Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы. На основі...
Saved in:
| Published in: | Електротехніка і електромеханіка |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут технічних проблем магнетизму НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143004 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах / А.Г. Сосков, Н.О. Рак, И.А. Соскова // Електротехніка і електромеханіка. — 2008. — № 1. — С. 49-52. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862661560382521344 |
|---|---|
| author | Сосков, А.Г. Рак, Н.О. Соскова, И.А. |
| author_facet | Сосков, А.Г. Рак, Н.О. Соскова, И.А. |
| citation_txt | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах / А.Г. Сосков, Н.О. Рак, И.А. Соскова // Електротехніка і електромеханіка. — 2008. — № 1. — С. 49-52. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Електротехніка і електромеханіка |
| description | На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы.
На основі аналізу методів розрахунку температури напівпровідникової структури силових напівпровідникових приладів в умовах їх роботи в комутаційних апаратах була запропонована інженерна методика розрахунку цієї температури при дії на них короткочасних імпульсів потужності довільної форми.
Computing methods for calculating semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in commutation semiconductor apparatus have been analyzed. An engineering technique for semiconductor structure temperature calculation is introduced. This technique allows calculating unsteady heat conditions of these devices under influence of short-term free-form power impulses.
|
| first_indexed | 2025-12-02T11:58:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-143004 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2074-272X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T11:58:20Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут технічних проблем магнетизму НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сосков, А.Г. Рак, Н.О. Соскова, И.А. 2018-10-22T16:08:16Z 2018-10-22T16:08:16Z 2008 Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах / А.Г. Сосков, Н.О. Рак, И.А. Соскова // Електротехніка і електромеханіка. — 2008. — № 1. — С. 49-52. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2074-272X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143004 621.316 На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы. На основі аналізу методів розрахунку температури напівпровідникової структури силових напівпровідникових приладів в умовах їх роботи в комутаційних апаратах була запропонована інженерна методика розрахунку цієї температури при дії на них короткочасних імпульсів потужності довільної форми. Computing methods for calculating semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in commutation semiconductor apparatus have been analyzed. An engineering technique for semiconductor structure temperature calculation is introduced. This technique allows calculating unsteady heat conditions of these devices under influence of short-term free-form power impulses. ru Інститут технічних проблем магнетизму НАН України Електротехніка і електромеханіка Електричні машини та апарати Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах Analysis of computing methods for semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in under their operation in commutation semiconductor apparatus Article published earlier |
| spellingShingle | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах Сосков, А.Г. Рак, Н.О. Соскова, И.А. Електричні машини та апарати |
| title | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах |
| title_alt | Analysis of computing methods for semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in under their operation in commutation semiconductor apparatus |
| title_full | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах |
| title_fullStr | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах |
| title_full_unstemmed | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах |
| title_short | Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах |
| title_sort | анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах |
| topic | Електричні машини та апарати |
| topic_facet | Електричні машини та апарати |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143004 |
| work_keys_str_mv | AT soskovag analizmetodovrasčetatemperaturypoluprovodnikovoistrukturysilovyhpoluprovodnikovyhpriborovvusloviâhihrabotyvkommutacionnyhpoluprovodnikovyhapparatah AT rakno analizmetodovrasčetatemperaturypoluprovodnikovoistrukturysilovyhpoluprovodnikovyhpriborovvusloviâhihrabotyvkommutacionnyhpoluprovodnikovyhapparatah AT soskovaia analizmetodovrasčetatemperaturypoluprovodnikovoistrukturysilovyhpoluprovodnikovyhpriborovvusloviâhihrabotyvkommutacionnyhpoluprovodnikovyhapparatah AT soskovag analysisofcomputingmethodsforsemiconductorstructuretemperatureinpowersemiconductordevicesinundertheiroperationincommutationsemiconductorapparatus AT rakno analysisofcomputingmethodsforsemiconductorstructuretemperatureinpowersemiconductordevicesinundertheiroperationincommutationsemiconductorapparatus AT soskovaia analysisofcomputingmethodsforsemiconductorstructuretemperatureinpowersemiconductordevicesinundertheiroperationincommutationsemiconductorapparatus |