Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями
Исследовались электронные транспортные и термомагнитные свойства нитей висмута, – чистого и легированного Sn и Te, – в широком интервале диаметров, температур и магнитных полей. Досліджувалися електронні транспортні та термомагнетні властивості ниток бисмуту, – чистого й леґованого Sn і Те, – в широ...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140813 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями / A.A. Николаева, Л.А. Конопко, Г.И. Пара, А.К. Цуркан // Металлофизика и новейшие технологии. — 2011. — Т. 33, № 1. — С. 65-75. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860247589796970496 |
|---|---|
| author | Николаева, A.A. Конопко, Л.А. Пара, Г.И. Цуркан, А.К. |
| author_facet | Николаева, A.A. Конопко, Л.А. Пара, Г.И. Цуркан, А.К. |
| citation_txt | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями / A.A. Николаева, Л.А. Конопко, Г.И. Пара, А.К. Цуркан // Металлофизика и новейшие технологии. — 2011. — Т. 33, № 1. — С. 65-75. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Исследовались электронные транспортные и термомагнитные свойства нитей висмута, – чистого и легированного Sn и Te, – в широком интервале диаметров, температур и магнитных полей.
Досліджувалися електронні транспортні та термомагнетні властивості ниток бисмуту, – чистого й леґованого Sn і Те, – в широкому інтервалі діяметрів, температур і магнетних полів.
Electron transport and thermomagnetic properties of wires of both pure bismuth and bismuth doped with Sn and Te are studied in a wide range of diameters, temperatures, and magnetic fields.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:38:40Z |
| format | Article |
| fulltext |
65
PACS numbers: 62.23.Hj, 73.63.Nm, 81.07.Gf, 81.07.Vb, 83.35.Be
Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс
в магнитном поле нанонитей Bi, легированных
акцепторной и донорной примесями
A. A. Николаева*,**, Л. А. Конопко*,**, Г. И. Пара*, А. К. Цуркан*
*Институт электронной инженерии и нанотехнологий им. Д. В. Гицу
Академии наук Молдовы,
ул. Академическая, 3/3,
МD-2028 Кишинев, Молдова
**Международная лаборатория сильных магнитных полей
и низких температур,
Вроцлав, Польша
Исследовались электронные транспортные и термомагнитные свойства
нитей висмута, – чистого и легированного Sn и Te, – в широком интер-
вале диаметров, температур и магнитных полей. Показано, что кванто-
вый размерный эффект приводит к полупроводниковой зависимости R(Т)
при уменьшении диаметра нитей Bi и его сплавов, а также к смене знака
термоэдс. Показано, что в квантовых нитях Bi с помощью легирования,
магнитного поля и упругой деформации можно управлять не только ве-
личиной, но и знаком термоэдс и таким образом существенно влиять на
термоэлектрическую эффективность материала. Установлено, что смеще-
ние размерного максимума на продольном магнетосопротивлении и маг-
нитотермоэдс с температурой отражают характер температурной зависи-
мости подвижности носителей, а его зависимость от деформации растя-
жения при 4,2 К характеризует изменение сечения поверхности Ферми L-
носителей.
Досліджувалися електронні транспортні та термомагнетні властивості
ниток бисмуту, – чистого й леґованого Sn і Те, – в широкому інтервалі
діяметрів, температур і магнетних полів. Показано, що квантовий розмі-
рний ефект призводить до напівпровідникової залежности R(Т) зі змен-
шенням діяметра ниток Bi і його стопів, а також до зміни знаку термоерс і
таким чином істотно впливає на термоелектричну ефективність матерія-
лу. Встановлено, що зміщення розмірного максимуму на поздовжньому
магнетоопорі і магнетотермоерс з температурою відображають характер
температурної залежности рухливості носіїв, а його залежність від дефо-
рмації розтягу при 4,2 К характеризує зміну перерізу поверхні Фермі L-
носіїв.
Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2011, т. 33, № 1, сс. 65—75
Оттиски доступны непосредственно от издателя
Фотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
© 2011 ИМФ (Институт металлофизики
им. Г. В. Курдюмова НАН Украины)
Напечатано в Украине.
66 A. A. НИКОЛАЕВА, Л. А. КОНОПКО, Г. И. ПАРА, А. К. ЦУРКАН
Electron transport and thermomagnetic properties of wires of both pure bis-
muth and bismuth doped with Sn and Te are studied in a wide range of diame-
ters, temperatures, and magnetic fields. As shown, the quantum size effect
leads to both the semiconductor dependence R(T) with decreasing diameter of
Bi or its alloys’ wires and the thermopower sign reversal. As revealed, the
application of doping, magnetic fields, and elastic strain to quantum Bi wires
gives the possibility to control not only the value of thermopower but also its
sign and thus to significantly affect the thermoelectric efficiency of the ma-
terial. As also revealed, the shift of the size maximum in the longitudinal
magnetoresistance and magnetothermopower with temperature represents
the behaviour of the temperature dependence of carrier mobility, and its de-
pendence on tensile strain at 4.2 K characterizes the change in the cross sec-
tion of the Fermi surface of L-carriers.
Ключевые слова: нанонити, термоэлектричество, переход полуметалл—
полупроводник.
(Получено 18 октября 2010 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
В последние годы имеет место неослабевающий интерес к нанони-
тям полуметаллов на основе Bi [1—5]. Исследование электронных
свойств висмута интересно ввиду промежуточного положения, ко-
торое висмут занимает между хорошими металлами и полупровод-
никами.
Малость энергетических зазоров, малые эффективные массы,
высокие подвижности носителей заряда, делают материалы на ос-
нове висмута чрезвычайно чувствительными к внешним воздей-
ствиям, таким как легирование, температура, деформация, маг-
нитные и электрические поля.
В работах [2, 3, 6] было показано, что если диаметр нитей d будет
меньше длины волны де Бройля λ, то в Bi возможна ситуация пере-
хода полуметалл—полупроводник за счет квантового размерного
эффекта. В Bi λ является анизотропной величиной, и максимальное
ее значение составляет 60—70 нм.
Так как в квантовых нанонитях движение электрона ограничено
в направлении перпендикулярном оси нити, то движение в направ-
лении перпендикулярном оси будет квантованным и низший энер-
гетический уровень будет сдвинут на величину:
2 2
* 2
,
c
E
m d
πΔ =
(1)
где
*
cm – средняя эффективная масса электронов. Таким образом,
при некотором значении диаметра нитей d, перекрытие L- и Т-зон
исчезнет и произойдет переход полуметалл—полупроводник.
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СОПРОТИВЛЕНИИ И ТЕРМОЭДС НАНОНИТЕЙ Bi 67
В работе [1, 2] было предсказано значительное повышение термо-
электрической эффективности Z:
2
,Z = α σ χ (2)
где α – коэффициент Зеебека, σ – удельная проводимость, χ –
коэффициент теплопроводности в нитях висмута при переходе по-
луметалл—полупроводник вследствие размерного квантования
энергетического спектра и дополнительного рассеяния фононов на
поверхности.
Цель данной работы – изучение влияния размеров образца, ле-
гирования, температуры и магнитного поля на термоэлектрические
свойства нитей висмута и выявление особенностей проявления в
них размерных эффектов.
2. ОБРАЗЦЫ, МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Нити на основе Bi и его сплавов получались литьем из жидкой фазы
по методу Улитовского и представляли собой монокристаллы стро-
го цилиндрической формы в стеклянной изоляции с ориентацией
( )1011 вдоль оси нити с диаметрами от 50 нм до 1 мкм [7, 8]. Моно-
кристалличность образцов и их ориентация устанавливались с по-
мощью осцилляций Шубникова—де Гааза (ШдГ) и угловых диа-
грамм вращения поперечного магнитосопротивления R(θ). Диа-
граммы вращения поперечного магнитосопротивления ΔR/R(θ)
имеют вид характерный для массивных образцов висмута с ориен-
тацией биссекторной оси вдоль длины нити [9].
Температура Дингла ТД, определяемая из зависимости амплиту-
ды осцилляций ШдГ от магнитного поля, составляла в нитях чисто-
го Bi 1—1,5 К, а в легированном 2—3 К, что говорит о монокристал-
личности и высоком структурном совершенстве исследуемых моно-
кристаллических нитей.
Известно, что Te является донорной примесью, а Sn – акцептор-
ной и при легировании смещение уровня Ферми
T
Fε по шкале энер-
гий происходит вверх и вниз соответственно (вставка на рис. 1). По-
ложение уровня Ферми
T
Fε для нитей, легированных Sn, оценива-
лось из осцилляций ШдГ от Т-дырок, согласно выражению:
( )
1 2
22
nap nap
1
2
2
T T
F g gTE ε = − ε + ε + ε
, (3)
1
nap
,
22
T T
T T
c c
S eh
E
cm m
−Δ
= =
ππ
(4)
где
1( )
T
H e S−Δ = , 200 мэВT
g
ε = ,
1
T
−Δ – минимальная частота,
T
cm
68 A. A. НИКОЛАЕВА, Л. А. КОНОПКО, Г. И. ПАРА, А. К. ЦУРКАН
– минимальная циклотронная масса [10].
Для состава B—0,02 ат.% Sn положение уровня Ферми
T
Fε Т-
дырок, рассчитанное согласно выражениям (2), (3), с учетом того,
что минимальная частота ШдГ осцилляций от Т-дырок
1
T
−Δ иссле-
дуемых нанонитей при H||I (рис. 1) составляла ε = 45 мэВ. Таким об-
Рис. 1. ШдГ осцилляции от Т-дырок на полевых зависимостях продольного
магнитосопротивления R(H), H||I нити B—0,02 ат.% Sn, d = 400 нм, при двух
температурах 4,2 и 2,1 К. На вставке – зонная схема Bi и смещение уровня
Ферми при легировании акцепторной (Sn) и донорной (Te) примесями.
Рис. 2. Температурные зависимости приведенного сопротивления RT/R300
нитей Bi, легированных Sn (а) и Te (б). 1′ – Bi, d = 50 нм; 1″ – Bi, d = 70 нм;
1 – Bi, d = 230 нм; 2 – Bi–0,01 ат.% Sn, d = 300 нм; 3 – Bi–0,02 ат.% Sn, d =
= 200 нм; 4 – Bi–0,025 ат.% Sn, d = 400 нм; 5 – Bi–0,05 ат.% Sn, d = 320 нм;
6 – Bi–0,07 ат.% Sn, d = 350 нм. На вставке зависимость ρ(1/Т) Bi, d = 80
нм) (а); 1 – Bi–0,001 ат.% Te, d = 100 нм, 2 – Bi–0,0025 ат.% Te, d = 200 нм,
3 – Bi–0,005 ат.% Te, d = 300 нм, 4 – Bi–0,02 ат.% Te, d = 300 нм (б).
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СОПРОТИВЛЕНИИ И ТЕРМОЭДС НАНОНИТЕЙ Bi 69
разом, уровень Ферми Т-дырок находился в области запрещенных
энергий в L, и при низких температурах проводимость определяет-
ся только Т-дырками.
При концентрациях Sn более 0,02 ат.% уровень Ферми смещает-
ся в область L- и Т-дырок (вставка на рис. 1).
На рисунке 2, а, б представлены температурные зависимости
приведенного сопротивления нитей чистого Bi и легированного Sn и
Те. «Полупроводниковый» ход зависимости характерен как для
нитей чистого висмута с диаметрами d < 70 нм, так и для слаболеги-
рованных составов близких к чистому Bi, когда примесное рассея-
ние проявляется незначительно, и полупроводниковый ход R(T) объ-
ясняется квантовым размерным эффектом. При легировании более
0,005 ат.% Те и 0,01 ат.% Sn, температурные зависимости R(T) не про-
являют «полупроводникового» хода до диаметров 100 нм.
На рисунке 3, а, б представлены температурные зависимости
термоэдс α(Т) для нитей тех же составов, что и на рис. 2. Смена зна-
ка термоэдс и образование максимума положительной полярности,
их четкая зависимость от диаметра нитей d, наблюдались нами
впервые [4, 8, 12] и трактовались с точки зрения реализации кван-
тового размерного эффекта с учетом рассеяния электронов на шеро-
ховатой поверхности (в виде дельтаобразной флюктуации [11]). Ле-
гирование нитей Bi оловом и теллуром приводит к смещению поло-
жительного максимума на α(Т) в область более высоких температур
и низких температур соответственно (рис. 3, а, б). В нитях Bi, леги-
рованных Те (> 0,0025 ат.% Те), термоэдс отрицательна во всей об-
Рис. 3. Температурные зависимости термоэдс нитей Bi, легированных Sn
(а) и Te (б). 1 – Bi, d = 230 нм; 2 – Bi–0,01 ат.% Sn, d = 300 нм; 3 – Bi–
0,02 ат.% Sn, d = 200 нм; 4 – Bi–0,025 ат.% Sn, d = 400 нм; 5 – Bi–0,05
ат.% Sn, d = 320 нм; 6 – Bi–0,07 ат.% Sn, d = 350 нм (а). 1 – Bi–0,001
ат.% Te, d = 100 нм, 2 – Bi–0,0025 ат.% Te, d = 200 нм, 3 – Bi–0,005 ат.%
Te, d = 300 нм, 4 – Bi–0,02 ат.% Te, d = 300 нм (б).
70 A. A. НИКОЛАЕВА, Л. А. КОНОПКО, Г. И. ПАРА, А. К. ЦУРКАН
ласти температур.
Обобщенный график зависимости Power Factor (P.F.) = α2σ от
температуры нитей Bi с различным содержанием Sn приведен на
рис. 4. Максимальное значение P.F. при 30 К наблюдается в нитях
чистого Bi при 35 К. Легирование Sn приводит к сдвигу максимума
на температурной зависимости в область более высоких температур
100—120 К.
Исследовалось влияние слабого μH < 1 и сильного μH > 1 магнит-
ных полей на размерные особенности в магнитосопротивлении и
Рис. 4. Зависимость Power Factor от температуры нитей Bi, легированных
Sn,рассчитанная по данным рис. 2, а и 3, а.
Рис. 5. Полевые зависимости продольного магнитосопротивления R(H) (а)
и магнитотермоэдс α(Н) (б) нити Bi d = 300 нм при различных температу-
рах. Вставка на рис. 5, а – смещение Нмакс на R(H); вставка на рис. 5, б –
смещение Нмакс на α(H) от температуры.
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СОПРОТИВЛЕНИИ И ТЕРМОЭДС НАНОНИТЕЙ Bi 71
магнитотермоэдс. На рисунке 5, а, б приведены полевые зависимо-
сти ΔR/R(H) и термоэдс α(Н) нитей Bi с d = 350 нм. При 4,2 К поле-
вая зависимость R(H) в продольном поле имеет особенность в виде
максимума на R(H), обнаруженная нами на нитях висмута [7] и со-
ответствующая условию классического размерного эффекта Чам-
берса. Было найдено, что при 4,2 К положение Hмакс линейно зави-
сит от диаметра нитей d и имеет значение:
макс
макс
,
D c
H
ed
= (5)
где Dмакс – экстремальный поперечник сечения поверхности Ферми
в плоскости, перпендикулярной оси нити. Впоследствии данное за-
ключение было подтверждено в работе [2] при исследовании нано-
нитей висмута в виде множества нитей (nanowires arrays), т.е. в
нанонитях Bi, полученных совершенно иным способом. Как было
показано [13] и впоследствии широко применялось Н. П. Гайдуко-
вым [14], более строго, особенно в области высоких температур, для
объяснения аномального максимума продольного магнитосопро-
тивления в нитях и пленках Bi при более высоких температурах,
следовало применить выражение:
макс
макс
,
D c
H
e dl
= (6)
где l – длина свободного пробега носителей. Тогда становится по-
нятным зависимость Hмакс на R(H) и α(H), (H||I) от температуры
(вставки на рис. 5, а, б), которая фактически отражает зависимость
подвижности носителей от температуры в нитях висмута, а макси-
мум на R(H) разграничивает области сильного и слабого магнитных
полей μН < 1 и μН > 1, в области максимума μН = 1. В сильных маг-
нитных полях термоэдс положительна и практически не зависит от
температуры, т.е. поведение α(Т) (рис. 5, кривая 5), аналогично по-
ведению α(H) массивных образцов Bi данной кристаллографиче-
ской ориентации.
На рисунке 6 приведены температурные зависимости сопротив-
ления R(Т) нити Bi с d = 50 нм при различных значениях магнитно-
го поля Н. Показано, что «полупроводниковый» ход R(Т) при Н = 0
Тл подавляется сильным магнитным полем и происходит обратный
переход полупроводник—полуметалл. Кривая 8, аналогична зави-
симостям R(T) для нитей Bi с d > 200 нм [8].
Аналогичный переход был индуцирован упругой деформацией
нитей (рис. 7). Как было показано в [8, 14] при деформации типа
одноосного растяжения нитей Bi, происходит перетекание носите-
лей из одного электронного эллипсоида L1, вытянутого вдоль оси
нити, в два других L2,3, симметрично расположенных относительно
оси нити.
72 A. A. НИКОЛАЕВА, Л. А. КОНОПКО, Г. И. ПАРА, А. К. ЦУРКАН
В нитях Bi с d = 50 нм, где вследствие проявления квантового
размерного эффекта имеет место переход полуметалл—
полупроводник, при упругом растяжении, смещение L2,3 электрон-
ных эллипсоидов по шкале энергий вниз приводит к «подавлению»
полупроводниковой зависимости R(T) и переходу к «металличе-
Рис. 6. Температурные зависимости сопротивления R(T) нити Bi d = 50 нм
при различных значениях магнитного поля Н (H||I). 1 – Н = 0 Тл, 2 – Н =
= 2,5 Тл, 3 – Н = 4,2 Тл, 4 – Н = 6 Тл, 5 – Н = 6,5 Тл, 6 – Н = 7 Тл, 7 –
Н = 7,5 Тл, 8 – Н = 10 Тл. Вставка – полевая зависимость продольного
магнитосопротивления R(Н) приТ = 4,2К.
Рис. 7. Температурные зависимости относительного сопротивления ΔR/R100
нити Bi d = 50 нм при ξ = 0 и при упругой деформации 2,1%. На вставках:
деформационные зависимости приведенного сопротивления Rξ/R0 нити Bi
d = 50 нм (1) и нити Bi—0,0025 ат.% d = 200 нм (2), Т = 4,2 К; схематическое
смещение энергетических L экстремумов при деформации.
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СОПРОТИВЛЕНИИ И ТЕРМОЭДС НАНОНИТЕЙ Bi 73
ской» зависимости R(T) в области температур 4,2—40 К. На вставке
справа приведены деформационные зависимости сопротивления
нитей Bi, d = 50 нм (кривая 1) и нити Bi—0,0025 ат.% Те (кривая 2),
у которой уровень Ферми расположен выше потолка валентной зо-
ны в Т при 4,2 К. В отличие от аналогичных зависимостей R(ξ) для
нитей Bi с d > 100 нм, R(ξ) носит падающий характер, как и в нитях
Bi, легированных Те с содержанием Те > 0,0025 ат.%. Таким обра-
зом, деформационная зависимость сопротивления R(ξ) нанонити Bi
с d = 50 нм, Т = 4,2 К, указывает на отсутствие Т-дырок, т.е. снятие
перекрытия L- и Т-зон, вследствие квантового размерного эффекта.
Представляло интерес исследовать влияние упругой деформации
на продольное магнитосопротивление R(H) в нитях Bi, легирован-
ных Sn, когда уровень Ферми находится в области запрещенной зо-
ны в точке L, т.е. носители L отсутствуют и при Т = 4,2 К проводи-
мость осуществляется только Т-дырками (рис. 8). Кривая 1 на рис. 8
не имеет характерного максимума на R(H), присущего зависимо-
стям R(H) для нитей чистого Bi (рис. 5, а), так как L-носители от-
сутствуют. Как уже указывалось выше, согласно расчетам (3, 4) из
осцилляций ШдГ (рис. 1) установлено, что уровень Ферми Т-дырок
находится ниже потолка валентной зоны в Т 45 меВT
Fε = , т.е.
T
Fε
находится на середине запрещенной зоны в L.
При упругом растяжении, при некотором значении нагрузки, в
области слабых магнитных полей появляется максимум, положе-
Рис. 8. Полевые зависимости продольного магнитосопротивления H||I, ни-
ти Bi—0,02 ат.% Sn, d = 450 нм, при различных значениях упругой дефор-
мации: 1 – ξ = 0%, 2 – ξ = 0,54%, 3 – ξ = 0,81%, 4 – ξ = 1,22%, 5 – ξ =
= 1,62%, 6 – ξ = 1,76%, 7 – ξ = 1,96%, 8 – ξ = 2,05%, 9 – ξ = 2,3%. На
вставке приведена зависимость частоты осцилляций Шубникова–де Гааза
f L2,3-эллипсоидов от относительного удлинения 0 0
( )l l lξ = − (а); началь-
ный участок кривых R(H), а на вставке приведено смещение Hмакс на ρ(Н)
от величины деформации ξ,Т = 4,2К (б).
74 A. A. НИКОЛАЕВА, Л. А. КОНОПКО, Г. И. ПАРА, А. К. ЦУРКАН
ние и величина которого возрастают с увеличением нагрузки
(вставка на рис. 6). Одновременно при некотором значении магнит-
ного поля Н на полевых зависимостях любых R(Н) появляются
ШдГ-осцилляции от L-носителей в слабых магнитных полях, ча-
стота которых растет с возрастанием нагрузки и область существо-
вания смещается в область более сильных магнитных полей (встав-
ка на рис. 8, а, б). Установлено, что величина возрастания сечения
L-эллипсоидов, оцененная из ШдГ-осцилляций 1
1
( )
TS
f
eH−= =
Δ
,
совпадает с величиной, оцененной из смещения размерного макси-
мума Hмакс согласно (5) (вставка на рис. 8, б), в слабом магнитном
поле при растяжении. Таким образом, этот метод может быть ис-
пользован для оценки изменения сечения поверхности Ферми L-
носителей при деформациях в нитях на основе висмута и его спла-
вов, где реализуется классический размерный эффект. В отличие от
метода ШдГ-осцилляций, метод не требует использования сильных
магнитных полей и расчетов периодов ШдГ-осцилляций.
3. ВЫВОДЫ
Исследовались электронные транспортные и термомагнитные свой-
ства чистого и легированного Sn и Те нитей висмута в широком ин-
тервале диаметров, температур и магнитных полей. Показано, что
квантовый размерный эффект приводит к полупроводниковой за-
висимости R(Т) при уменьшении диаметра нитей Bi и его сплавов, а
также к смене знака термоэдс. Установлено, что слабое магнитное
поле (Н||Т) приводит к существенному возрастанию магнитотермо-
эдс, что в свою очередь приводит к росту Power Factor, а сильное
магнитное поле μH > 1 и упругая деформация растяжения приводят
к обратному переходу полупроводник—полуметалл в нитях Bi с d <
< 70 нм, в которых реализуется квантовый размерный эффект.
Показано, что в квантовых нитях Bi с помощью легирования,
магнитного поля и упругой деформации можно управлять не только
величиной, но и знаком термоэдс, и таким образом существенно
влиять на термоэлектрическую эффективность материала. Уста-
новлено, что смещение размерного максимума на продольном маг-
нитосопротивлении и магнитотермоэдс с температурой отражают
характер температурной зависимости подвижностей носителей, а
его зависимость от деформации растяжения при 4,2 К характеризу-
ет изменение сечения поверхности Ферми L-носителей.
Данная работа выполнена при поддержке проекта SCOPES
IZ73ZO_127968 ‘Functional Nanowires’ и Ukrainian project
10.820.05.08.UF.
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СОПРОТИВЛЕНИИ И ТЕРМОЭДС НАНОНИТЕЙ Bi 75
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B, 47, No. 19: 12727 (1993).
2. Y.-M. Lin, X. Sun, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B, 62, No. 7: 4610 (2000).
3. J. Heremans, C. M. Thrush, Y.-M. Lin et al., Phys. Rev. B, 61, No. 4: 2921
(2000).
4. A. Nikolaeva, T. E. Huber, D. Gitsu, and L. Konopko, Phys. Rev. B, 77, No. 3:
035422 (2008).
5. J. P. Heremans, C. M. Trush, D. T. Morelli, and M. C. Wu, Phys. Rev. Lett., 88:
216801 (2002).
6. В. Б. Сандомирский, ЖЭТФ, 52: 158 (1967).
7. Н. Б. Брандт, Д. В. Гицу, А. А. Николаева, Я. Г. Пономарев, ЖЭТФ, 72:
2332 (1977).
8. D. Gitsu, L. Konopko, A. Nikolaeva, and T. E. Huber, Appl. Phys. Lett., 86:
102105 (2005).
9. П. П. Бодюл, Д. В. Гицу, А. С. Федорко, ФТТ, 11: 491 (1969).
10. Н. Б. Брандт, Р. Мюллер, Я. Г. Пономарев, ЖЭТФ, 71: 2268 (1976).
11. E. Synyavsky, V. Solovenko, A. Nikolaeva et al., Thermoelectricity, No. 3: 52
(2007).
12. А. А. Nikolaeva, L. A. Konopko, А. K. Tsurkan, and Т. Е. Huber, Thermoelec-
tricity, No. 3: 41 (2009).
13. Н. Я. Азбель, ЖЭТФ, 44: 1262 (1963).
14. Ю. П. Гайдуков, УФН, 142, № 4: 571 (1984).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140813 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:38:40Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Николаева, A.A. Конопко, Л.А. Пара, Г.И. Цуркан, А.К. 2018-07-16T06:37:31Z 2018-07-16T06:37:31Z 2011 Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями / A.A. Николаева, Л.А. Конопко, Г.И. Пара, А.К. Цуркан // Металлофизика и новейшие технологии. — 2011. — Т. 33, № 1. — С. 65-75. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 62.23.Hj, 73.63.Nm, 81.07.Gf, 81.07.Vb, 83.35.Be https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140813 Исследовались электронные транспортные и термомагнитные свойства нитей висмута, – чистого и легированного Sn и Te, – в широком интервале диаметров, температур и магнитных полей. Досліджувалися електронні транспортні та термомагнетні властивості ниток бисмуту, – чистого й леґованого Sn і Те, – в широкому інтервалі діяметрів, температур і магнетних полів. Electron transport and thermomagnetic properties of wires of both pure bismuth and bismuth doped with Sn and Te are studied in a wide range of diameters, temperatures, and magnetic fields. Данная работа выполнена при поддержке проекта SCOPES IZ73ZO_127968 ‘Functional Nanowires’ и Ukrainian project 10.820.05.08.UF. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями Size Effects in Resistance and Thermopower in Magnetic Field of Bi Nanowires Alloyed with Acceptor and Donor Impurities Article published earlier |
| spellingShingle | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями Николаева, A.A. Конопко, Л.А. Пара, Г.И. Цуркан, А.К. Электронные структура и свойства |
| title | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями |
| title_alt | Size Effects in Resistance and Thermopower in Magnetic Field of Bi Nanowires Alloyed with Acceptor and Donor Impurities |
| title_full | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями |
| title_fullStr | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями |
| title_full_unstemmed | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями |
| title_short | Размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей Bi, легированных акцепторной и донорной примесями |
| title_sort | размерные эффекты в сопротивлении и термоэдс в магнитном поле нанонитей bi, легированных акцепторной и донорной примесями |
| topic | Электронные структура и свойства |
| topic_facet | Электронные структура и свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140813 |
| work_keys_str_mv | AT nikolaevaaa razmernyeéffektyvsoprotivleniiitermoédsvmagnitnompolenanoniteibilegirovannyhakceptornoiidonornoiprimesâmi AT konopkola razmernyeéffektyvsoprotivleniiitermoédsvmagnitnompolenanoniteibilegirovannyhakceptornoiidonornoiprimesâmi AT paragi razmernyeéffektyvsoprotivleniiitermoédsvmagnitnompolenanoniteibilegirovannyhakceptornoiidonornoiprimesâmi AT curkanak razmernyeéffektyvsoprotivleniiitermoédsvmagnitnompolenanoniteibilegirovannyhakceptornoiidonornoiprimesâmi AT nikolaevaaa sizeeffectsinresistanceandthermopowerinmagneticfieldofbinanowiresalloyedwithacceptoranddonorimpurities AT konopkola sizeeffectsinresistanceandthermopowerinmagneticfieldofbinanowiresalloyedwithacceptoranddonorimpurities AT paragi sizeeffectsinresistanceandthermopowerinmagneticfieldofbinanowiresalloyedwithacceptoranddonorimpurities AT curkanak sizeeffectsinresistanceandthermopowerinmagneticfieldofbinanowiresalloyedwithacceptoranddonorimpurities |