Моделирование зарядных цепей емкостных накопителей энергии со звеном повышенной частоты

• Опубліковано в: : Електротехніка і електромеханіка
• Дата: 2006
• Автор: Дубовенко, К.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут технічних проблем магнетизму НАН України 2006
• Теми: Теоретична електротехніка
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142717
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Моделирование зарядных цепей емкостных накопителей энергии со звеном повышенной частоты / К.В. Дубовенко // Електротехніка і електромеханіка. — 2006. — № 3. — С. 58-63. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Предложен специализированный экономичный алгоритм численного анализа процессов зарядки емкостных накопителей энергии в зарядных цепях, содержащих полупроводниковые преобразователи частоты. Метод обладает достаточной для практики точностью, позволяет избежать применения громоздких разностных схем, используемых при решении жестких систем дифференциальных уравнений, и позволяет в 100-1000 раз сократить время расчета характеристик зарядки емкостных накопителей энергии большой энергоемкости. Запропоновано спеціалізований економічний алгоритм чисельного аналізу процесів заряджання ємнісних накопичувачів енергії у зарядних колах, що вміщають напівпровідникові перетворювачі частоти. Метод має достатню для практики точність, дозволяє уникнути застосування громіздких різницевих схем, що використовуються для вирішення жорстких систем диференційних рівнянь, і дозволяє у 100-1000 разів скоротити час розрахунків характеристик заряджання ємнісних накопичувачів енергії великої енергоємності. A specialized economical algorithm for numerical analysis of capacitor storage charging in charging circuits with semiconductor frequency converters is introduced. The approach is accurate enough real-world applications, allows avoiding bulky difference schemes used in solving stiff sets of differential equations. With the method, charging calculation time is reduced by a 100-to-1000 factor for capacitor storages of high capacitance.