Полевые магнитотранзисторы
Описаны конструкции транзисторов с магниточувствительностью, на один-два порядка превышающей чувствительность датчика Холла из аналогичного материала. The transistors construction with magneto-sensitivity, that is on one or two orders higher than Hall generator sensitivity from the analogous materia...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140702 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Полевые магнитотранзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 27-28. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSchreiben Sie den ersten Kommentar!