Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані
 залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено проц...
Saved in:
| Published in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/141178 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862635675728216064 |
|---|---|
| author | Гайдар, Г.П. |
| author_facet | Гайдар, Г.П. |
| citation_txt | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані
залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського.
Установлены особенности изменений электрофизических параметров и микроструктуры легированных
примесью мышьяка монокристаллов n-Ge, которые происходили при термоотжигах в широком интервале температур. Полученные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры отжига объяснено процессами перестройки примесных комплексов в сильно легированных кристаллах
германия, выращенных методом Чохральского.
Specific features of variations in the electrophysical parameters and microstructure of n-Ge single crystals doped
with the arsenic impurity that occur during thermal annealings in a wide temperature range are established.
The obtained dependences of the concentration and mobility of charge carriers on the annealing temperature
are explained by the processes of restructuring of impurity complexes in the strongly doped germanium crystals
grown by the Czochralski method.
|
| first_indexed | 2025-11-30T17:42:02Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-141178 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-30T17:42:02Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гайдар, Г.П. 2018-08-08T17:59:49Z 2018-08-08T17:59:49Z 2018 Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2018.06.058 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/141178 621.315.592.3 Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані
 залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського. Установлены особенности изменений электрофизических параметров и микроструктуры легированных
 примесью мышьяка монокристаллов n-Ge, которые происходили при термоотжигах в широком интервале температур. Полученные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры отжига объяснено процессами перестройки примесных комплексов в сильно легированных кристаллах
 германия, выращенных методом Чохральского. Specific features of variations in the electrophysical parameters and microstructure of n-Ge single crystals doped
 with the arsenic impurity that occur during thermal annealings in a wide temperature range are established.
 The obtained dependences of the concentration and mobility of charge carriers on the annealing temperature
 are explained by the processes of restructuring of impurity complexes in the strongly doped germanium crystals
 grown by the Czochralski method. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів Изменение электрофизических свойств сильно легированных монокристаллов n-Ge 〈As〉 под влиянием термоотжигов Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge〈As〉 under the effect of thermal annealings Article published earlier |
| spellingShingle | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів Гайдар, Г.П. Фізика |
| title | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_alt | Изменение электрофизических свойств сильно легированных монокристаллов n-Ge 〈As〉 под влиянием термоотжигов Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge〈As〉 under the effect of thermal annealings |
| title_full | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_fullStr | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_full_unstemmed | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_short | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
| title_sort | зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-ge 〈as〉 під впливом термовідпалів |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/141178 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp zmínaelektrofízičnihvlastivosteisilʹnolegovanihmonokristalívngeaspídvplivomtermovídpalív AT gaidargp izmenenieélektrofizičeskihsvoistvsilʹnolegirovannyhmonokristallovngeaspodvliâniemtermootžigov AT gaidargp variationsinelectrophysicalpropertiesofheavilydopedsinglecrystalsofngeasundertheeffectofthermalannealings |