Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах

Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах

На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы. На основі...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Електротехніка і електромеханіка
Datum:2008
Hauptverfasser: Сосков, А.Г., Рак, Н.О., Соскова, И.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут технічних проблем магнетизму НАН України 2008
Schlagworte:
Електричні машини та апарати
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143004
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах / А.Г. Сосков, Н.О. Рак, И.А. Соскова // Електротехніка і електромеханіка. — 2008. — № 1. — С. 49-52. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-143004
record_format dspace
spelling Сосков, А.Г.
Рак, Н.О.
Соскова, И.А.
2018-10-22T16:08:16Z
2018-10-22T16:08:16Z
2008
Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах / А.Г. Сосков, Н.О. Рак, И.А. Соскова // Електротехніка і електромеханіка. — 2008. — № 1. — С. 49-52. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2074-272X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143004
621.316
На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы.
На основі аналізу методів розрахунку температури напівпровідникової структури силових напівпровідникових приладів в умовах їх роботи в комутаційних апаратах була запропонована інженерна методика розрахунку цієї температури при дії на них короткочасних імпульсів потужності довільної форми.
Computing methods for calculating semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in commutation semiconductor apparatus have been analyzed. An engineering technique for semiconductor structure temperature calculation is introduced. This technique allows calculating unsteady heat conditions of these devices under influence of short-term free-form power impulses.
ru
Інститут технічних проблем магнетизму НАН України
Електротехніка і електромеханіка
Електричні машини та апарати
Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
Analysis of computing methods for semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in under their operation in commutation semiconductor apparatus
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
spellingShingle Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
Сосков, А.Г.
Рак, Н.О.
Соскова, И.А.
Електричні машини та апарати
title_short Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
title_full Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
title_fullStr Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
title_full_unstemmed Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
title_sort анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах
author Сосков, А.Г.
Рак, Н.О.
Соскова, И.А.
author_facet Сосков, А.Г.
Рак, Н.О.
Соскова, И.А.
topic Електричні машини та апарати
topic_facet Електричні машини та апарати
publishDate 2008
language Russian
container_title Електротехніка і електромеханіка
publisher Інститут технічних проблем магнетизму НАН України
format Article
title_alt Analysis of computing methods for semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in under their operation in commutation semiconductor apparatus
description На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы. На основі аналізу методів розрахунку температури напівпровідникової структури силових напівпровідникових приладів в умовах їх роботи в комутаційних апаратах була запропонована інженерна методика розрахунку цієї температури при дії на них короткочасних імпульсів потужності довільної форми. Computing methods for calculating semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in commutation semiconductor apparatus have been analyzed. An engineering technique for semiconductor structure temperature calculation is introduced. This technique allows calculating unsteady heat conditions of these devices under influence of short-term free-form power impulses.
issn 2074-272X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143004
citation_txt Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах / А.Г. Сосков, Н.О. Рак, И.А. Соскова // Електротехніка і електромеханіка. — 2008. — № 1. — С. 49-52. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT soskovag analizmetodovrasčetatemperaturypoluprovodnikovoistrukturysilovyhpoluprovodnikovyhpriborovvusloviâhihrabotyvkommutacionnyhpoluprovodnikovyhapparatah
AT rakno analizmetodovrasčetatemperaturypoluprovodnikovoistrukturysilovyhpoluprovodnikovyhpriborovvusloviâhihrabotyvkommutacionnyhpoluprovodnikovyhapparatah
AT soskovaia analizmetodovrasčetatemperaturypoluprovodnikovoistrukturysilovyhpoluprovodnikovyhpriborovvusloviâhihrabotyvkommutacionnyhpoluprovodnikovyhapparatah
AT soskovag analysisofcomputingmethodsforsemiconductorstructuretemperatureinpowersemiconductordevicesinundertheiroperationincommutationsemiconductorapparatus
AT rakno analysisofcomputingmethodsforsemiconductorstructuretemperatureinpowersemiconductordevicesinundertheiroperationincommutationsemiconductorapparatus
AT soskovaia analysisofcomputingmethodsforsemiconductorstructuretemperatureinpowersemiconductordevicesinundertheiroperationincommutationsemiconductorapparatus
first_indexed 2025-12-02T11:58:20Z
last_indexed 2025-12-02T11:58:20Z
_version_ 1850862467066888192

Ähnliche Einträge