Технология локальной изоляции активных элементов больших интегральных схем
Gespeichert in:
| Datum: | 1998 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Новосядлый, С.П. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140765 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Технология локальной изоляции активных элементов больших интегральных схем / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 22. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Технология локальной изоляции активных элементов больших интегральных схем
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (1998) -
Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (1998) -
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
von: Буджак, Я.С., et al.
Veröffentlicht: (1998) -
Про першоздання Києва
von: Даниленко, В.М.
Veröffentlicht: (2012) -
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)