Buchumschlag

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление

Предложен метод расчета объемных долей и электросопротивления стекла, наполнителя, кристаллической фазы и пор, определяющих электросопротивление стеклокерамики. The calculation method of volume fraction and electrical resistance of glass, filler, crystal phase and pores, which determined electrical...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	1998
1. Verfasser:	Дмитриев, М.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Schlagworte:	Материалы для компонентов
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140786
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 56-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2000)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
von: Ющук, С.И.
Veröffentlicht: (1998)

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1999)

Деструкция полимерных связующих в поле адсорбционного взаимодействия с поверхностью наполнителя
von: Пащенко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
von: Кавецкий, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Взаимодействие силоксановых связующих инструментальных композитов с поверхностями КНБ и алюмосиликатного слоистого наполнителя
von: Черненко, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Міжнародний маркетинг у сфері торгівлі інтелектуальним продуктом
von: Білорус, О., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Низкотемпературное электросопротивление зинеровских ферромагнетиков
von: Криворучко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Двухслойные наплавочные композиции на основе наполнителя системы легирования Cr–Ti–C
von: Суховая, Е.В.
Veröffentlicht: (2015)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние добавок TiN, Mo, Ni на электросопротивление и прочность горячепрессованного нитрида кремния
von: Ивженко, В.В.
Veröffentlicht: (2009)

Электросопротивление и магнитные свойства керамик двойного допирования La₁,₈₅-₄/₃xSr₀,₁₅+₄/₃xCu₁₋xMnxO₄
von: Ткач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Металлические стёкла
von: Вьюгов, П.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл
von: Соколенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO2-стекло"
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
von: Королюк, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Электросопротивление проводящего материала, содержащего трещины
von: Фельдман, Э.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)