Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів

• Опубліковано в: : Доповіді НАН України
• Дата: 2018
• Автор: Гайдар, Г.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2018
• Теми: Фізика
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/141178
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського. Установлены особенности изменений электрофизических параметров и микроструктуры легированных примесью мышьяка монокристаллов n-Ge, которые происходили при термоотжигах в широком интервале температур. Полученные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры отжига объяснено процессами перестройки примесных комплексов в сильно легированных кристаллах германия, выращенных методом Чохральского. Specific features of variations in the electrophysical parameters and microstructure of n-Ge single crystals doped with the arsenic impurity that occur during thermal annealings in a wide temperature range are established. The obtained dependences of the concentration and mobility of charge carriers on the annealing temperature are explained by the processes of restructuring of impurity complexes in the strongly doped germanium crystals grown by the Czochralski method.