Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах
Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обу...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Електротехніка і електромеханіка |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут технічних проблем магнетизму НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142761 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах / В.И. Кравченко, И.В. Яковенко, Ф.В. Лосев // Електротехніка і електромеханіка. — 2006. — № 5. — С. 64-66. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
Запропонована аналітична модель механізму взаємодії струмів, що виникають внаслідок дії імпульсного електромагнітного випромінювання у провідних елементах електрорадіовиробів, з власними електромагнітними коливаннями структур метал – діелектрик – напівпровідник. Визначено інкремент нестійкості, обумовлений взаємодією такого роду, що визначає збудження коливань у субміліметровому діапазоні.
The paper presents an analytical model of an interaction mechanism for currents arising due to action of electromagnetic radiation in current – conducting elements of electric radio apparatus with inner electromagnetic oscillations of metal – dielectric – semiconductor structures. An instability increment that results from this interaction and specifies oscillation excitation in a submillimeter range is determined.
|
|---|---|
| ISSN: | 2074-272X |