Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть исполь...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140787 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. 2018-07-15T11:48:25Z 2018-07-15T11:48:25Z 1998 Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787 Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Депонированные рукописи Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
| spellingShingle |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. Депонированные рукописи |
| title_short |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
| title_full |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
| title_fullStr |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
| title_full_unstemmed |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
| title_sort |
формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
| author |
Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. |
| author_facet |
Буджак, Я.С. Новосядлый, С.П. |
| topic |
Депонированные рукописи |
| topic_facet |
Депонированные рукописи |
| publishDate |
1998 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787 |
| citation_txt |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT budžakâs formirovanietonkoplenočnogodiélektrikanaosnoveβtantala AT novosâdlyisp formirovanietonkoplenočnogodiélektrikanaosnoveβtantala |
| first_indexed |
2025-12-07T20:36:45Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:36:45Z |
| _version_ |
1850883237178507264 |