Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией
В силовых кабелях среднего и высокого напряжений применяют полупроводящие экраны по жиле и изоляции. Выполнен анализ влияния диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления полупроводящих композиций на напряженность электрического поля, тангенс угла диэлектрических потерь и пр...
Saved in:
| Published in: | Електротехніка і електромеханіка |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут технічних проблем магнетизму НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143339 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией / А.В. Беспрозванных, Б.Г. Набока, Е.С. Москвитин // Електротехніка і електромеханіка. — 2010. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 54 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860232133773099008 |
|---|---|
| author | Беспрозванных, А.В. Набока, Б.Г. Москвитин, Е.С. |
| author_facet | Беспрозванных, А.В. Набока, Б.Г. Москвитин, Е.С. |
| citation_txt | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией / А.В. Беспрозванных, Б.Г. Набока, Е.С. Москвитин // Електротехніка і електромеханіка. — 2010. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 54 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Електротехніка і електромеханіка |
| description | В силовых кабелях среднего и высокого напряжений применяют полупроводящие экраны по жиле и изоляции. Выполнен анализ влияния диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления полупроводящих композиций на напряженность электрического поля, тангенс угла диэлектрических потерь и пропускную способность силового кабеля напряжением 110 кВ.
В силових кабелях середньої та високої напруги застосовують напівпровідні екрани по жилі та ізоляції. Виконано аналіз впливу діелектричної проникності та питомого об’ємного опору напівпровідних композицій на напруженість електричного поля, тангенс кута діелектричних втрат та пропускну спроможність силового кабелю на напругу 110 кВ.
In power cables of average and high voltage, semiconducting screens for a conductor and insulation are utilized. Influence of dielectric permeability and specific resistance of semiconducting compositions on electric field intensity, dielectric dissipation, and transmitting capacity of a 110-kV power cable is analyzed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:22:22Z |
| format | Article |
| fulltext |
44 ISSN 2074-272X. Електротехніка і Електромеханіка. 2010. №3
УДК 621.319.4
А.В. Беспрозванных, Б.Г. Набока , Е.С. Москвитин
ОБОСНОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДЯЩИХ ЭКРАНОВ СИЛОВЫХ КАБЕЛЕЙ
ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ СО СШИТОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ
В силових кабелях середньої та високої напруги застосовують напівпровідні екрани по жилі та ізоляції. Виконано ана-
ліз впливу діелектричної проникності та питомого об’ємного опору напівпровідних композицій на напруженість еле-
ктричного поля, тангенс кута діелектричних втрат та пропускну спроможність силового кабелю на напругу 110 кВ.
В силовых кабелях среднего и высокого напряжений применяют полупроводящие экраны по жиле и изоляции. Выпол-
нен анализ влияния диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления полупроводящих
композиций на напряженность электрического поля, тангенс угла диэлектрических потерь и пропускную способ-
ность силового кабеля напряжением 110 кВ.
ВВЕДЕНИЕ
В кабелях высокого напряжения 35-220 кВ сред-
няя рабочая напряженность в 3 раза выше, чем в кабе-
лях среднего напряжения 6-35 кВ (табл. 1). Любые
неоднородности: заусеницы на проволоках токопро-
водящей жилы, инородные включения в толще и на
поверхности изолированной жилы приводят к ло-
кальному повышению напряженности электрического
поля и развитию дендритов. Для выравнивания на-
пряженности электрического поля вокруг проволок
токопроводящей жилы, снижения напряженности по-
ля на поверхности изоляции кабеля применяют полу-
проводящие экраны [1-4].
Таблица 1
Требования к однородности изоляции кабелей
среднего и высокого напряжений
Параметр Кабели
среднего
напряжения
6-35 кВ
Кабели высо-
кого напря-
жения
35-220 кВ
Средняя напряженность элек-
трического поля Е, кВ/мм 2 6
Размер недопустимых приме-
сей, мкм >200 >100
Примеси, подлежащие контро-
лю, мкм 100-200 70-100
Максимально допустимая кон-
центрация примесей, подле-
жащих контролю, шт/кг
3 10
Требования к качеству полупроводящих экранов
высоковольтных кабелей достаточно высокие. Концен-
трация и размеры поверхностных дефектов в компози-
циях для экранов должны быть минимальны. Сам ма-
териал также должен иметь повышенную химическую
чистоту и тепловую устойчивость. В современных про-
водящих композициях максимальная концентрация
ионов не более 100 массовых долей; максимальное
содержание серы – не более 200 массовых долей.
Полупроводящие экраны наносятся одновремен-
но с экструдированием сшитой полиэтиленовой изо-
ляции с помощью строенных экструдеров. Такая тех-
нология обеспечивает хорошую адгезию между экра-
нами и изоляцией, а также отсутствие газовых вклю-
чений в изоляции и на границе с экранами, т.е.
уменьшает вероятность образования дендритов.
10-110-2
10-1
100
101
γ=1/ρ
Sm/m
Объемная доля сажи
Рис. 1
При этом важно, чтобы теплофизические харак-
теристики полупроводящих экранов и изоляции были
идентичны для исключения термомеханических на-
пряжений на границах раздела, а значит, отслаивания
покрытия и изоляции. Материал полупроводящих
экранов – наполненный сажей полиэтилен. Для всех
типов высоковольтных кабелей (от средних до сверх-
высоких значений напряжений) экранирующий слой
из электропроводящего материала играет важную
роль в обеспечении нормальной работы силовых ка-
белей. Проводимость электропроводящих материалов
зависит от содержания углеродной сажи, используе-
мой в качестве наполнителя: при изменении объемной
доли сажи в два раза проводимость возрастает в два
раза, т.е. удельное объемное сопротивление уменьша-
ется соответственно в два раза (рис. 1). Электрофизи-
ческие характеристики полупроводящих покрытий:
удельное сопротивление и диэлектрическая прони-
цаемость существенным образом влияют на распре-
деление напряженности электрического поля, потери
в кабеле и его пропускную способность.
Распределение напряженности электрического поля
в кабеле при наличии полупроводящих экранов
На рис. 2 приведено распределение напряженно-
сти поля по толщине однородной полиэтиленовой изо-
ляции одножильного силового кабеля сечением
800 мм2 без применения полупроводящих покрытий по
ISSN 2074-272X. Електротехніка і Електромеханіка. 2010. №3 45
жиле и изоляции: 1 – при толщине изоляции 12 мм,
2 – 16 мм и 3 – 20 мм. Там же показаны средние значе-
ния напряженностей: 5,25; 4 и 3,2 кВ/мм соответствен-
но. Максимальная напряженность – на жиле, мини-
мальная – на внешней поверхности изоляции, т.е. ме-
таллической оболочке: электрическое поле неравно-
мерно по толщине изоляции. Так, при толщине изоля-
ции 16 мм напряженность на жиле равна 5,8 кВ/мм, на
металлической оболочке – 2,8 кВ/мм, т.е. напряженно-
сти отличаются более чем в 2 раза. Для уменьшения
неравномерности распределения напряженности по
толщине изоляции в силовых кабелях с бумажно-
пропитанной изоляцией применяют градирование изо-
ляции: более плотную (с большим значением диэлек-
трической проницаемости) кабельную бумагу распола-
гают возле токопроводящей жилы, менее плотную (с
меньшим значением диэлектрической проницаемости)
– возле металлической оболочки (экрана).
0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
2
3
4
5
6
7
8 x 106
r,m
E, V/m
1
2
3
Рис. 2
При работе кабеля под переменным напряжени-
ем постоянная времени τ переходного процесса равна
произведению электрической емкости C на сопротив-
ление изоляции Rиз:
ερπεεεπ
π
ρτ 0
об
0об
из
ln
2
ln
2
=⋅=⋅=
g
g
r
rr
r
CR , (1)
где rg, rоб – радиусы кабеля по токопроводящей жиле
и металлической оболочке соответственно; ε0 =
= 8,85·10-12 Ф/м – электрическая постоянная, ε – ди-
электрическая проницаемость изоляции, ρ – удельное
объемное сопротивление изоляции, Ом·м.
Если τ больше полупериода приложенного на-
пряжения
)2/(1 f>>τ ,
объемные заряды не успевают накапливаться, и на-
пряженность поля распределяется в соответствии со
значениями диэлектрических проницаемостей:
iigg EEE ⋅=⋅=⋅ εεε . (2)
Если в структуре изоляции присутствуют неод-
нородности, то в соответствии с (2) на границах раз-
дела изоляция – неоднородность наблюдаются скачки
напряженности электрического поля ε
ig εεεε /,/ .
Для кабеля с сечением токопроводящей жилы
S = 800 мм2 и при толщине изоляции 16 мм емкость
равна 0,25 мкФ/км, а сопротивление изоляции –
1 ТОм·км. Постоянная времени τ = 3,4⋅103 c >> 1/(2⋅50).
На границах раздела происходит скачкообразное изме-
нение напряженности электрического поля в соответст-
вии со значениями диэлектрических проницаемостей:
полупроводящий экран – изоляция – напряженность
возрастает в εg/ε раз (граница участков II – III); изоля-
ция – полупроводящий экран – напряженность умень-
шается в ε/εi раз (граница участков III – II) (рис. 3).
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6 x 106
SDL, m
E, V/m
1
2 3
I II III IV
Рис. 3
На рис. 3 показано влияние относительной диэлек-
трической проницаемости полупроводящих экранов
толщиной 1 мм на распределение напряженности элек-
трического поля по поверхностям: жилы (участок I),
полупроводящего экрана по жиле (участок II), изоля-
ции (участок III) и полупроводящего экрана по изоля-
ции (участок IV). Расчет выполнен для таких значений
диэлектрических проницаемостей полупроводящих
покрытий: 1 – εg = εi = 5; 2 – εg = εi = 10; 3 – εg = εi = 15.
Диэлектрическая проницаемость сшитого полиэтилена
в расчетах принята равной ε = 2,3, толщина изоляции –
16 мм.
Применение полупроводящих экранов по жиле и
изоляции приводит к уменьшению напряженности
электрического поля на поверхности, как жилы, так и
изоляции (сравни кривую 2 на рис. 1 и участки I и II
на рис. 3). Причем, чем больше значение диэлектри-
ческой проницаемости покрытия, тем в большей сте-
пени происходит перераспределение напряженности
поля на границах раздела сред. При этом напряжен-
ность поля на поверхности полупроводящего покры-
тия возрастает.
К определению допустимой удельной
электропроводности материала полупроводящих
покрытий жилы и изоляции
Представим промежуток "жила – полупроводя-
щее покрытие по жиле – изоляция – полупроводящее
покрытие по изоляции – металлический медный эк-
ран" схемой замещения рис. 4.
Cg
Rg
Ci
Ri
C
R
Рис. 4
46 ISSN 2074-272X. Електротехніка і Електромеханіка. 2010. №3
Найдем тангенс угла диэлектрических потерь та-
кой схемы.
Переходя от параллельных схем замещения каж-
дого слоя к последовательным, получим:
а) для полупроводящего покрытия по жиле (g)
,1
gg
g CR
tg
ω
δ = ( ),1 2
gggs tgCC δ+= ,
gs
g
gs C
tg
R
⋅
=
ω
δ
(3)
б) для изоляции кабеля
CR
tg
⋅⋅
=
ω
δ 1 ; ( )21 δtgCCs += ;
s
s C
tg
R
⋅
=
ω
δ
; (4)
в) для полупроводящего покрытия по изоляции (i)
ii
i CR
tg
⋅⋅
=
ω
δ 1 ; ( )21 iiis tgCC δ+= ;
is
i
is C
tg
R
⋅
=
ω
δ
, (5)
где индексы s означают последовательные схемы за-
мещения компонентов.
Тогда общее активное последовательное сопро-
тивление равно:
issgsos RRRR ++= , (6)
а общая емкость
issgsos CCCC
1111 ++= . (7)
Результирующий тангенс угла диэлектрических
потерь равен:
ososo CRtg ⋅⋅= ωδ . (8)
Таким образом, последовательность формул (3) –
(6) описывает искомый тангенс угла диэлектрических
потерь через параметры схемы замещения каждого
слоя – емкость и эквивалентное параллельное сопро-
тивление.
Выразим параметры схем замещения каждого
слоя через известные толщины h, относительные ди-
электрические проницаемости ε и удельные сопро-
тивления ρ:
а) для полупроводящего покрытия по жиле
g
gg
g h
S
C
⋅⋅
= 0εε
;
g
g
gg S
h
R ρ= ; (9)
б) для изоляции кабеля
h
S
C
⋅⋅
= 0εε ;
S
hR ρ= ; (10)
в) для полупроводящего покрытия по изоляции
i
ii
i h
S
C
⋅⋅
= 0εε
;
i
i
ii S
hR ρ= , (11)
где S – площади указанных слоев.
На рис. 5 представлены результаты расчета ре-
зультирующего тангенса угла диэлектрических по-
терь в зависимости от удельного объемного сопро-
тивления ρ полупроводящего покрытия по жиле и
изоляции для кабеля сечением 800 мм2. Значение по-
терь в изоляции принято равным tgδ = 0,0005. Толщи-
на полупроводящего покрытия по жиле и изоляции
hg = hi = 1 мм; относительная диэлектрическая прони-
цаемость покрытий εg = εi = 10; толщина изоляции –
переменная величина: h = 4, 8, 12, 16, 20 и 24 мм (кри-
вые 1, 2, 3, 4, 5 и 6 соответственно). На рис. 5 линия I
отмечает tgδ собственно изоляции, а линия II – мак-
симально допустимое значение тангенса угла диэлек-
трических потерь кабеля tgδk = 0,12 %.
Как видно из рис. 5, наибольшие значения tgδ
кабеля будут наблюдаться при ρ ≈ 108 Ом·м. Казалось
бы, допустимыми (с точки зрения минимизации tgδ)
являются значения удельного сопротивления полу-
проводящих слоев свыше 1011 Ом·м. Однако, в этом
случае не произойдет экранирования поля на микро-
выступах жил и экрана, с которых начинают разви-
ваться дендриты.
102 104 106 108 1010 1012 101410-4
10-3
10-2
10-1
100
δtg
ρ ,Om.m
1
2
3
4
5
6
I
II
Рис. 5
Влияние тангенса угла диэлектрических потерь
в кабеле на пропускную способность
Под пропускной способностью силовых кабелей
понимается ток, который может протекать длительно
по токопроводящей жиле. Для кабелей высокого на-
пряжения важно обеспечить протекание больших зна-
чений рабочего тока. Так, при сечении жилы 2500 мм2
расчетное значение тока составляет 3700А. Поэтому,
при напряжении кабеля 110 кВ передаваемая мощ-
ность составит 3,7кА·110 кВ = 135 МВА.
Длительный рабочий ток определяется на основе
теплового расчета кабеля. Особенностью теплового
расчета кабелей высокого и сверхвысокого напряже-
ний является учет мощности тепловыделений в изо-
ляции:
kd tgСUP δω2
ф= , (12)
где Uф – фазное напряжение кабеля.
Потери в изоляции возрастают в 4 раза при росте
напряжения в 2 раза при том же значении tgδ.
Задача решается для стационарного теплового
поля. Рассматривается установившийся режим, при
котором тепловое состояние кабеля стабилизирова-
лось, и тепловые свойства материалов не меняются во
времени.
При протекании тока I по жиле кабеля c актив-
ным электрическим сопротивлением Rж выделяется
мощность:
ж
2
выд RIP ⋅= . (13)
Токопроводящая жила нагревается до темпера-
туры Tg. Тепловой поток движется наружу, преодоле-
вая тепловые сопротивления полупроводящего экрана
по жиле Rg, изоляции R, полупроводящего экрана по
изоляции Ri, защитной оболочки Rоб. Внутреннее теп-
ловое сопротивление кабеля:
обRRRRR igts +++= . (14)
ISSN 2074-272X. Електротехніка і Електромеханіка. 2010. №3 47
Тогда общая мощность тепловыделения внутри
кабеля будет равна:
)2/( обизж
2
внутр RRPRIP d +⋅=⋅= . (15)
Для кабеля, находящегося в воздухе (туннеле,
коллекторе) мощность отводимого тепла Pотв зависит
от теплового сопротивления Rос окружающего возду-
ха и температуры поверхности Tp кабеля и среды Tc
(внешнего перепада температуры ΔTвнешн).
Тепловое сопротивление окружающей среды за-
висит от поверхности охлаждения кабеля Sохл и эф-
фективного коэффициента теплоотдачи воздуха αэфф
за счет естественной конвективной αк и лучистой (ра-
диационной) αл теплоотдачи:
охлэфф
ос
1
S
R
α
= . (16)
Тогда длительный рабочий ток, протекающий по
жиле кабеля, определяется как:
)(
)2/(
осж
ocобиз
RRR
RRRPTT
I
ts
dpg
+⋅
++−−
= . (17)
На рис. 6 приведены результаты расчета длитель-
ного тока одножильного кабеля напряжением 110 кВ
сечением 800 мм2 при значениях tgδk = 0,05; 5; 10 %
(кривые 1, 1'; 2, 2'; 3, 3' при рабочих температурах жи-
лы 70 и 90°С соответственно). При расчете учитывает-
ся изменение активного сопротивления токопроводя-
щей медной жилы за счет скин-эффекта и повышенной
рабочей температуры.
35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
Tp,oC
I, A
Tg = 90oC
Tg = 70oC
3'
2'1
3
2
1'
Tp,°C
I, A
Tg = 90°C
Tg = 70°C
Рис. 6
Как видно, tgδk влияет на пропускную способ-
ность кабеля. При увеличении тангенса угла диэлек-
трических потерь кабеля от 0,05 до 5 % – (удельное
объемное сопротивление полупроводящих экранов
изменяется на три порядка) длительный рабочий ток
уменьшается на 13 % при внутреннем перепаде тем-
пературе 10°С. Передаваемая мощность при этом
уменьшается на 13 %.
ВЫВОДЫ
1. В процессе производства кабелей высокого
напряжения необходимо осуществлять тщательный
контроль концентрации растворимых ионов и серы в
углеродной саже.
2. Удельное электрическое сопротивление мате-
риала полупроводящих экранов по жиле и изоляции
должно быть не более 104 Ом·м. Только в этом случае
потери в полупроводящих экранах не влияют на тан-
генс угла диэлектрических потерь кабеля.
3. Вклад рассеяния энергии полупроводящими
покрытиями в общие диэлектрические потери кабеля
увеличивается с уменьшением толщины изоляции.
Поэтому для кабелей меньшего номинального напря-
жения толщину покрытий необходимо уменьшать.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Основы кабельной техники: [учебник для студ. высш.
учебн. заведений] / В.М. Леонов, И.Б. Пешков, И.Б. Рязанов,
С.Д. Холодный. – М.: Издательский центр "Академия",
2006. – 432 с.
2. Пешков И.Б. Электрохимическое старение полимерной
экструдированной изоляции силовых кабелей: исследова-
ния, испытания, диагностика, оценка ресурса / И.Б. Пешков,
М.Ю. Шувалов // Изв. Акад. наук России. Энергетика. –
2008. – № 1. – С. 70-88.
3. Образцов Ю.В. Силовые кабели среднего напряжения с
изоляцией из сшитого полиэтилена. Факторы качества /
Ю.В. Образцов, А.А. Фрик, А.А. Сливов // Кабели и прово-
да. – Москва. – 2005. – № 1. – С. 9-14.
4. Щерба А.А. Анализ процессов электрического старения
полиэтиленовой изоляции высоковольтных силовых элек-
трокабелей / А.А. Щерба, М.М. Резинкина // Технічна
електродинаміка. – Тем.вип. "Силова електроніка та
енергоефективність". – Київ. – 2006. – Ч. 1. – С. 106-111.
5. Теоретические основы электротехники: [учебник для
вузов в 3-х томах] / К.С. Демирчян, Л.Р. Нейман, Н.В. Ко-
ровкин, В.Л. Чечурин. – СПб.: Питер, 2003. – 463 [1] с.
Поступила 19.02.2010
Беспрозванных Анна Викторовна, к.т.н., доц.,
Набока Борис Григорьевич , д.т.н., проф.,
Москвитин Евгений Сергеевич, аспирант
Национальный технический университет
"Харьковский политехнический институт"
Украина, 61002, Харьков, ул. Фрунзе,21,
кафедра "Электроизоляционная и кабельная техника"
Тел. (057) 700-60-10, e-mail: naboka@kpi.kharkov.ua,
bezprozvannych@kpi.kharkov.ua
Bezprozvannych A.V., Naboka B.G., Moscvitin E.S.
Substantiation of electrophysical characteristics of
high-voltage power cable semiconducting screens with
stitched insulation.
In power cables of average and high voltage, semiconducting
screens for a conductor and insulation are utilized. Influence of
dielectric permeability and specific resistance of semiconducting
compositions on electric field intensity, dielectric dissipation,
and transmitting capacity of a 110-kV power cable is analyzed.
Key words – power cable, semiconducting screen, dielectric
permeability, electric resistance, dielectric dissipation, analysis.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-143339 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2074-272X |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:22:22Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут технічних проблем магнетизму НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Беспрозванных, А.В. Набока, Б.Г. Москвитин, Е.С. 2018-10-30T17:48:20Z 2018-10-30T17:48:20Z 2010 Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией / А.В. Беспрозванных, Б.Г. Набока, Е.С. Москвитин // Електротехніка і електромеханіка. — 2010. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 54 назв. — рос. 2074-272X https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143339 621.319.4 В силовых кабелях среднего и высокого напряжений применяют полупроводящие экраны по жиле и изоляции. Выполнен анализ влияния диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления полупроводящих композиций на напряженность электрического поля, тангенс угла диэлектрических потерь и пропускную способность силового кабеля напряжением 110 кВ. В силових кабелях середньої та високої напруги застосовують напівпровідні екрани по жилі та ізоляції. Виконано аналіз впливу діелектричної проникності та питомого об’ємного опору напівпровідних композицій на напруженість електричного поля, тангенс кута діелектричних втрат та пропускну спроможність силового кабелю на напругу 110 кВ. In power cables of average and high voltage, semiconducting screens for a conductor and insulation are utilized. Influence of dielectric permeability and specific resistance of semiconducting compositions on electric field intensity, dielectric dissipation, and transmitting capacity of a 110-kV power cable is analyzed. ru Інститут технічних проблем магнетизму НАН України Електротехніка і електромеханіка Техніка сильних електричних та магнітних полів Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией Substantiation of electrophysical characteristics of high-voltage power cable semiconducting screens with stitched insulation Article published earlier |
| spellingShingle | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией Беспрозванных, А.В. Набока, Б.Г. Москвитин, Е.С. Техніка сильних електричних та магнітних полів |
| title | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией |
| title_alt | Substantiation of electrophysical characteristics of high-voltage power cable semiconducting screens with stitched insulation |
| title_full | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией |
| title_fullStr | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией |
| title_full_unstemmed | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией |
| title_short | Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией |
| title_sort | обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией |
| topic | Техніка сильних електричних та магнітних полів |
| topic_facet | Техніка сильних електричних та магнітних полів |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/143339 |
| work_keys_str_mv | AT besprozvannyhav obosnovanieélektrofizičeskihharakteristikpoluprovodâŝihékranovsilovyhkabeleivysokogonaprâženiâsosšitoiizolâciei AT nabokabg obosnovanieélektrofizičeskihharakteristikpoluprovodâŝihékranovsilovyhkabeleivysokogonaprâženiâsosšitoiizolâciei AT moskvitines obosnovanieélektrofizičeskihharakteristikpoluprovodâŝihékranovsilovyhkabeleivysokogonaprâženiâsosšitoiizolâciei AT besprozvannyhav substantiationofelectrophysicalcharacteristicsofhighvoltagepowercablesemiconductingscreenswithstitchedinsulation AT nabokabg substantiationofelectrophysicalcharacteristicsofhighvoltagepowercablesemiconductingscreenswithstitchedinsulation AT moskvitines substantiationofelectrophysicalcharacteristicsofhighvoltagepowercablesemiconductingscreenswithstitchedinsulation |