Динамика развития радиационной ползучести при генерации вакансий скользящими дислокациями

• Опубліковано в: : Металлофизика и новейшие технологии
• Дата: 2011
• Автори: Селищев, П.А., Диденко, Т.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Теми: Дефекты кристаллической решётки
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140819
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Динамика развития радиационной ползучести при генерации вакансий скользящими дислокациями / П.А. Селищев, Т.П. Диденко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2011. — Т. 33, № 1. — С. 131-140. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

В рамках механизма «скольжения—переползания» дислокаций изучено влияние генерации вакансий скользящими дислокациями на изменение концентрации точечных дефектов в облучаемом материале. Получены стационарные распределения для концентраций междоузельных атомов и вакансий, исследована их устойчивость, построены фазовые портреты для изменения концентрации точечных дефектов. Найдено установившееся значение скорости ползучести и изменение скорости ползучести в нестационарном режиме. В межах механізму «ковзання—переповзання» дислокацій вивчено вплив ґенерації вакансій ковзними дислокаціями на зміну концентрації точкових дефектів в опроміненому матеріялі. Одержано стаціонарні розподіли для концентрацій міжвузловинних атомів і вакансій, досліджено їх стійкість, побудовано фазові портрети для зміни концентрації точкових дефектів. Знайдено усталене значення швидкости плазучости і зміну швидкости плазучости в нестаціонарному режимі. Within the scope of the dislocations’ ‘glide—climb’ model, the effect of generation of vacancies by gliding dislocations on the change in the concentration of point defects in irradiated material is studied. The stationary distributions for the concentrations of interstitial atoms and vacancies are obtained, their stability is investigated, phase portraits for a change of the concentration of point defects are plotted. A steady value of creep rate and the change of creep rate during the transient mode are determined.