Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
Обсуждается получение резистивных тонкопленочных конденсатов ионно-плазменным распылением металлосилицидных и керметных мишеней на установках УВН-75Р-3. The realization of resistive thin-film condensats silicide targets by ion-plasma spraying of metalsilicide and cermet targets on ÓBH-O75P-3 sputter...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Hauptverfasser: | Вакив, Н.М., Погорилко, Я.Р., Шпотюк, О.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140779 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления / Н.М. Вакив, Я.Р. Погорилко, О.И. Шпотюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 26-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Электронно-лучевой способ испарения графита и получение конденсатов, свободных от примесей вольфрама
von: Курапов, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Курапов, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Устройство для поляризации пьезоэлементов во время пайки составных пьезокерамических преобразователей
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)
Математическое моделирование процесса индукционного нагрева составных пьезокерамических преобразователей
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)
Термозвуковая разварка межсоединений золотой проволокой на медных рамках
von: Емельянов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Емельянов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Высокотемпературные стабильные растворы химического меднения и травления в производстве печатных плат
von: Гилене, О.
Veröffentlicht: (1998)
von: Гилене, О.
Veröffentlicht: (1998)
Модернизация генератора изображений ЭМ-559 БМ
von: Лопаткин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Лопаткин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Сухой пленочный фоторезист как изоляционное покрытие алюминиевых подложек
von: Короткевич, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Короткевич, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Средства управления промышленным оборудованием
von: Коваль, В.Я.
Veröffentlicht: (1999)
von: Коваль, В.Я.
Veröffentlicht: (1999)
Метастабильные состояния в сплавах Co−C, полученных методом ионно-плазменного напыления
von: Рябцев, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Рябцев, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Электронно-лучевая выплавка трубчатых заготовок из сплавов NiCrAlY, используемых в качестве катодов для ионно-плазменного нанесения покрытий
von: Гречанюк, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Гречанюк, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Получение полых титановых слитков методом ЭЛПЕ
von: Патон, Б.Е., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Патон, Б.Е., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ähnliche Einträge
-
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)