Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур - Новосядлый, С.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1998)
Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя. The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.