Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах

• Опубліковано в: : Електротехніка і електромеханіка
• Дата: 2006
• Автори: Кравченко, В.И., Яковенко, И.В., Лосев, Ф.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут технічних проблем магнетизму НАН України 2006
• Теми: Техніка сильних електричних та магнітних полів
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142761
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах / В.И. Кравченко, И.В. Яковенко, Ф.В. Лосев // Електротехніка і електромеханіка. — 2006. — № 5. — С. 64-66. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне. Запропонована аналітична модель механізму взаємодії струмів, що виникають внаслідок дії імпульсного електромагнітного випромінювання у провідних елементах електрорадіовиробів, з власними електромагнітними коливаннями структур метал – діелектрик – напівпровідник. Визначено інкремент нестійкості, обумовлений взаємодією такого роду, що визначає збудження коливань у субміліметровому діапазоні. The paper presents an analytical model of an interaction mechanism for currents arising due to action of electromagnetic radiation in current – conducting elements of electric radio apparatus with inner electromagnetic oscillations of metal – dielectric – semiconductor structures. An instability increment that results from this interaction and specifies oscillation excitation in a submillimeter range is determined.