Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала

Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть исполь...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:1998
Main Authors: Буджак, Я.С., Новосядлый, С.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862744582795558912
author Буджак, Я.С.
Новосядлый, С.П.
author_facet Буджак, Я.С.
Новосядлый, С.П.
citation_txt Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки.
first_indexed 2025-12-07T20:36:45Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140787
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T20:36:45Z
publishDate 1998
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Буджак, Я.С.
Новосядлый, С.П.
2018-07-15T11:48:25Z
2018-07-15T11:48:25Z
1998
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787
Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Депонированные рукописи
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
Article
published earlier
spellingShingle Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
Буджак, Я.С.
Новосядлый, С.П.
Депонированные рукописи
title Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
title_full Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
title_fullStr Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
title_full_unstemmed Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
title_short Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
title_sort формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала
topic Депонированные рукописи
topic_facet Депонированные рукописи
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787
work_keys_str_mv AT budžakâs formirovanietonkoplenočnogodiélektrikanaosnoveβtantala
AT novosâdlyisp formirovanietonkoplenočnogodiélektrikanaosnoveβtantala