèêàåò ïðè îñâåщåíèè íàíîêîм-
ïîзèòíîãî мàòåðèàëà, ýëåêòðîíы ëåãêî ïðåîдîëå-
Рèñ. 3. АСМ-èзîбðàжåíèå âàí-дåð-âààëьñîâîé ïîâåðõíîñòè íàíîêîмïîзèòíîãî îбðàзцà n-InSe<RbNO3>,
синтезированного при температуре 370°С и длительности интеркаляции ионов соли 8 мин (а) è 16 мèí (б)
Рèñ. 2. Рåíòãåíîâñêàÿ дèфðàêòîãðàммà îбðàзцà InSe<RbNO3>, èíòåðêàëèðîâàííîãî â ðàñïëàâå RbNO
при температуре 370°С в течение 8 мин
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2θ, ãðàдóñ
1354
677
0
И
íò
åí
ñè
âí
îñ
òь
,
îò
í.
å
д.
00
3
(I
nS
e)
20
0
(R
bN
O
3)
11
-1
(
R
bN
O
3)
20
1
(R
bN
O
3)
20
-2
(
R
bN
O
3)
21
-1
(
R
bN
O
3)
00
-6
(
In
S
e)
00
9
(I
nS
e)
00
.1
2
(I
nS
e)
10
-8
(
In
S
e)
22
0
(R
bN
O
3)
30
1
(R
bN
O
3)
40
2
(R
bN
O
3)
40
3
(R
bN
O
3)
30
-5
(
R
bN
O
3)
44
0
(R
bN
O
3)
00
.-
18
(
In
S
e)
00
.-
21
(
In
S
e)
à) б)
10 íм
0,2
мêм
1,0
0,8
0,6
0,4
10 íм
0,2
мêм
1,0
0,8
0,6
0,4
âàюò ýòîò бàðьåð, è ýëåêòðèчåñêàÿ ïðîâîдèмîñòь
мàòåðèàëà âдîëь îñè с ðàñòåò. В êëàññèчåñêèõ
бàðьåðíыõ фîòîïðåîбðàзîâàòåëÿõ òîëщèíà бàзî-
âîãî ñëîÿ InSe íå мîжåò быòь бîëьшå íåñêîëьêèõ
мèêðîмåòðîâ, чòî ñâÿзàíî ñ мàëîé дèффóзèîííîé
дëèíîé íåðàâíîâåñíыõ ýëåêòðîíîâ â ðåзóëьòàòå
èõ зíàчèòåëьíîé ðåêîмбèíàцèè ïðè âåðòèêàëьíîм
òðàíñïîðòå âдîëь îñè ñ êðèñòàëëà [10]. В ðàññмà-
òðèâàåмîм îбðàзцå èîííàÿ ñîëь âíåдðÿåòñÿ мåж-
дó ñëîÿмè InSe â ïëîñêîñòÿõ, êîòîðыå ðàñïîëî-
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 26
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËЯ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ISSN 2225-5818
жåíы ïåðèîдèчåñêè âдîëь ýòîé îñè íà ðàññòîÿ-
íèè l (дåñÿòêè íàíîмåòðîâ), чòî ãîðàздî мåíьшå
дèффóзèîííîé дëèíы фîòîíîñèòåëåé. Пðè ïðè-
ëîжåíèè ê óñòðîéñòâó ïîñòîÿííîãî íàïðÿжåíèÿ
Ucм íàíîèîííыå êîíдåíñàòîðы, êîòîðыå фîð-
мèðóюòñÿ â ýòèõ ïëîñêîñòÿõ, îбåñïåчèâàюò ïå-
ðåíîñ ýëåêòðîíîâ ïðàêòèчåñêè бåз ðàññåèâàíèÿ.
Пðè ýòîм дåéñòâèòåëьíàÿ чàñòь êîмïëåêñíîãî
èмïåдàíñà InSe<RbNO3> ïðè îñâåщåíèè íå зà-
âèñèò îò чàñòîòы â èññëåдóåмîм чàñòîòíîм дèà-
ïàзîíå (< 10 Гц). В ïðåдëîжåííîм óñòðîéñòâå
íåðàâíîâåñíыå фîòîíîñèòåëè â óñëîâèÿõ ñèëь-
íîãî ïîëÿ íå óñïåâàюò ðåêîмбèíèðîâàòь è ïðî-
ëåòàюò зíàчèòåëьíî бîëьшåå ðàññòîÿíèå âдîëь
îñè с ñëîèñòîãî êðèñòàëëà, чåм ýòî íàбëюдàåòñÿ
â êëàññèчåñêèõ фîòîïðåîбðàзîâàòåëÿõ, èзãîòîâ-
ëåííыõ íà îñíîâå InSe [9]. Эòî ïîзâîëÿåò óâåëè-
чèòь òîëщèíó бàзîâîãî ñëîÿ ïîëóïðîâîдíèêîâî-
ãî мàòåðèàëà è îбåñïåчèòь ñèëьíîå ïîãëîщåíèå
ñâåòà â êðèñòàëëå InSe, êîòîðыé õàðàêòåðèзó-
åòñÿ íåâыñîêèм ïî ñðàâíåíèю ñ дðóãèмè ïîëó-
ïðîâîдíèêàмè êîýффèцèåíòîм îïòèчåñêîãî ïî-
ãëîщåíèÿ (≈ 103 ñм–1) â ñïåêòðàëьíîé îбëàñòè
hυ > 1,3 ýВ, òî åñòь ïîâыñèòь ýффåêòèâíîñòь фî-
òîïðåâðàщåíèÿ è îбåñïåчèòь âыñîêèé êîýффè-
цèåíò ïåðåêðыòèÿ ïî åмêîñòè (≈ 109) ïðè îñâå-
щåíèè (рис. 5).
Âыводы
Òàêèм îбðàзîм, èññëåдîâàíèÿ ïîêàзàëè âîз-
мîжíîñòь èзãîòîâëåíèÿ фîòîêîíдåíñàòîðà ñ âы-
ñîêîé óдåëьíîé åмêîñòью íà îñíîâå íîâîãî íà-
íîêîмïîзèòíîãî мàòåðèàëà n-InSe<RbNO3>.
Фèзèчåñêèå ÿâëåíèÿ ñàмîîðãàíèзàцèè íàíî-
ñòðóêòóð ñ èîííîé ïðîâîдèмîñòью íà ïîâåðõ-
íîñòÿõ ñëîåâ InSe ñ мîëåêóëÿðíым òèïîм ñâÿ-
зè, êîòîðыå èñïîëьзóюòñÿ ïðè ïîëóчåíèè
n-InSe<RbNO3>, ïîзâîëÿюò ïîëóчàòь мàññèâы
íàíîðàзмåðíыõ 2D-âêëючåíèé ñ èîííîé ïðî-
âîдèмîñòью è ñ зàдàííымè ãåîмåòðèчåñêèмè
ðàзмåðàмè, мîðфîëîãèåé è ïðîñòðàíñòâåííым
ðàñïðåдåëåíèåм â мàòðèцå ñëîèñòîãî êðèñòàë-
ëà ïðè íèзêîм óðîâíå мàòåðèàëьíыõ зàòðàò.
Рàзðàбîòàííыé фîòîêîíдåíñàòîð èмååò âыñîêóю
óдåëьíóю ýëåêòðèчåñêóю åмêîñòь, бîëьшîé êî-
ýффèцèåíò ïåðåêðыòèÿ ïî åмêîñòè ïðè îñâåщå-
íèè, ñïîñîбåí íàêàïëèâàòь ýëåêòðèчåñêèé зà-
ðÿд, îí мîжåò быòь èñïîëьзîâàí â êàчåñòâå íèз-
êîâîëьòíîãî ïîëóïðîâîдíèêîâîãî óñòðîéñòâà â
îïòîýëåêòðîííыõ ñèñòåмàõ ïàмÿòè, â фîòîýëåê-
òðèчåñêèõ ñåíñîðàõ, â ïðåîбðàзîâàòåëÿõ ñâå-
òîâîé ýíåðãèè è â íàêîïèòåëÿõ ýëåêòðèчåñêîé
ýíåðãèè.
ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ ИСÒОЧНИÊИ
1. Бàõòèíîâ А. П., Вîдîïьÿíîâ, В. Н., Êîâàëюê, З. Ä. è
дð. Эëåêòðèчåñêèå ñâîéñòâà ãèбðèдíыõ ñòðóêòóð (фåððîмàã-
íèòíыé мåòàëë) — (ñëîèñòыé ïîëóïðîâîдíèê) Ni/p-GaSe
// ФÒП.— 2010.— Ò. 44, ¹. 2.— С. 180—193.
2. Бîжåâîëьíîâ В. Б., Яфÿñîâ А. М., Êîíîðîâ П. П.
Фîðмèðîâàíèå ãåòåðîñòðóêòóð íà îñíîâå ñîåдèíåíèé
Рèñ. 4. Чàñòîòíàÿ зàâèñèмîñòь ýëåêòðèчåñêîé åмêî-
ñòè фîòîêîíдåíñàòîðà íà îñíîâå InSe<RbNO3> ïðè
Ucм = 8 В â òåмíîòå (1) è ïðè îñâåщåíèè (2)
100 102 104 106
Чàñòîòà, Гц
104
101
10–2
10–5
10–8
10–11
Е
м
êî
ñò
ь,
Ф
1
2
Емкость фотоконденсатора на основе n-InSe<RbNO3>
при Ucм = 8 В
Чàñòîòà,
Гц
Емêîñòь,
Ф
Óдåëьíàÿ åмêîñòь,
Ф/ñм2
10–1 7000 4,4⋅104
100 500 3⋅103
101 60 3,8⋅102
102 5 31
103 0,2 1,3
Рèñ. 5. Чàñòîòíàÿ зàâèñèмîñòь êîýффèцèåíòà ïå-
ðåêðыòèÿ ïî åмêîñòè фîòîêîíдåíñàòîðà íà îñíîâå
n-InSe<RbNO3> ïðè îñâåщåíèè
100 102 104 106
Чàñòîòà, Гц
109
106
Ê
îý
ф
ф
èц
èå
íò
ï
åð
åê
ðы
òè
ÿ,
îò
í.
å
д.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 2 7
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËЯ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ISSN 2225-5818
êàдмèé-ðòóòь-òåëëóð â ñèñòåмå ïîëóïðîâîдíèê-ýëåêòðîëèò
// Пðèêëàдíàÿ фèзèêà.— 2005.— Iss. 5.— C. 98—102.
3. Êîëбàñîâ Г. Я., Гîðîдыñêèé А. В. Пðîцåññы фîòîñòè-
мóëèðîâàííîãî ïåðåíîñà зàðÿдà â ñèñòåмå ïîëóïðîâîдíèê-
ýëåêòðîëèò.— Мîñêâà: Нàóêà, 1993.
4. Schefold J., Vetter M. Solar energy conversion at the
p-InP/vanadium3+/2+semiconductor/electrolyte contact a
study based on differential capacitance and current-voltage
data // Journal of the Electrochemical Society.— 1994.—
Vol. 141, N 8.— P. 2040—2048.— https://dx.doi.
org/10.1149/1.2055057
5. Lee M. M., Teuscher J., Miyasaka T. et al. Efficient
hybrid solar cells based on meso-superstructured organometal
halide perovskites // Science.— 2012.— Vol. 333,
N 6107.— P. 643—647.— https://dx.doi.org/10.1126/
science.1228604
6. Зóåâ В. А., Пîïîâ В. Г. Фîòîýëåêòðèчåñêèå МÄП-
ïðèбîðы.— Мîñêâà: Сîâ. ðàдèî, 1983.
7. Мåджèдîâ А. Б., Мóðàдîâ Р. М., Мåõòèåâà С. И.,
Аëèåâ И. М. Емêîñòíыå õàðàêòåðèñòèêè Ni-GeO-GaSe
ñòðóêòóð ïðè îñâåщåíèè // Изâ. АН Азåðб., ñåð.
ФÒМН.— 2003.— Ò. 23, ¹ 2.— С. 128—134.
8. Бàõòіíîâ А. П, Вîдîï'ÿíîâ В. М., Êîâàëюê З. Ä.
òà іí. Нîâі íàíîêîмïîзèòíі ñåґíåòîåëåêòðèчíі мàòåðіàëè
шàðóâàòі êðèñòàëè n-InSe<RbNO3> òà p-GaSe<RbNO3>
// Нàíîñèñòåмè, íàíîмàòåðіàëè, íàíîòåõíîëîãії.— 2017.—
Т. 15.— № 1.— С. 83–90.
9. Schimotani H., Asanuma H., Tsukazaki A. et al.
Insulator-to-metal transition in ZnO by electric double
layer gating // Appl. Phys. Lett.— 2007.— Vol. 91,
N 8.— P. 082106(1)–082106(3).— https://dx.doi.
org/10.1063/1.2772781
10. Segura A., Guesdon J.P., Besson J.M., Chevy A.
Photoconductivity and photovoltaic effect in indium selenide
// J. Appl. Phys.— 1983.— Vol. 54, N 2.— P. 876–888.—
https://dx.doi.org/10.1063/1.332050
Дата поступления рукописи
в редакцию 23.03 2018 г.
В. В. НЕТЯГА, В. М. ВОДОП’ЯНОВ,
В. І. ІВАНОВ, І. Г. ТКАЧУК, З. Д. КОВАЛЮК
Óêðàїíà, Іíñòèòóò ïðîбëåм мàòåðіàëîзíàâñòâà
ім. І.М. Фðàíцåâèчà НАН Óêðàїíè,
Чåðíіâåцьêå âіддіëåííÿ
E-mail: chimsp@ukrpost.ua
ФОÒОÊОНÄЕНСАÒОР НА ОСНОВІ
НАНОÊОМПОЗИÒÓ n-InSe<RbNO3>
Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO3 із її розплаву у шаруватий монокристал
InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO3>, який може бути використаний для виго-
товлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури,
отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків.
Встановлено, що інтеркальовані зразки InSe<RbNO3> зберігають монокристалічну структуру, а спектр
рентгенівської дифрактограми свідчить про входження інтеркалянта в ван-дер-ваальсові щілини шару-
ватого монокристалу InSe зі збільшенням параметрів кристалічної решітки. На АСМ-зображеннях
поверхні шарів нанокомпозитного матеріалу спостерігаються острівці RbNO3 у вигляді нанорозмірних
кілець. Висота острівців не перевищує ширини ван-дер-ваальсової щілини для InSe, яка становить
≈ 0,35 нм, а середній зовнішній діаметр кілець близько 50 нм.
Ансамбль нанокілець в площині (0001) шарів кристалу характеризується високою поверхневою щільністю
(109—1010 см–2). Таким чином, при виготовленні нанокомпозитного матеріалу для запропонованого фо-
токонденсатора використовуються фізичні явища самоорганізації наноструктур з іонною провідністю
на поверхнях шарів з молекулярним типом зв'язку. Це дозволяє отримувати масиви нанорозмірних
2D-включень з іонною провідністю і з заданими геометричними розмірами, морфологією і просторовим
розподілом в матриці шаруватого кристалу.
Розроблений фотоконденсатор має високу питому електричну ємність, високий (близько 109)
коефіцієнт перекриття по ємності при освітленні (відношення значень ємності структури, отриманих
за освітлення та у темноті), здатний накопичувати електричний заряд, він може бути використаний
як низьковольт ний напівпровідниковий пристрій в оптоелектронних системах пам'яті, в фотоелектрич-
них сенсорах, в перетворювачах світлової енергії і в накопичувачах електричної енергії.
Ключові слова: фотоконденсатор, інтеркаляція, напівпровідник А3В6, сегнетоелектрик, нанокомпозит.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 28
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËЯ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ISSN 2225-5818
V. V. NETYAGA, V. N. VODOP’YANOV, V. I. IVANOV,
I. G. TKACHYUK, Z. D. KOVALYUK
Ukraine, Chernivtsi, I. M. Frantsevich Institute
for problems of materials science
of NAS of Ukraine, Chernivtsi department
E-mail: chimsp@ukrpost.ua
PHOTOCAPACITOR BASED ON NANOCOMPOSITE n-InSe <RbNO3>
The n-InSe<RbNO3> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered
single crystal from a melt of RbNO3 ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific
capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement
of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated
InSe<RbNO3> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction
pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal
with an increase in the parameters of the crystal lattice.
AFM images of the surface of nanocomposite material layers show the RbNO3 islands in the form of nanosized
rings. The islands' height does not exceed the width of van der Waals gap for InSe, which is ≈ 0,35 nm, and
the average outside diameter of the rings is ≈ 50 nm. The ensemble of nanorings is characterized by a high
surface density in (0001) plane of the crystal layers (109—1010 cm–2). Thus, the physical phenomena of self-
organization of nanostructures with ionic conductivity on the surfaces of layers with a molecular type of bond
are used in the making of nanocomposite material for the proposed photoconductor. This allows us to obtain
arrays of nanosized 2D inclusions with ionic conductivity and with given geometrical sizes, morphology and
spatial distribution in a matrix of a layered crystal.
The developed photoconductor has a high specific electrical capacity, a high coefficient of overlapping of the
capacity (≈ 109) in the light, has the ability to accumulate electric charge, it can be used as a low-voltage
semiconductor device in optoelectronic memory systems, in photoelectric sensors, in light energy converter and
in the storage of electric energy.
Keywords: photocapacitor, intercalation, III—VI semiconductor, ferroelectric, nanocomposite.
REFERENCES
1. Bakhtinov A.P., Vodopyanov V.N., Kovalyuk Z.D.,
Netyaga V.V., Lytvyn O.S. Electrical properties of hybrid
(ferromagnetic metal) — (layered semiconductor) Ni/p-GaSe
structures. Semiconductors, 2010, vol. 44, iss. 2, pp. 171-183.
https://dx.doi.org/10.1134/S1063782610020077
2. Bozhevol’nov V.B., Yàfyàsov A.M., Konorov P.P.
[Formation of heterostructures based on cadmium-mercury-
tellurium compounds in a semiconductor-electrolyte system].
Prikladnaya Fizika, 2005, iss. 5, ðð. 98-102 (Rus)
3. Kolbasov G.Yà., Gorodyskii A.V. Protsessy foto-
stimulirovannogo perenosa zaryаda v sisteme poluprovodnik-
elektrolit [Processes of photostimulated charge transfer in a
semiconductor-electrolyte system]. Moscow, Nauka, 1993,
190 p. (Rus)
4. Schefold J., Vetter M. Solar energy conversion at the
p-InP/vanadium3+/2+semiconductor/electrolyte contact a
study based on differential capacitance and current-voltage
data. Journal of the Electrochemical Society, 1994, vol. 141,
no. 8, pp. 2040-2048. https://dx.doi.org/10.1149/1.2055057
5. Lee M.M., Teuscher J., Miyasaka T., Murakami T.N.,
Snaith H.J. Efficient hybrid solar cells based on meso-super-
structured organometal halide perovskites. Science, 2012,
vol. 333, no. 6107, pp. 643-647. https://dx.doi.org/10.1126/
science.1228604
6. Zuev V.A., Popov V.G. Fotoelektricheskie MDP-
pribory [Photoelectric MIS devices]. Moskow, Sov. radio,
1983, 175 p. (Rus)
7. Medzhidov A.B., Muradov R.M., Mekhtieva S.I., Aliev
I.M. [Capacitive characteristics of Ni-GeO-GaSe structures
under illumination]. Izv. AN Azerb., ser. FTMN, 2003,
vol. 23, no. 2, pp. 128-134. (Rus)
8. Bakhtinov A.P., Vodopyanov V.M., Kovalyuk Z.D.,
Netyaga V.V., Tkachuk I.G. [New nanocomposite fer-
roelectric materials–layered crystals of n-InSe<RbNO3>
and p-GaSe<RbNO3>]. Nanosistemi, Nanomateriali,
Nanotehnologii, 2017, vol. 15, no. 1, pp. 83-90. (Ukr)
9. Schimotani H., Asanuma H., Tsukazaki A., Ohtomo A.,
Kawasaki M., Iwasa Y. Insulator-to-metal transition in ZnO
by electric double layer gating. Appl. Phys. Lett., 2007,
vol. 91, no. 8, pp. 082106(1)-082106(3). https://dx.doi.
org/10.1063/1.2772781
10. Segura A., Guesdon J.P., Besson J.M., Chevy A.
Photoconductivity and photovoltaic effect in indium selenide.
J. Appl. Phys., 1983, vol. 54, no. 2, pp. 876-888. https://
dx.doi.org/10.1063/1.332050
Cite the article as:
Netyaga V. V., Vodop’yanov V. N., Ivanov V. I., Tkachyuk
I. G., Kovalyuk Z. D. Photocapacitor based on nanocomposite
n-InSe <RbNO3>. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elek-
tronnoi Apparature, 2018, no. 2, pp. 3-8. http://dx.doi.
org/10.15222/TKEA2018.2.03
Îписание статьи для цитирования:
Нåòÿãà В. В., Вîдîïьÿíîâ В. Н., Иâàíîâ В. Н., Òêàчóê
И. Г., Êîâàëюê З. Ä. Фîòîêîíдåíñàòîð íà îñíîâå íàíîêîм-
ïîзèòà n-InSe<RbNO3>. Технология и конструирование
в электронной аппаратуре, 2018, № 2, с. 3—8. http://dx.doi.
org/10.15222/TKEA2018.2.03
DOI: 10.15222/TKEA2018.2.03
UDC 538.9
|