Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах

• Опубліковано в: : Електротехніка і електромеханіка
• Дата: 2008
• Автори: Сосков, А.Г., Рак, Н.О., Соскова, И.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут технічних проблем магнетизму НАН України 2008
• Теми: Електричні машини та апарати
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143004
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах / А.Г. Сосков, Н.О. Рак, И.А. Соскова // Електротехніка і електромеханіка. — 2008. — № 1. — С. 49-52. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы. На основі аналізу методів розрахунку температури напівпровідникової структури силових напівпровідникових приладів в умовах їх роботи в комутаційних апаратах була запропонована інженерна методика розрахунку цієї температури при дії на них короткочасних імпульсів потужності довільної форми. Computing methods for calculating semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in commutation semiconductor apparatus have been analyzed. An engineering technique for semiconductor structure temperature calculation is introduced. This technique allows calculating unsteady heat conditions of these devices under influence of short-term free-form power impulses.