Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
Рассмотрены способы улучшения магнитных параметров и увеличения толщины монокристаллических феррогранатовых пленок. The improvement techniques of the magnetic parameters and thickness increase of the single-cristal ferromagnetic films are considered....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 1998 |
| Main Author: | Ющук, С.И. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140705 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники / С.И. Ющук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
by: Костенко, С.П.
Published: (1998)
by: Костенко, С.П.
Published: (1998)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
by: Губа, С.К.
Published: (1998)
by: Губа, С.К.
Published: (1998)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
by: Шутов, С.В.
Published: (1999)
by: Шутов, С.В.
Published: (1999)
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
by: Костенко, С.П.
Published: (1999)
by: Костенко, С.П.
Published: (1999)
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
by: Данилов, В.В.
Published: (1999)
by: Данилов, В.В.
Published: (1999)
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
by: Данилов, В.В.
Published: (1999)
by: Данилов, В.В.
Published: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1999)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1999)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1999)
Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2000)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2000)
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
by: Королюк, С.Л., et al.
Published: (2001)
by: Королюк, С.Л., et al.
Published: (2001)
Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
by: Завьялов, С.В.
Published: (2000)
by: Завьялов, С.В.
Published: (2000)
Температурная зависимость микроволновой проводимости пленки YBaCuO в нормальном состоянии
by: Губин, А.И., et al.
Published: (2007)
by: Губин, А.И., et al.
Published: (2007)
Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
by: Адамов, Г.Е., et al.
Published: (2005)
by: Адамов, Г.Е., et al.
Published: (2005)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2014)
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2014)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
Низкотемпературное сканирующее устройство для микроволновой неразрушающей дефектоскопии
by: Жарков, И.П., et al.
Published: (2013)
by: Жарков, И.П., et al.
Published: (2013)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
by: Абызов, А.С., et al.
Published: (2004)
by: Абызов, А.С., et al.
Published: (2004)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2008)
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2008)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
by: Шварц, Ю.М., et al.
Published: (2005)
by: Шварц, Ю.М., et al.
Published: (2005)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2005)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2005)
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2005)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
by: Shwarts, Yu. M., et al.
Published: (2005)
by: Shwarts, Yu. M., et al.
Published: (2005)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO2-стекло"
by: Kurmashev, Sh. D., et al.
Published: (2005)
by: Kurmashev, Sh. D., et al.
Published: (2005)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
by: Олих, Я.М., et al.
Published: (2004)
by: Олих, Я.М., et al.
Published: (2004)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
Similar Items
-
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
by: Костенко, С.П.
Published: (1998) -
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
by: Губа, С.К.
Published: (1998) -
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000) -
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998) -
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)