Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией

• Опубліковано в: : Електротехніка і електромеханіка
• Дата: 2010
• Автори: Беспрозванных, А.В., Набока, Б.Г., Москвитин, Е.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут технічних проблем магнетизму НАН України 2010
• Теми: Техніка сильних електричних та магнітних полів
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143339
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией / А.В. Беспрозванных, Б.Г. Набока, Е.С. Москвитин // Електротехніка і електромеханіка. — 2010. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 54 назв. — рос.

В силовых кабелях среднего и высокого напряжений применяют полупроводящие экраны по жиле и изоляции. Выполнен анализ влияния диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления полупроводящих композиций на напряженность электрического поля, тангенс угла диэлектрических потерь и пропускную способность силового кабеля напряжением 110 кВ. В силових кабелях середньої та високої напруги застосовують напівпровідні екрани по жилі та ізоляції. Виконано аналіз впливу діелектричної проникності та питомого об’ємного опору напівпровідних композицій на напруженість електричного поля, тангенс кута діелектричних втрат та пропускну спроможність силового кабелю на напругу 110 кВ. In power cables of average and high voltage, semiconducting screens for a conductor and insulation are utilized. Influence of dielectric permeability and specific resistance of semiconducting compositions on electric field intensity, dielectric dissipation, and transmitting capacity of a 110-kV power cable is analyzed.