Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі
Рассмотрена гибридная структура сильнотокового высоковольтного безснаберного двоквадрантного ключа знакопеременного тока с точки зрения реализации позитивных свойств двооперационных асимметричных тиристоров и биполярных транзисторов с изолированным затвором в направлении снижения потерь мощности в к...
Saved in:
| Published in: | Електротехніка і електромеханіка |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут технічних проблем магнетизму НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142913 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі / М.В. Панасенко, Н.М. Панасенко, В.Ю. Хворост // Електротехніка і електромеханіка. — 2007. — № 5. — С. 24-29. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860251056520298496 |
|---|---|
| author | Панасенко, М.В. Панасенко, Н.М. Хворост, В.Ю. |
| author_facet | Панасенко, М.В. Панасенко, Н.М. Хворост, В.Ю. |
| citation_txt | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі / М.В. Панасенко, Н.М. Панасенко, В.Ю. Хворост // Електротехніка і електромеханіка. — 2007. — № 5. — С. 24-29. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Електротехніка і електромеханіка |
| description | Рассмотрена гибридная структура сильнотокового высоковольтного безснаберного двоквадрантного ключа знакопеременного тока с точки зрения реализации позитивных свойств двооперационных асимметричных тиристоров и биполярных транзисторов с изолированным затвором в направлении снижения потерь мощности в ключах. Приведена схема фазового модуля с узлами однородной коммутации на гибридных ключах со сниженными динамическими потерями мощности.
A hybrid structure of a high-current highvoltage two-quadrant alternating-current key is considered in terms of realization of positive properties of asymmetric dual-operational thyristers and bipolar insulated-gate transistors so as to reduce power loss in the keys. A scheme of a phase module with uniform switching nodes based on the hybrid keys with reduced dynamic power loss is given.
Розглянута гібридна структура сильнострумового високовольтного безснаберного двоквадрантного ключа знакозмінного струму з точки зору реалізації позитивних властивостей двоопераційних асиметричних тиристорів і біполярних транзисторів із ізольованим затвором в напрямку зниження втрат потужності в ключах. Наведена схема фазового модуля з вузлами однорідної комутації на гібридних ключах із зниженими динамічними втратами потужності.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:43:36Z |
| format | Article |
| fulltext |
24 Електротехніка і Електромеханіка. 2007. №5
УДК 621. 331: 621. 311.4: 621: 314. 632
ЕНЕРГОЗБЕРІГАЮЧІ СИЛЬНОСТРУМОВІ ВИСОКОВОЛЬТНІ
КЛЮЧІ І ФАЗНІ МОДУЛІ НА ЇХ ОСНОВІ
Панасенко М.В., д.т.н., проф., Панасенко Н.М., Хворост В.Ю., доц., к.т.н.
Державний науково-дослідний центр залізничного транспорту України, Харківська філія
Україна, 61050, Харків, пл. Фейєрбаха, 7а
тел. 707-64-41
Розглянута гібридна структура сильнострумового високовольтного безснаберного двоквадрантного ключа знакозмінного
струму з точки зору реалізації позитивних властивостей двоопераційних асиметричних тиристорів і біполярних тран-
зисторів із ізольованим затвором в напрямку зниження втрат потужності в ключах. Наведена схема фазового модуля з
вузлами однорідної комутації на гібридних ключах із зниженими динамічними втратами потужності.
Рассмотрена гибридная структура сильнотокового высоковольтного безснаберного двоквадрантного ключа знакоперемен-
ного тока с точки зрения реализации позитивных свойств двооперационных асимметричных тиристоров и биполярных
транзисторов с изолированным затвором в направлении снижения потерь мощности в ключах. Приведена схема фазового
модуля с узлами однородной коммутации на гибридных ключах со сниженными динамическими потерями мощности.
1. АНАЛІЗ СТАНУ ПРОБЛЕМИ І ПОСТАНОВА
ЗАДАЧІ РОБОТИ
В широкорегульованих зворотних схемах силових
високовольтних автономних перетворювачів з реакти-
вною компонентою навантаження до яких належать і
тягові перетворювачі частоти магістрального електро-
рухомого складу з асинхронними двигунами, як прави-
ло, використовуються двоквадрантні ключі знакозмін-
ного струму [1] на основі сильнострумових високово-
льтних керованих двоопераційних напівпровідникових
приладів: комутуємих по управляючому електроду
тиристорів (GTO, GCT) або біполярних транзисторів з
ізольованим затвором (IGBT, IEGT). Наявність в схе-
мах цих ключів зворотного діода, шунтуючого керова-
ний двоопераційний прилад, і робить можливим обмін
потужністю між джерелом живлення і навантаженням
в обох напрямках без зміни полярності їх напруг.
Базовою комутаційною структурою для двоквад-
рантних ключів знакозмінного струму в схемах авто-
номних перетворювачів з широтно-імпульсною моду-
ляцією є двофільтрова структура з "жорсткою" кому-
тацією керованих двоопераційних приладів, так як ці
перетворювачі мають силові фільтри на вході і виході
їх вентильних комутаторів [2]. У відповідності до сво-
го призначення силові фільтри згладжують вхідну
напругу або вихідний струм. Тому на інтервалах ко-
мутації ми можемо говорити про постійну напругу на
керованому приладі при зростаючому струмі на етапі
його ввімкнення та про постійний струм в керованому
приладі при зростаючій напрузі на етапі його вими-
кання. При визначенні загальних характеристик авто-
номних перетворювачів як правило ідеалізують про-
цеси комутації як при ввімкненні, так і при вимиканні
ключів, вважаючи час комутації рівним нулю. Однак
при виборі елементів ключів та при розрахунку енер-
гетичних характеристик перетворювачів доводиться
враховувати ненульовий час комутації і, отже, кому-
таційні втрати як при ввімкненні, так і при вимиканні
напівпровідникових приладів ключів. При цьому в
першу чергу нас цікавлять комутаційні втрати в керо-
ваних приладах ключів, в яких, з підвищенням часто-
ти перемикань, складова комутаційних втрат потуж-
ності не тільки наближається по своїй величині до
складової статичних втрат потужності (втрат прямої
провідності), але може й суттєво перевищувати цю
складову [3, 4]. На практиці, поряд з удосконаленням
самих керованих напівпровідникових приладів у на-
прямку скорочення часу комутації, для підвищення
струмових і частотних можливостей двоквадрантних
високовольтних сильнострумових ключів знакозмін-
ного струму, як правило, використовують і снаберну
обв’язку цих ключів [5, 6], переносячи тим самим зна-
чну частку складової комутаційних втрат з керованого
напівпровідникового приладу ключа на снаберні лан-
цюги. Однак наявність снаберних ланцюгів не приво-
дить до покращення енергетичних показників пере-
творювачів без додаткового введення в їх схему спе-
ціальних засобів по відводу (передачі) накопиченої в
їх реактивних елементах енергії в джерело живлення
або навантаження [7]. Використання ж снаберних ла-
нцюгів і схемних засобів по відводу від них накопи-
ченої енергії суттєво ускладнює як силову схему са-
мих ключів, так і силову схему автономного перетво-
рювача в цілому.
Поява на ринку силової електроніки сильнострумо-
вих високовольтних керованих напівпровідникових
приладів типу асиметричних HD-GTO, GCT, та IGBT,
IEGT рекомендованих фірмами-виробниками для вико-
ристання в двоквадрантних ключах знакозмінного стру-
му в безснаберному варіанті [8], дозволяє по новому
підійти до створення ключів на їх основі, а саме, гібрид-
них ключів, виходячи з наявних преваг того чи іншого
виду керованого напівпровідникового приладу. Тут ма-
ється на увазі ті обставини, що високовольтні транзис-
тори IGBT, IEGT мають більш кращі характеристики
щодо високовольтних асиметричних тиристорів HD-
GTO, GCT в частині швидкодії процесів вимикання і,
отже, комутаційних втрат потужності при вимиканні,
суттєво уступаючи по величині втрат потужності при
ввімкненні та в режимі прямої провідності [8-10], а та-
кож та стійкості до кризових струмів [11, 12].
Вирішення задачі щодо використання в практиці
створення сильнострумових високовольтних ключів
позитивних сторін кожного з двох видів керованих
напівпровідникових приладів: біполярних транзисто-
рів з ізольованим затвором і тиристорів з комутацією
по управляючому електроду на думку авторів і дозво-
Електротехніка і Електромеханіка. 2007. №5 25
лить реалізувати гібридний енергоефективний силь-
нострумовий високовольтний ключ, параметри якого
будуть в найбільшій мірі відповідати вимогам їх ви-
користання у фазних модулях потужних високовольт-
них автономних перетворювачів з широтно-імпульс-
ною модуляцією, і в першу чергу, в перетворювачах
частоти для тягового асинхронного електропривода
магістральних електровозів. Задача побудови гібрид-
них енергоефективних сильнострумових високоволь-
тних ключів і фазних модулів на їх основі є однією із
складових пошукових науково-дослідних робіт Дер-
жавного науково-дослідного центру залізничного
транспорту України по розробці перетворювачів час-
тоти з повітряним охолодженням для асинхронного
тягового електроприводу магістральних електровозів
потужністю 5600 – 6400 кВт.
2. СТРУКТУРА СХЕМИ ГІБРИДНОГО КЛЮЧА І
ПРИНЦИП ЙОГО УПРАВЛІННЯ
На рис. 1, а наведена схема гібридного ключа VK з
драйвером БУ, а на рис. 1, б – є – ідеалізовані діаграми
імпульсів управління керованими напівпровіднико-
вими приладами: тиристорами VS–іyvs транзистором
VT–uyvt струмів на інтервалах їх провідності та напру-
ги Us і струму is на загальному інтервалі провідності
ключа VK на періоді широтно-імпульсної модуляції
ТШІМ при скважності γ регулювання тривалості прові-
дності ключа близьким до 1.
VS VT
VD
VK
US
+
–
БУ
UyVT iyVT
is
б)
а)
в)
г)
д)
е)
э)
iyvs
t
t
t
t
t
t
t/
1
+
iyvs
– t0
iyvs +(–)
ТШІМ
uyVT +
uyVT –
t1
t0
uyVT
+(–)
t2 t0+ ТШІМ
t1 t0
is
isvs
tivs
is
tiVT
t2 t0 t/
1
isVT
∆Uvs
t0
∆UVT UD
t2
tп
t1 ТШІМ
is
t0 tivk=ТШІМ–tп≈ТШІМ t2 t0+ТШІМ
is
us
t1
t/
1
t1
tп
Рис. 1. Схема гібридного ключа (а) і ідеалізовані діаграми
процесу його управління (б-є): (VS-лінійний тиристор, VT-
комутуючий транзистор)
На початку кожного із періодів ТШІМ (t0, t0 + ТШІМ
і т.д.) широтно-імпульсної модуляції вмикається ти-
ристор VS ключа VK імпульсом управління і+уvs і через
тиристор і, отже, через ключ VK, тече струм is. Тран-
зистор VT ключа VK є вимкненим за рахунок дії на
нього запираючого імпульса u–
yvs. Напруга на ключі
VK – US при цьому визначається прямим падінням
напруги ∆UVS на тиристорі VS при струмі is у відпові-
дності співвідношення
sgvsvsvs irUU ⋅+=Δ 0 , (1)
де U0vs, rgvs – відповідно порогова напруга і динаміч-
ний опір тиристора VS.
Для вимикання тиристора VS на нього подається в
момент t1 запираємий імпульс і–yvs при одночасній по-
дачі відпираємого імпульса u+
yVT на транзистор VТ клю-
ча VK. Враховуючи більш високу швидкодію транзис-
тора VТ при його ввімкненні у порівнянні із швидкоді-
єю тиристора VS при його вимиканні, власно вимикан-
ня тиристора VS і відновлення його блокуючих власти-
востей при знеструмленні буде відбуватися при ввімк-
неному стані транзистора VТ, який в момент початку
відновлення блокуючої спроможності t/1 приймає на
себе весь струм іs. Отже, вимикання і відновлення бло-
куючих властивостей тиристора VS відбувається при
обмеженій, на рівні прямого падіння напруги ∆UVT на
транзисторі VT, напрузі, яка також може визначатися із
співвідношення (1) при заміні відповідно порогової
напруги U0vs і динамічного опору rgvs тиристора на ана-
логічні параметри транзистора U0VT і rgVT.
Етапи розсмоктування заряду і спаду анодного
струму іs в тиристорах, комутуємих по управляючому
електроду складають значно меншу частку загального
часу вимикань цих тиристорів tGQ. Причому, етап роз-
смоктування заряду ts, який визначається інтервалом
часу між початком протікання негативного запираючого
струму управління і–yVT і початком спаду анодного стру-
му іs, можна знехтувати [13] на етапі спаду t1 – tі анодно-
го струму іs тиристора VS, а на етапі переводу струму з
тиристора на транзистор прийняти падіння напруги на
ключі рівним падінню напруги на тиристорі VS.
Необхідна тривалість інтервалу провідності tiVT
транзистора VT повинна бути не меншою за час ∆tGQ
який потрібний для відновлення блокуючих властивос-
тей тиристора VS після його знеструмлення, тобто tiVT ≥
∆tGQ. Величину ∆tGQ можна визначити із співвідношення
( ) sGQfsGQGQ tttttt −≈+−=Δ
Π
. (2)
Параметр ∆tGQп представляє собою паспортний
час вимикання тиристорів, комутуємих по управляю-
чому електроду.
Таким чином, інтервал провідності біполярного
транзистора із ізольованим затвором tiVT в схемах гіб-
ридних ключів не перевищує час вимикання їх тирис-
торів, ∆tGQ, величина якого для сучасних сильностру-
мових високовольтних приладів типу HD-GTO i GCT
складає, як правило, всього 10 ÷ 30 мкс [13, 14].
Вимикання ключа VK виконується після віднов-
лення блокуючих властивостей тиристора VS за раху-
нок вимикання транзистора VT шляхом подачі на ньо-
го негативного імпульсу управління u–
yVT. Час вими-
кання toff сильнострумових високовольтних біполяр-
них транзисторів із ізольованим затвором складає
26 Електротехніка і Електромеханіка. 2007. №5
всього одиниці мікросекунд, причому, час спаду tE
колекторного струму is на етапі вимикання не пере-
вищує однієї мікросекунди [8, 9]. Після вимикання
транзистора VT ключа VK на ключі і, отже, на всіх
його напівпровідникових приладах, встановлюється
постійна напруга джерела живлення UD. Мінімальна
тривалість паузи tпmin в струмі is гібридного ключа VK
як і у випадку чисто транзисторного або чисто тирис-
торного ключа задається тільки умовою забезпечення
необхідного часу для реалізації режиму "м’якої" ко-
мутації транзистора при його вимиканні у випадку
використання ємнісного снабера [8]. Щодо мінімаль-
ної тривалості інтервалу провідностей гібридного
ключа tiVKmin, то тут немає ніяких обмежень, так як в
режимі роботи ключа при скважності близькій до ну-
ля може комутувати тільки транзистор VT ключа.
Стосовно енергоефективності гібридних сильно-
струмових високовольтних ключів відмітимо наступ-
не. Використання безснаберних двоквадрантних клю-
чів знакозмінного струму в малоіндуктивних двофіль-
трових комутаційних структурах в залежності від ви-
ду керованого двоопераційного приладу: транзистора
чи тиристора, відповідно потребує чи не потребує
обов’язкового обмеження величини кризних струмів
при ввімкненні керованого приладу ключа, які обумо-
влені запізнюваннями вимикання протифазного діода.
При використанні чисто тиристорних ключів прави-
льний вибір типу протифазного діода і параметрів
імпульса управління тиристора за рахунок допусти-
мого короткочасного струмового перевантаження
принципово дозволяє відмовитися від схемних засобів
обмеження кризних струмів. В чисто транзисторних
ключах струмове перевантаження за межі допустимої
величини імпульсного струму є недопустимим. Тому
в безснаберних транзисторних ключах навіть при
відповідному підборі протифазного діода використо-
вують обмеження кризного струму для зниження
струмового перевантаження транзистора при його
ввімкненні шляхом зниження швидкості наростання
керуючого сигналу u+
yVT [2]. Однак незважаючи на
простоту цього способу, він суттєво підвищує кому-
таційні втрати енергії при ввімкненні Еоn такого ключа
[12] у порівнянні з аналогічними втратами при без-
снаберному ввімкненні тиристора. Цей недолік силь-
нострумових високовольтних транзисторних ключів
поряд із значно більшими статичними втратами по-
тужності у порівняні з високовольтними тиристорами,
комутуємими по управляючому електроду, незважа-
ючи навіть на суттєву перевагу стосовно комутацій-
них втрат в транзисторах при їх вимиканні у порів-
нянні з аналогічними втратами в тиристорах, комуту-
ємих по управляючому електроду, і не надає значної
переваги чисто транзисторними ключами у порівнян-
ні з чисто тиристорними як з боку їх вартості, так і
енергетичних та частотних характеристик [6, 15, 16].
В гібридних безснаберних сильнострумових високо-
вольтних двоквадрантних ключах знакозмінного
струму використовуються переваги кожного із виду
керованих напівпровідникових приладів: тиристора,
комутуємого по управляючому електроду – переваги
стосовно комутаційних втрат при ввімкненні і стати-
чних втрат в режимі провідності; транзистора – пере-
вага стосовно комутаційних втрат і швидкодії при
вимиканні. Нижче в таблиці наведені результати роз-
рахунку втрат потужності в сильнострумових високо-
вольтних безснаберних транзисторному, тиристорно-
му і гібридному ключах при роботі їх в двофільтровій
комутаційній структурі із слідуючими робочими па-
раметрами: fШІМ=1000Гц; І=ІС(ІTАі); UD=UDRM(UCEC)/2;
γ=tiVK/TШІМ≈1.
Таблиця
Параметри ключа
Ти
п
кл
ю
ча
U
CE
S
U
D
RM
(B
)
I C
I T
AV
(A
)
I C
И
I T
Q
RM
(A
)
U
0V
T
U
0v
s
(B
)
r g V
T
r g
vs
(м
O
м)
Eo
n V
T
Eo
n V
S (
Дж
)
Eo
ff V
T
Eo
ff V
S (
Дж
)
∆P
cт
VT
∆
Pc
т V
S (
Вт
)
∆P
on
VT
∆
Po
n V
S (
Вт
)
∆P
of
f VT
∆
Po
ff V
S
(В
т)
∆P
∑V
T
∆
P ∑
VT
(В
т)
(∆
P c
т/∆
P ∑
)1
00
(℅
)
Тр
ан
зи
с-
то
рн
ий
45
00
90
0
18
00
1,
5
2,
2
4,
0
2,
7
31
32
40
00
27
00
98
32
31
,8
Ти
ри
с-
то
рн
ий
45
00
14
00
32
00
1,
1
0,
4
2,
5
7,
0
23
24
25
00
70
00
11
82
4
19
,6
5
Гі
бр
ид
-
ни
й
45
00
12
00
32
00
12
00
1
,1
1,
63
0,
4
3,
1
1,
75
3,
1
18
96
17
50
31
00
67
46
28
,1
Транзисторний (СМ900НВ-90Н (IGBT Mitsubishi E.))
Тиристорний (5SHY35L4502 (IGCT ABB S.))
Гібридний (5SGY35L4502 НD GTO, СМ600НВ-90Н IGBT.)
Порівняння результатів розрахунку, наведених в
таблиці, показує суттєву перевагу сильнострумових
високовольтних гібридних ключів у порівнянні як з
чисто транзисторними сильнострумовими високово-
льними ключами (втрати потужності в гібридному
ключі на середній струм 1200А і робочу постійну на-
пругу 2250В складають у розглянутому прикладі
68,6% втрат потужності чисто транзисторного ключа
одинакової робочої напруги і меншим на 33,3% стру-
мовим навантаженням), так і з чисто тиристорними
сильнострумовими високовольтними ключами (втра-
ти потужності в гібридному ключі на середній струм
1200А і робочу постійну напругу 2250В складають у
розглянутому приладі 57% втрат потужності чисто
тиристорного ключа однакової робочої напруги і бі-
льшим всього на 16,7% струмовим навантаженням).
Не менш важливою позитивною властивістю гіб-
ридних безснаберних ключів є те, що при значно ме-
ншій величині втрат потужності в них ці втрати ді-
ляться практично рівномірно між лінійним тиристо-
ром і комутуючим транзистором, а це при таблеточній
конструкції приладів дозволяє достатньо просто реа-
лізувати їх охолодження за допомогою охолоджувачів
на теплових трубах [17].
3. СИЛОВА СХЕМА ЕНЕРГОЕФЕКТИВНОГО
ФАЗНОГО МОДУЛЯ НА БАЗІ ГІБРИДНИХ
СИЛЬНОСТРУМОВИХ ВИСОКОВОЛЬТНИХ
КЛЮЧІВ
Достатньо значна частина динамічних втрат по-
тужності при перемиканнях керованих напівпровідни-
кових приладів в безснаберних високовольтних дво-
квадрантних ключах знакозмінного струму як чисто
транзисторних та тиристорних, так і гібридних, спо-
нукає розробників перетворювальних агрегатів з ши-
Електротехніка і Електромеханіка. 2007. №5 27
ротно імпульсною модуляцією до пошуку ефективних
засобів по їх зниженню.
Традиційними засобами по вирішенню цієї задачі
є обв’язка ключів снаберними ланцюгами: LRД-
снабером – для зниження втрат потужності при вими-
канні [7, 8]. При цьому правильний вибір параметрів
елементів снаберів сприяє достатньо значному звіль-
ненні керованих напівпровідникових приладів від ко-
мутаційних втрат. Однак потужність втрат в резисто-
рах цих снаберів, що визначається енергією запасає-
мою в індуктивності LRД-снабера, та в ємності СRД-
снабера і яка є пропорційною частоті перемикань клю-
ча, може на відносно високих частотах стати обмежу-
ючим фактором в їх використанні.
Більш доцільним засобом для зниження комута-
ційних втрат потужності є використання в фазних
модулях автономних перетворювачів з широтно-
імпульсною модуляцією вузлів однорідної комутації
[18, 19], які не тільки вирішують задачу повного зни-
ження динамічних втрат потужності при ввімкненні
ключів на протифазний діод в двофільтровій комута-
ційній структурі, але й дозволяють використовувати
часто ємнісні снабери для зниження динамічних втрат
потужності при вимиканні ключів не застосовуючи
при цьому додаткових пристроїв скиду накопиченої в
конденсаторі снабера енергії.
Схема силової частини фазного модуля наведена
на рис. 2, а. На рис. 2, б-г наведені діаграми ілюструючи
процеси ввімкнення лінійних тиристорів VS ключів VK
фазного модуля в нулі напруги на ньому.
tJ
б) ikm
ik
t3 t2 t1 t4
в)
tk
i
Ud
UVKв
t
г)
J t
t4t3 t5
iVSkв
t5
+
–
J
VKн
ВОК
Сkв
Сkн
S1
S2
Ud
Ud
2
Ud
2
+
+
–
–
Lk
VS
VS
VD
VD
VТ
VТ
С∂
С∂
VKв а)
Рис. 2. Схема силової частини енергоефективного модуля на
гібридних ключах VKв і VKн з вузлом однорідної комутації
ВОК (Сkв, Сkн, Lk, S1, S2) (а); діаграми, ілюструючі процеси
ввімкнення лінійного тиристора VS верхнього ключа VKв в
нулі напруги на ньому (б) – (г)
Розглянемо спочатку процес ввімкнення одного
із гібридних ключів фазового модуля без снаберних
конденсаторів С∂ (наприклад VKв) при квазісталому
режимі роботи з навантаженням у вигляді джерела
постійного струму величини J позитивного напрямку.
У цьому режимі при вимкненому стані верхнього
ключа VKв струм J тече через діод VD нижнього клю-
ча VKн. Управління керованими напівпровідниковими
приладами ключів VKв і VKн побудувала таким чином,
що вони в квазісталому режимі вимикаються тільки
при нульовій напрузі на них. В зв’язку з цим сформу-
ємо перед ввімкненням лінійного тиристора VS верх-
нього ключа VKв нульову напругу на ньому, що мож-
на зробити за допомогою вузла однорідної комутації
(ВОК). Для цього безпосередньо перед початком чер-
гового інтервалу провідності ключа VKв вмикаємо
тиристор S2 вузла однорідної комутації (в момент t1
на рис. 2, б). Ввімкнення цього тиристора, при доста-
тньо великих ємностях конденсаторів Сk вхідного єм-
нісного дільника (Сkв, Сkн) вузла однорідної комутації,
приводить при лінійній комутуючій індуктивності Lk
до наростання струму іk в контурі "Сkн – Lk – S2 –
VDVKН" по лінійному закону і, отже, до зменшення
струму у зворотному діоді VD нижнього ключа VKн. В
момент часу коли зростаючий струм іk починає пере-
вищувати величину струму навантаження J (момент t
≥ t2 на рис. 2, б) через діод VD нижнього ключа VKн
почне протікати наростаючий зворотній струм іk – J.
Під дією цього струму діод VD нижнього ключа VKн
буде відновлювати свої блокуючі властивості за раху-
нок виносу з його базових шарів накопиченого заряду
зворотнім струмом (іk – J). При деякому значенню
комутуючого струму іkm > J закінчиться процес відно-
влення блокуючих властивостей цього діода (момент
t3 на рис. 2, б) і він стрибкоподібно закривається.
Надлишок струму іkm – J переходить в діод VD верх-
нього ключа VKв і, отже, напруга на верхньому ключі
стає нульовою (прямим падінням на діоді VD верх-
нього ключа можна знехтувати). Починаючи з цього
моменту і можна подавати відпираючий імпульс на
лінійний тиристор VS верхнього ключа VKв. Момент t3
і є початком імпульсу провідності верхнього ключа
VKв на періоді ТШІМ широтно-імпульсної модуляції.
Перехід у проводячий стан верхнього ключа VKв
створює новий контур протікання комутуючого стру-
му іk, а саме контур "Сkв – Lk – S2 – VKв". В цьому кон-
туры струм іk тече проти напрямку напруги на верх-
ньому конденсаторі Сkв, вхідного ємнісного дільника і
отже буде спадати. При цьому в інтервалі t2 – t4 він
буде ще протікати через діод VD, а починаючи з мо-
мента часу t4 – через відкритий попередньо тиристор
VS цього ключа. Починаючи з моменту t4 на тиристор
VS верхнього ключа почне переходити і струм наван-
таження який на інтервалі часу t3 – t4 відбирався ще
від вузла однорідної комутації. В момент часу t5, коли
комутуючий струм іk під дією напруги Ud/2 верхнього
конденсатора Сkв спаде до нуля, струм навантаження
повністю перейде на тиристор VS верхнього ключа, а
тиристор S2 вузла однорідної комутації вимкнеться і,
отже, на цей момент і закінчаться процеси у фазному
модулі пов’язані із ввімкненням верхнього ключа VKв.
Процеси у фазному модулі пов’язані з ввімкнен-
ням верхнього ключа VKв відбуваються в паузу (див.
рис. 1,є) перед початком слідуючого періоду широт-
28 Електротехніка і Електромеханіка. 2007. №5
но-імпульсної модуляції ТШІМ, якщо в схемі відбуло
вимикання цього ключа.
При зміні напрямку джерела постійного струму J
процес ввімкнення нижнього ключа VKн при негатив-
ному напрямку джерела постійного струму проходить
аналогічно процесам розглянутим вище за винятком
того, що у вузлі однорідної комутації будуть спочатку
задіяні тиристор S1 і верхній конденсатор Сkв з послі-
дуючим переходом в момент t3 на нижній конденса-
тор Сkн ємнісного дільника.
Стосовно вибору параметрів елементів вузла од-
норідної комутації, то тут треба відмітити слідуюче.
Величина комутуючої індуктивності Lk і, отже, при
заданій напрузі Ud/2 на конденсаторах ємнісного ді-
льника, швидкість наростання струму іk (швидкість
спаду струму в зворотних діодах ключів) визначаєть-
ся із умови забезпечення допустимої швидкості спаду
струму у зворотних діодах, яка регламентується фір-
мами-виробниками, тобто
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
≥
VD
k
dt
di
UdL
2
(1)
де
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
VDdt
di – допустима швидкість спаду струму у зво-
ротних діодах.
Так при
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
VDdt
di ≥ 300 А/мкс і Ud/2=2 кВ, вели-
чина комутуючої індуктивності буде не перевищувати
3,33 мкГн і таку індуктивність доцільно виконувати у
вигляді повітряного циліндра із стрічкового матеріалу
малої товщини.
В інтервалі комутації tk через індуктивність Lk
тече імпульсний струм рівнобедреної трикутникові
форми з амплітудою
rrkm IJI += (2)
де Іrr– амплітуда зворотного струму через діоди ключів
при його вимиканні для заданої величини
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
VDdt
di .
Тривалість імпульсу tk струму іk в індуктивності
Lk визначається
−
=
VD
km
k
dtdi
I
t
)/(
2 (3)
Такої форми і величини тече і імпульс струму
через комутуючі тиристори S1 i S2 вузла однорідної
комутації (через тиристор S2 при позитивному напря-
мку джерела постійного струму J, через тиристор S1
при негативному напрямку джерела постійного стру-
му J).
Короткотривалий характер комутуючого струму
ik і обумовлює невеликі діючі струми за період широ-
тно-імпульсної модуляції ТШІМ в елементах вузлів
однорідної комутації і, отже, малі втрати і невеликі
установлені потужності цих елементів.
Позитивною властивістю використання вузла
однорідної комутації щодо струмових навантажень
керованих напівпровідникових приладів ключів фаз-
ного модуля є також і відсутність кризних струмів та
обмежена (на рівні (di/dt)VD) швидкість наростання
прямого струму у ввімкненому стані лінійних тирис-
торів (рис. 2, г). Це дає можливість відмовитися від
установки навіть невеликих снаберних індуктивнос-
тей в силових схемах перетворювачів на основі фаз-
них модулів з вузлами однорідної комутації.
При наявності чисто ємнісних снаберів у фазних
модулях з вузлами однорідної комутації відмітимо ще
появу ряда позитивних чинників, а саме, це обмежен-
ня потужності втрат при вимиканні комутуючого тра-
нзистора з урахуванням еквівалентної ємності снабе-
ра; це автоматичне скидання запасаємої енергії в кон-
денсаторі снабера в момент передуючий безпосеред-
ньо черговому ввімкненню ключа, це обмеження
швидкості перепаду потенціалу загальної точки "фаз-
ний модуль – навантаження".
Із-за обмеженого об’єму даної публікації, ці про-
цеси будуть розглянуті авторами у їх слідуючій пуб-
лікації. "Енергоефективні сильнострумові високово-
льтні фазні модулі з м’якою комутацією ключів і мо-
стові автономні перетворювачі на їх основі".
ВИСНОВКИ
1. Комбіноване використання у сильнострумових
високовольтних безснаберних двоквадрантних клю-
чах знакозмінного струму асиметричних двоопера-
ційних тиристорів і біполярних транзисторів із ізо-
льованим затвором відповідно в якості лінійних і ко-
мутуючих вентилів дозволяє реалізувати переваги
стосовно тиристорів по відношенню до транзисторів в
частині кризових струмів, часу і втрат потужності у
стані провідності, а стосовно транзисторів по відно-
шенню до тиристорів – в частині часу і втрат потуж-
ності при вимиканні.
2. Втрати потужності в безснаберних гібридних
ключах 45-го і вище класів по напрузі і на постійний
струм 400 і вище ампер при максимальному викорис-
танні лінійних тиристорів по їх робочим значенням
величин постійної напруги і постійного струму при
частоті перемикань 1000 і вище Гц і коефіцієнту три-
валості імпульсу провідності ключа близькому до 1 є
значно меншим чим в чисто тиристорних і чисто тра-
нзисторних ключах тієї ж потужності.
3. Для гібридного ключа 45- класу по напрузі і
постійний струм 1200 А при частоті перемикань 1000
Гц і коефіцієнту тривалості імпульсу провідності
ключа 0,999 сумарні втрати потужності складають
всього 6746 Вт (із них 1896 Вт – статичні, 1750 Вт –
при ввімкненні, 3100 Вт – при вимиканні), що більш
чим на 2000 Вт менше сумарних втрат потужності в
чисто транзисторному і більш як на 3500 Вт менше
сумарних втрат потужності в чисто тиристорних клю-
чах однакової потужності.
4. Використання гібридних ключів у фазних мо-
дулях з вузлами однорідної комутації у безснаберно-
му варіанті дає подальше зниження сумарних втрат
потужності на величину динамічних втрат при ввімк-
ненні ключа за рахунок забезпечення нульової напру-
ги на ключі при його ввімкнені.
5. У фазних модулях з вузлами однорідної кому-
тації повністю знімаються в квазісталому режимі ро-
Електротехніка і Електромеханіка. 2007. №5 29
боти проблеми пов’язані з необмеженою швидкістю
наростання струму в безснаберних ключах, працюю-
чих в двофільтрових комутаційних структурах з про-
тифазним діодом.
6. Перехід до чисто ємнісного снабера в ключах
дозволяє у фазних модулях на їх основі при викорис-
танні вузлів однорідної комутації не тільки ще знизи-
ти динамічні втрати потужності при вимиканні при
менших величинах ємності конденсаторів снабера,
але й реалізувати автоматичний скид запасаємої в
конденсаторах снаберів енергії та забезпечити обме-
ження швидкості перепаду потенціалу загальної точ-
ки "фазовий модуль навантаження" при перемиканнях
ключів.
7. Установлена потужність елементів вузлів од-
норідної комутації фазних модулів є невеликою за-
вдяки короткотривалості роботи цих вузлів.
Чотири останніх висновка відносяться до фазних
модулів із вузлами однорідної комутації як на основі
гібридних ключів, так і на основі чисто транзисторних
чи тиристорних ключів.
ЛІТЕРАТУРА
[1] Гончаров Ю.П., Будьоний О.В., Морозов В.Г., Пана-
сенко М.В., Ромашко В.Я., Руденко В.С. Перетворю-
вальна техніка. Підручник. ч.2. За ред. В.С. Руденка. –
Харків: Фоліо. 2000. – 360 с.
[2] Гончаров Ю.П., Панасенко М.В., Семененко О.І., Хво-
рост М.В. Статичні перетворювачі тягового рухомого
складу. Навчальний посібник під ред. Ю.П. Гончарова. –
Харків: НТУ"ХПІ", 2007. – 192 с.
[3] Чибиркин В.В. Создание силовых полупроводниковых
приборов для преобразователей электроподвижного
состава. / Электротехника, №3, 1998. – С. 1-9.
[4] Сорин Л.Н., Колпахчьян П.Г. Потери в статических
преобразователях электровозов постоянного тока с
асинхронным тяговым приводом. // Вісник СНУ ім. В.
Даля, №8(78), 2004. – С. 278-282.
[5] Малютин В.А., Литовченко В.В., Грибанов П.Ф., Та-
лья Ю.И. Анализ построения тягового и вспомога-
тельного преобразовательного оборудования совре-
менного ЭПС. // Труды ВНИИЖТа "Электрическая тя-
га на рубеже веков". Под ред. А.Л. Лисицина. – М.:
Интекс, 2000. – С. 130-150.
[6] Y. Oi, S. Kato, T. Kato, A. Yajima, A. Ujiie, E. Takahara,
IEGT Power Converters for the Shinkansen Traction Sys-
tems // T. IEE Japan, Vol. 121-D, №3, 2001. – р. 356-362.
[7] Булатов О.Г., Лыщак П.С., Одынь С.В. Мощные клю-
чи на тиристорах, выключаемых по цепи управления.
// Электротехн. пром. сеть. Сер. 05. Силовая преобра-
зовательная техника: Обзор. информ. – 1988, вып. 19.
– 48 с.
[8] Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи:
семейства, характеристики, применение. Изд. 2-е, пе-
рераб. и доп. – М.: ДОДЭКА – ХХІ, 2005.– 384 с.
[9] Technical Information IGBT-Modules FZ 600 R65 KF1,
EUPEC, 2002. – 9 s.
[10] Краткий каталог 1998 г. Мощные полупроводниковые
приборы АВВ Semiconductors AG. – М.: АББ Индуст-
рии и стройтехника, 1988. – 24 с.
[11] Ласка Б. Системы приводов для электропоездов посто-
янного тока 3 кВ. / Локомотив, №1, 2000. – С. 42-45.
[12] Хворост Н.В. Эксплуатационные характеристики управ-
ляемых полупроводниковых приборов тяговых преобра-
зователей электроподвижного состава. / Інформаційно-
керуючі системи на залізничному транспорті, №2, 2003. –
С. 31-36.
[13] Запираемые тиристоры. Быстродействующие диоды
фирмы АВВ Semiconductors AG. – М.: Асоциация ин-
жинеров силовой электроники, 1998. – 166 с.
[14] Technical Information Mitsubishi Gate turn-off thyristors
FG 4000 BX–90DA, 1998. – 4 р.
[15] Лещев А.И., Суслова К.Н. Технико-экономическая
эффективность применения IGBT, IGCT, GTO в новых
разработках преобразователей электроподвижного со-
става. / Изв. вузов. Электромеханика, №4-5, 2001. – С.
82-88.
[16] Ласка Б. Развитие тяговых преобразователей на тран-
зисторах IGBT. Предпосылки и факторы успеха тех-
ники на базе IGBT. / Железные дороги мира, №11,
2003. – С. 32-39.
[17] Кравченко Е.Н. Охлаждение силовых модулей на ос-
нове тепловых труб в высоковольтном электроприво-
де. // Технічна електродинаміка. Тем. випуск „Силова
електроніка та енергоефективність”, част. 1, Київ,
2003. – С. 33-36.
[18] Хворост М.В., Гончаров Ю.П., Панасенко М.В. та інш.
Види комутації та енергетичні характеристики в елек-
тричних колах з ключовими елементами./ Електротех-
ніка і Електромеханіка, №4, 2005. – С. 67-72.
[19] Гончаров Ю.П., Хворост Н.В., Ивахно В.В. Улучшение
энергетических и динамических характеристик схем
мягкой коммутации устройств силовой электроники с
запираемыми полупроводниковыми приборами. // Тех-
нічна електродинаміка. Тем. вип "Проблеми сучасної
електротехніки", част. 2, Київ, 2006. – С. 113-120.
Надійшла 13.02.2007
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-142913 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2074-272X |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:43:36Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут технічних проблем магнетизму НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Панасенко, М.В. Панасенко, Н.М. Хворост, В.Ю. 2018-10-19T15:27:05Z 2018-10-19T15:27:05Z 2007 Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі / М.В. Панасенко, Н.М. Панасенко, В.Ю. Хворост // Електротехніка і електромеханіка. — 2007. — № 5. — С. 24-29. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 2074-272X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142913 621. 331: 621. 311.4: 621: 314. 632 Рассмотрена гибридная структура сильнотокового высоковольтного безснаберного двоквадрантного ключа знакопеременного тока с точки зрения реализации позитивных свойств двооперационных асимметричных тиристоров и биполярных транзисторов с изолированным затвором в направлении снижения потерь мощности в ключах. Приведена схема фазового модуля с узлами однородной коммутации на гибридных ключах со сниженными динамическими потерями мощности. A hybrid structure of a high-current highvoltage two-quadrant alternating-current key is considered in terms of realization of positive properties of asymmetric dual-operational thyristers and bipolar insulated-gate transistors so as to reduce power loss in the keys. A scheme of a phase module with uniform switching nodes based on the hybrid keys with reduced dynamic power loss is given. Розглянута гібридна структура сильнострумового високовольтного безснаберного двоквадрантного ключа знакозмінного струму з точки зору реалізації позитивних властивостей двоопераційних асиметричних тиристорів і біполярних транзисторів із ізольованим затвором в напрямку зниження втрат потужності в ключах. Наведена схема фазового модуля з вузлами однорідної комутації на гібридних ключах із зниженими динамічними втратами потужності. uk Інститут технічних проблем магнетизму НАН України Електротехніка і електромеханіка Електричні машини та апарати Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі Energy-saving high-current high-voltage keys and phase modules on their basis Article published earlier |
| spellingShingle | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі Панасенко, М.В. Панасенко, Н.М. Хворост, В.Ю. Електричні машини та апарати |
| title | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі |
| title_alt | Energy-saving high-current high-voltage keys and phase modules on their basis |
| title_full | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі |
| title_fullStr | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі |
| title_full_unstemmed | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі |
| title_short | Енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі |
| title_sort | енергозберігаючі сильнострумові високовольтні ключі і фазні модулі на їх основі |
| topic | Електричні машини та апарати |
| topic_facet | Електричні машини та апарати |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/142913 |
| work_keys_str_mv | AT panasenkomv energozberígaûčísilʹnostrumovívisokovolʹtníklûčíífaznímodulínaíhosnoví AT panasenkonm energozberígaûčísilʹnostrumovívisokovolʹtníklûčíífaznímodulínaíhosnoví AT hvorostvû energozberígaûčísilʹnostrumovívisokovolʹtníklûčíífaznímodulínaíhosnoví AT panasenkomv energysavinghighcurrenthighvoltagekeysandphasemodulesontheirbasis AT panasenkonm energysavinghighcurrenthighvoltagekeysandphasemodulesontheirbasis AT hvorostvû energysavinghighcurrenthighvoltagekeysandphasemodulesontheirbasis |