Технология локальной изоляции активных элементов больших интегральных схем
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автор: | Новосядлый, С.П. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140765 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология локальной изоляции активных элементов больших интегральных схем / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 22. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Технология локальной изоляции активных элементов больших интегральных схем
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998) -
Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998) -
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
за авторством: Буджак, Я.С., та інші
Опубліковано: (1998) -
Про першоздання Києва
за авторством: Даниленко, В.М.
Опубліковано: (2012) -
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)