Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
Рассмотрены способы улучшения магнитных параметров и увеличения толщины монокристаллических феррогранатовых пленок. The improvement techniques of the magnetic parameters and thickness increase of the single-cristal ferromagnetic films are considered....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автор: | Ющук, С.И. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140705 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники / С.И. Ющук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2000)
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
за авторством: Королюк, С.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Королюк, С.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
за авторством: Завьялов, С.В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Завьялов, С.В.
Опубліковано: (2000)
Температурная зависимость микроволновой проводимости пленки YBaCuO в нормальном состоянии
за авторством: Губин, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Губин, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
за авторством: Адамов, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Адамов, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Низкотемпературное сканирующее устройство для микроволновой неразрушающей дефектоскопии
за авторством: Жарков, И.П., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Жарков, И.П., та інші
Опубліковано: (2013)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
за авторством: Shwarts, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shwarts, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO2-стекло"
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
за авторством: Олих, Я.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Олих, Я.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Схожі ресурси
-
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998) -
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998) -
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000) -
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998) -
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)