Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разра...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140618 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862561812864565248 |
|---|---|
| author | Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. |
| author_facet | Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. |
| citation_txt | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10⁻¹ до 10⁴ Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии.
Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO₃ із її розплаву у шаруватий монокристал InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO₃>, який може бути використаний для виготовлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури, отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків.
The n-InSe<RbNO₃> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO₃ ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO₃> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:28:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140618 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:28:40Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. 2018-07-12T12:49:29Z 2018-07-12T12:49:29Z 2018 Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> / В.В. Нетяга, В.Н. Водопьянов, В.И. Иванов, И.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 3-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.2.03 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140618 538.9 На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. На его основе разработан фотоконденсатор, работоспособный в области частот от 10⁻¹ до 10⁴ Гц, для применения в оптоэлектронных системах памяти, в фотоэлектрических сенсорах, в преобразователях световой энергии и в накопителях электрической энергии. Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO₃ із її розплаву у шаруватий монокристал InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO₃>, який може бути використаний для виготовлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури, отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків. The n-InSe<RbNO₃> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO₃ ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO₃> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые компоненты для электронной аппаратуры Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> Фотоконденсатор на основі нанокомпозиту n-InSe<RbNO₃> Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe<RbNO₃> Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> Нетяга, В.В. Водопьянов, В.Н. Иванов, В.И. Ткачук, И.Г. Ковалюк З.Д. Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_alt | Фотоконденсатор на основі нанокомпозиту n-InSe<RbNO₃> Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe<RbNO₃> |
| title_full | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_fullStr | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_full_unstemmed | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_short | Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> |
| title_sort | фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-inse<rbno₃> |
| topic | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140618 |
| work_keys_str_mv | AT netâgavv fotokondensatornaosnovenanokompozitaninseltrbno3 AT vodopʹânovvn fotokondensatornaosnovenanokompozitaninseltrbno3 AT ivanovvi fotokondensatornaosnovenanokompozitaninseltrbno3 AT tkačukig fotokondensatornaosnovenanokompozitaninseltrbno3 AT kovalûkzd fotokondensatornaosnovenanokompozitaninseltrbno3 AT netâgavv fotokondensatornaosnovínanokompozituninseltrbno3 AT vodopʹânovvn fotokondensatornaosnovínanokompozituninseltrbno3 AT ivanovvi fotokondensatornaosnovínanokompozituninseltrbno3 AT tkačukig fotokondensatornaosnovínanokompozituninseltrbno3 AT kovalûkzd fotokondensatornaosnovínanokompozituninseltrbno3 AT netâgavv photocapacitorbasedonnanocompositeninseltrbno3 AT vodopʹânovvn photocapacitorbasedonnanocompositeninseltrbno3 AT ivanovvi photocapacitorbasedonnanocompositeninseltrbno3 AT tkačukig photocapacitorbasedonnanocompositeninseltrbno3 AT kovalûkzd photocapacitorbasedonnanocompositeninseltrbno3 |