Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью

Эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, имеет важное значение как для исследования фундаментальных свойств твердых тел, так и для создания новых типов уникальных технических устройств. Цел...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Радіофізика та електроніка
Date:2018
Main Authors: Белецкий, Н.Н., Борисенко, С.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140826
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2018. — Т. 23, № 2. — С. 54-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-140826
record_format dspace
spelling Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
2018-07-16T17:33:09Z
2018-07-16T17:33:09Z
2018
Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2018. — Т. 23, № 2. — С. 54-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1028-821X
PACS: 41.20.Jb
DOI: doi.org/10.15407/rej2018.02.054
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140826
537.811:539.2
Эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, имеет важное значение как для исследования фундаментальных свойств твердых тел, так и для создания новых типов уникальных технических устройств. Целью работы является исследование эффекта прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью в широком диапазоне параметров трехслойной структуры.
Ефект безвідбивного проходження електромагнітних хвиль через тришарову структуру, що містить шар з негативною діелектричною проникністю, має важливе значення як для дослідження фундаментальних властивостей твердих тіл, так і для створення нових типів унікальних технічних пристроїв. Метою роботи є дослідження ефекту проходження електромагнітних хвиль через тришарову структуру, що містить шар з негативною діелектричною проникністю в широкому діапазоні параметрів тришарової структури.
The effect of reflectionless transmission (tunneling) of electromagnetic waves through the three-layer structure containing a negative-permittivity layer is of great importance both for studying the fundamental properties of solids and for developing new types of unique technical devices. There is a need for investigation of the effect of reflectionless transmission of electromagnetic waves through the three-layer structure containing a negative-permittivity layer in a wide range of the three-layer structure parameters.
ru
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Радіофізика та електроніка
Радиофизика твердого тела и плазмы
Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
Тунелювання електромагнітних хвиль через тришарову структуру, яка містить шар з негативною діелектричною проникністю
Tunneling of electromagnetic waves through the three-layered structure containing a negative-permittivity layer
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
spellingShingle Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
Радиофизика твердого тела и плазмы
title_short Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
title_full Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
title_fullStr Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
title_full_unstemmed Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
title_sort туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью
author Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
author_facet Белецкий, Н.Н.
Борисенко, С.А.
topic Радиофизика твердого тела и плазмы
topic_facet Радиофизика твердого тела и плазмы
publishDate 2018
language Russian
container_title Радіофізика та електроніка
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
format Article
title_alt Тунелювання електромагнітних хвиль через тришарову структуру, яка містить шар з негативною діелектричною проникністю
Tunneling of electromagnetic waves through the three-layered structure containing a negative-permittivity layer
description Эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, имеет важное значение как для исследования фундаментальных свойств твердых тел, так и для создания новых типов уникальных технических устройств. Целью работы является исследование эффекта прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью в широком диапазоне параметров трехслойной структуры. Ефект безвідбивного проходження електромагнітних хвиль через тришарову структуру, що містить шар з негативною діелектричною проникністю, має важливе значення як для дослідження фундаментальних властивостей твердих тіл, так і для створення нових типів унікальних технічних пристроїв. Метою роботи є дослідження ефекту проходження електромагнітних хвиль через тришарову структуру, що містить шар з негативною діелектричною проникністю в широкому діапазоні параметрів тришарової структури. The effect of reflectionless transmission (tunneling) of electromagnetic waves through the three-layer structure containing a negative-permittivity layer is of great importance both for studying the fundamental properties of solids and for developing new types of unique technical devices. There is a need for investigation of the effect of reflectionless transmission of electromagnetic waves through the three-layer structure containing a negative-permittivity layer in a wide range of the three-layer structure parameters.
issn 1028-821X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140826
citation_txt Туннелирование электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью / Н.Н. Белецкий, С.А. Борисенко // Радіофізика та електроніка. — 2018. — Т. 23, № 2. — С. 54-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT beleckiinn tunnelirovanieélektromagnitnyhvolnčereztrehsloinuûstrukturusoderžaŝuûsloisotricatelʹnoidiélektričeskoipronicaemostʹû
AT borisenkosa tunnelirovanieélektromagnitnyhvolnčereztrehsloinuûstrukturusoderžaŝuûsloisotricatelʹnoidiélektričeskoipronicaemostʹû
AT beleckiinn tunelûvannâelektromagnítnihhvilʹčereztrišarovustrukturuâkamístitʹšarznegativnoûdíelektričnoûproniknístû
AT borisenkosa tunelûvannâelektromagnítnihhvilʹčereztrišarovustrukturuâkamístitʹšarznegativnoûdíelektričnoûproniknístû
AT beleckiinn tunnelingofelectromagneticwavesthroughthethreelayeredstructurecontaininganegativepermittivitylayer
AT borisenkosa tunnelingofelectromagneticwavesthroughthethreelayeredstructurecontaininganegativepermittivitylayer
first_indexed 2025-12-07T21:17:56Z
last_indexed 2025-12-07T21:17:56Z
_version_ 1850885827311173632