Магниточувствительные транзисторы
Описаны принципы действия и приведены основные электромагнитные характеристики новых полупроводниковых приборов - магниточувствительных транзисторов. The main operation principles are described and the key characteristics of new semiconductor devices — magnetosensitive transistors are given....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140701 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Магниточувствительные транзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140701 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Викулина, Л.Ф. 2018-07-14T15:56:26Z 2018-07-14T15:56:26Z 1998 Магниточувствительные транзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140701 Описаны принципы действия и приведены основные электромагнитные характеристики новых полупроводниковых приборов - магниточувствительных транзисторов. The main operation principles are described and the key characteristics of new semiconductor devices — magnetosensitive transistors are given. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Магниточувствительные транзисторы Магніточутливі транзистори The magnetosensitive transistors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Магниточувствительные транзисторы |
| spellingShingle |
Магниточувствительные транзисторы Викулина, Л.Ф. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title_short |
Магниточувствительные транзисторы |
| title_full |
Магниточувствительные транзисторы |
| title_fullStr |
Магниточувствительные транзисторы |
| title_full_unstemmed |
Магниточувствительные транзисторы |
| title_sort |
магниточувствительные транзисторы |
| author |
Викулина, Л.Ф. |
| author_facet |
Викулина, Л.Ф. |
| topic |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| publishDate |
1998 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Магніточутливі транзистори The magnetosensitive transistors |
| description |
Описаны принципы действия и приведены основные электромагнитные характеристики новых полупроводниковых приборов - магниточувствительных транзисторов.
The main operation principles are described and the key characteristics of new semiconductor devices — magnetosensitive transistors are given.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140701 |
| citation_txt |
Магниточувствительные транзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vikulinalf magnitočuvstvitelʹnyetranzistory AT vikulinalf magnítočutlivítranzistori AT vikulinalf themagnetosensitivetransistors |
| first_indexed |
2025-12-02T11:57:52Z |
| last_indexed |
2025-12-02T11:57:52Z |
| _version_ |
1850862441103097856 |