Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами пе...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| 1. Verfasser: | Гайдар, Г.П. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/141178 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2018. — № 6. — С. 58-66. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2020) -
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2019)