Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя. The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 1998 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140778 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862741786035748864 |
|---|---|
| author | Новосядлый, С.П. |
| author_facet | Новосядлый, С.П. |
| citation_txt | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.
The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:21:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140778 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:21:44Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Новосядлый, С.П. 2018-07-15T11:30:41Z 2018-07-15T11:30:41Z 1998 Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140778 Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя. The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур Article published earlier |
| spellingShingle | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур Новосядлый, С.П. Технологические процессы |
| title | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_full | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_fullStr | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_full_unstemmed | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_short | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_sort | технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| topic | Технологические процессы |
| topic_facet | Технологические процессы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140778 |
| work_keys_str_mv | AT novosâdlyisp tehnologiâformirovaniâvysokokačestvennyhkremnievyhépitaksialʹnyhstruktur |