Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя. The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed....
Збережено в:
| Опубліковано в: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140778 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862741786035748864 |
|---|---|
| author | Новосядлый, С.П. |
| author_facet | Новосядлый, С.П. |
| citation_txt | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.
The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:21:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140778 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:21:44Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Новосядлый, С.П. 2018-07-15T11:30:41Z 2018-07-15T11:30:41Z 1998 Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140778 Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя. The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур Article published earlier |
| spellingShingle | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур Новосядлый, С.П. Технологические процессы |
| title | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_full | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_fullStr | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_full_unstemmed | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_short | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_sort | технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| topic | Технологические процессы |
| topic_facet | Технологические процессы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140778 |
| work_keys_str_mv | AT novosâdlyisp tehnologiâformirovaniâvysokokačestvennyhkremnievyhépitaksialʹnyhstruktur |