Полевые магнитотранзисторы
Описаны конструкции транзисторов с магниточувствительностью, на один-два порядка превышающей чувствительность датчика Холла из аналогичного материала. The transistors construction with magneto-sensitivity, that is on one or two orders higher than Hall generator sensitivity from the analogous materia...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140702 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Полевые магнитотранзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 27-28. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140702 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Викулина, Л.Ф. 2018-07-14T15:57:55Z 2018-07-14T15:57:55Z 1998 Полевые магнитотранзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 27-28. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140702 Описаны конструкции транзисторов с магниточувствительностью, на один-два порядка превышающей чувствительность датчика Холла из аналогичного материала. The transistors construction with magneto-sensitivity, that is on one or two orders higher than Hall generator sensitivity from the analogous material have been outlined. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Полевые магнитотранзисторы Польові магнітотранзистори The magnetogate transistors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Полевые магнитотранзисторы |
| spellingShingle |
Полевые магнитотранзисторы Викулина, Л.Ф. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title_short |
Полевые магнитотранзисторы |
| title_full |
Полевые магнитотранзисторы |
| title_fullStr |
Полевые магнитотранзисторы |
| title_full_unstemmed |
Полевые магнитотранзисторы |
| title_sort |
полевые магнитотранзисторы |
| author |
Викулина, Л.Ф. |
| author_facet |
Викулина, Л.Ф. |
| topic |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| publishDate |
1998 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Польові магнітотранзистори The magnetogate transistors |
| description |
Описаны конструкции транзисторов с магниточувствительностью, на один-два порядка превышающей чувствительность датчика Холла из аналогичного материала.
The transistors construction with magneto-sensitivity, that is on one or two orders higher than Hall generator sensitivity from the analogous material have been outlined.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140702 |
| citation_txt |
Полевые магнитотранзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 27-28. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vikulinalf polevyemagnitotranzistory AT vikulinalf polʹovímagnítotranzistori AT vikulinalf themagnetogatetransistors |
| first_indexed |
2025-12-07T19:37:49Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:37:49Z |
| _version_ |
1850879528590639104 |