Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
Обсуждается получение резистивных тонкопленочных конденсатов ионно-плазменным распылением металлосилицидных и керметных мишеней на установках УВН-75Р-3. The realization of resistive thin-film condensats silicide targets by ion-plasma spraying of metalsilicide and cermet targets on ÓBH-O75P-3 sputter...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Hauptverfasser: | Вакив, Н.М., Погорилко, Я.Р., Шпотюк, О.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140779 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления / Н.М. Вакив, Я.Р. Погорилко, О.И. Шпотюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 26-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
von: Костин, Е.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)