Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах
Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обу...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Електротехніка і електромеханіка |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут технічних проблем магнетизму НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142761 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах / В.И. Кравченко, И.В. Яковенко, Ф.В. Лосев // Електротехніка і електромеханіка. — 2006. — № 5. — С. 64-66. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-142761 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Кравченко, В.И. Яковенко, И.В. Лосев, Ф.В. 2018-10-15T16:28:14Z 2018-10-15T16:28:14Z 2006 Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах / В.И. Кравченко, И.В. Яковенко, Ф.В. Лосев // Електротехніка і електромеханіка. — 2006. — № 5. — С. 64-66. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2074-272X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142761 621.318 Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне. Запропонована аналітична модель механізму взаємодії струмів, що виникають внаслідок дії імпульсного електромагнітного випромінювання у провідних елементах електрорадіовиробів, з власними електромагнітними коливаннями структур метал – діелектрик – напівпровідник. Визначено інкремент нестійкості, обумовлений взаємодією такого роду, що визначає збудження коливань у субміліметровому діапазоні. The paper presents an analytical model of an interaction mechanism for currents arising due to action of electromagnetic radiation in current – conducting elements of electric radio apparatus with inner electromagnetic oscillations of metal – dielectric – semiconductor structures. An instability increment that results from this interaction and specifies oscillation excitation in a submillimeter range is determined. ru Інститут технічних проблем магнетизму НАН України Електротехніка і електромеханіка Техніка сильних електричних та магнітних полів Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах Instability of surface waves at their interaction with a charged particle flux in semiconductor structure Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах |
| spellingShingle |
Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах Кравченко, В.И. Яковенко, И.В. Лосев, Ф.В. Техніка сильних електричних та магнітних полів |
| title_short |
Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах |
| title_full |
Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах |
| title_fullStr |
Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах |
| title_full_unstemmed |
Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах |
| title_sort |
неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах |
| author |
Кравченко, В.И. Яковенко, И.В. Лосев, Ф.В. |
| author_facet |
Кравченко, В.И. Яковенко, И.В. Лосев, Ф.В. |
| topic |
Техніка сильних електричних та магнітних полів |
| topic_facet |
Техніка сильних електричних та магнітних полів |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Електротехніка і електромеханіка |
| publisher |
Інститут технічних проблем магнетизму НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Instability of surface waves at their interaction with a charged particle flux in semiconductor structure |
| description |
Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
Запропонована аналітична модель механізму взаємодії струмів, що виникають внаслідок дії імпульсного електромагнітного випромінювання у провідних елементах електрорадіовиробів, з власними електромагнітними коливаннями структур метал – діелектрик – напівпровідник. Визначено інкремент нестійкості, обумовлений взаємодією такого роду, що визначає збудження коливань у субміліметровому діапазоні.
The paper presents an analytical model of an interaction mechanism for currents arising due to action of electromagnetic radiation in current – conducting elements of electric radio apparatus with inner electromagnetic oscillations of metal – dielectric – semiconductor structures. An instability increment that results from this interaction and specifies oscillation excitation in a submillimeter range is determined.
|
| issn |
2074-272X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142761 |
| citation_txt |
Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах / В.И. Кравченко, И.В. Яковенко, Ф.В. Лосев // Електротехніка і електромеханіка. — 2006. — № 5. — С. 64-66. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kravčenkovi neustoičivostʹpoverhnostnyhvolnpriihvzaimodeistviispotokomzarâžennyhčasticvpoluprovodnikovyhstrukturah AT âkovenkoiv neustoičivostʹpoverhnostnyhvolnpriihvzaimodeistviispotokomzarâžennyhčasticvpoluprovodnikovyhstrukturah AT losevfv neustoičivostʹpoverhnostnyhvolnpriihvzaimodeistviispotokomzarâžennyhčasticvpoluprovodnikovyhstrukturah AT kravčenkovi instabilityofsurfacewavesattheirinteractionwithachargedparticlefluxinsemiconductorstructure AT âkovenkoiv instabilityofsurfacewavesattheirinteractionwithachargedparticlefluxinsemiconductorstructure AT losevfv instabilityofsurfacewavesattheirinteractionwithachargedparticlefluxinsemiconductorstructure |
| first_indexed |
2025-12-07T16:16:54Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:16:54Z |
| _version_ |
1850866888701116416 |