Миграция двухатомных комплексов в структуре графена

• Published in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Date: 2014
• Main Authors: Долгов, А.С., Жабчик, Ю.Л.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140653
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Миграция двухатомных комплексов в структуре графена / А.С. Долгов, Ю.Л. Жабчик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 4. — С. 731-741. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Рассматривается кинетика перемещений двухатомных образований в двумерной гексагональной структуре — однослойном графене. Используется схема с Hollow-позиционированием составляющих пары в условиях её неразрывности. Выбор варианта позиционирования связан с распространёнными представлениями об особенностях осаждения примесей на графене и предопределяет некоторое упрощение анализа и характера результатов. Розглядається кінетика переміщень двоатомних утворень у двовимірній гексагональній структурі — одношаровому графені. Використовується схема з порожнистим Hollow-позиціонуванням складових пари в умовах її нерозривности. Вибір варіанту позиціонування пов’язаний з поширеними уявленнями про особливості осадження домішок на графені і зумовлює деяке спрощення аналізу і характеру результатів. The kinetics of diatomic-formations’ movements in two-dimensional hexagonal structure, which is a single-layer graphene, is considered. The pattern of Hollow-positioning of the pair components under the continuity conditions is used. The choice of positioning type is conditioned by widespread conceptions of features of impurity sedimentation on the graphene and predetermines some simplification of the analysis and nature of results.