Миграция двухатомных комплексов в структуре графена
Рассматривается кинетика перемещений двухатомных образований в двумерной гексагональной структуре — однослойном графене. Используется схема с Hollow-позиционированием составляющих пары в условиях её неразрывности. Выбор варианта позиционирования связан с распространёнными представлениями об особенно...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140653 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Миграция двухатомных комплексов в структуре графена / А.С. Долгов, Ю.Л. Жабчик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 4. — С. 731-741. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140653 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Долгов, А.С. Жабчик, Ю.Л. 2018-07-13T08:54:24Z 2018-07-13T08:54:24Z 2014 Миграция двухатомных комплексов в структуре графена / А.С. Долгов, Ю.Л. Жабчик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 4. — С. 731-741. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1816-5230 PACS: 05.20.Dd, 05.40.Fb, 61.48.Gh, 61.72.Bb, 66.30.Pa, 68.43.Jk, 81.05.ue https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140653 Рассматривается кинетика перемещений двухатомных образований в двумерной гексагональной структуре — однослойном графене. Используется схема с Hollow-позиционированием составляющих пары в условиях её неразрывности. Выбор варианта позиционирования связан с распространёнными представлениями об особенностях осаждения примесей на графене и предопределяет некоторое упрощение анализа и характера результатов. Розглядається кінетика переміщень двоатомних утворень у двовимірній гексагональній структурі — одношаровому графені. Використовується схема з порожнистим Hollow-позиціонуванням складових пари в умовах її нерозривности. Вибір варіанту позиціонування пов’язаний з поширеними уявленнями про особливості осадження домішок на графені і зумовлює деяке спрощення аналізу і характеру результатів. The kinetics of diatomic-formations’ movements in two-dimensional hexagonal structure, which is a single-layer graphene, is considered. The pattern of Hollow-positioning of the pair components under the continuity conditions is used. The choice of positioning type is conditioned by widespread conceptions of features of impurity sedimentation on the graphene and predetermines some simplification of the analysis and nature of results. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Миграция двухатомных комплексов в структуре графена Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Миграция двухатомных комплексов в структуре графена |
| spellingShingle |
Миграция двухатомных комплексов в структуре графена Долгов, А.С. Жабчик, Ю.Л. |
| title_short |
Миграция двухатомных комплексов в структуре графена |
| title_full |
Миграция двухатомных комплексов в структуре графена |
| title_fullStr |
Миграция двухатомных комплексов в структуре графена |
| title_full_unstemmed |
Миграция двухатомных комплексов в структуре графена |
| title_sort |
миграция двухатомных комплексов в структуре графена |
| author |
Долгов, А.С. Жабчик, Ю.Л. |
| author_facet |
Долгов, А.С. Жабчик, Ю.Л. |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Рассматривается кинетика перемещений двухатомных образований в двумерной гексагональной структуре — однослойном графене. Используется схема с Hollow-позиционированием составляющих пары в условиях её неразрывности. Выбор варианта позиционирования связан с распространёнными представлениями об особенностях осаждения примесей на графене и предопределяет некоторое упрощение анализа и характера результатов.
Розглядається кінетика переміщень двоатомних утворень у двовимірній гексагональній структурі — одношаровому графені. Використовується схема з порожнистим Hollow-позиціонуванням складових пари в умовах її нерозривности. Вибір варіанту позиціонування пов’язаний з поширеними уявленнями про особливості осадження домішок на графені і зумовлює деяке спрощення аналізу і характеру результатів.
The kinetics of diatomic-formations’ movements in two-dimensional hexagonal structure, which is a single-layer graphene, is considered. The pattern of Hollow-positioning of the pair components under the continuity conditions is used. The choice of positioning type is conditioned by widespread conceptions of features of impurity sedimentation on the graphene and predetermines some simplification of the analysis and nature of results.
|
| issn |
1816-5230 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140653 |
| citation_txt |
Миграция двухатомных комплексов в структуре графена / А.С. Долгов, Ю.Л. Жабчик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 4. — С. 731-741. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dolgovas migraciâdvuhatomnyhkompleksovvstrukturegrafena AT žabčikûl migraciâdvuhatomnyhkompleksovvstrukturegrafena |
| first_indexed |
2025-12-07T20:27:58Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:27:58Z |
| _version_ |
1850882684347219968 |