Расчёт электрического поля системы плоских электродов с твёрдым диэлектриком

• Published in: Електротехніка і електромеханіка
• Date: 2006
• Main Authors: Рудаков, В.В., Покладов, О.В., Кравченко, Ю.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут технічних проблем магнетизму НАН України 2006
• Subjects: Техніка сильних електричних та магнітних полів
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142742
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Расчёт электрического поля системы плоских электродов с твёрдым диэлектриком / В.В. Рудаков, О.В. Покладов, Ю.В. Кравченко // Електротехніка і електромеханіка. — 2006. — № 4. — С. 72-75. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

В статье рассмотрен вопрос расчёта электрического поля системы двух плоских электродов применительно для генератора импульсов тока Фитча с использованием интегральных уравнений Фредгольма 1-го и 2-го рода. Получены зависимости относительной напряжённости электрического поля от отношения радиуса закругления электрода к общей толщине изоляции. Даны рекомендации по выбору радиуса закругления электродов и способу закладки изоляции. В статті розглянуто питання розрахунку електричного поля системи двох плоских електродів стосовно генератора імпульсів струму Фітча з використанням інтегральних рівнянь Фредгольма 1-го та 2-го роду. Отримана залежність відносної напруженості електричного поля залежно від відношення радіусу закруглення електрода до загальної товщини ізоляції. Приведені рекомендації щодо вибору радіусу закруглення електродів та способу закладання ізоляції. In the article, an electric field computation problem for a system of two flat tips is considered as applied to a Fitch current-impulse generator, with utilization of Fredgolm’s integral first- and second-order equations. Dependences of relative electric field strength from tip-corner radius - general insulation thickness relation are obtained. Recommendations as for tip-corner radius choice and insulation laying procedure are given.