Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 1998
• Main Authors: Буджак, Я.С., Новосядлый, С.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
• Subjects: Депонированные рукописи
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140787
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос.

Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть исполь...